4,也可使轴25旋转。定子22和转子23 能采用各种已知的结构。
[0066] 轴25与配置在相对于转子23位于祸轮24的相反一侧的整流子（未图示）接触， 由转子23的旋转产生的电动势作为发电机21的输出，经由相分离母线和主变压器（未图 示），升压至系统电压后进行电力传送。发电机21可为通常的发电机和可变磁通发电机中 的一种。另外，由于来自祸轮2的静电或发电产生的轴电流，会使转子23发生带电。因此， 发电机21包括用来使转子23的带电放电的电刷26。
[0067] 如上文所述，通过在发电机中适用第1实施方式的永磁体，得到高效化、小型化、 低成本化等的效果。
[0068] 另外，虽然对本发明的几个实施方式进行了说明，但该些实施方式只是作为示例 进行了提示，没有限定发明范围的意图。该些新的实施方式可通过其它各种方式进行实施， 在不脱离发明要旨的范围内，可进行各种省略、置换、变更等。该些实施方式及其变形包含 在发明的范围和要点内，且包含在权利要求书所记载的发明及其均等的范围内。 【实施例】
[0069] 接着，对永磁体的具体例进行说明。
[0070] (实施例1、实施例2) 将用于永磁体的各原料W规定的比率进行称量混合后，在Ar气体气氛中电弧溶解，审U 作合金铸块。将所述合金铸块W 1175°C保持8小时进行热处理之后，对合金铸块实施粗粉 碎和喷射磨粉碎，调制作为磁体的原料粉末的合金粉末。将合金粉末在磁场中进行冲压成 形，制作压缩成形体。
[0071] 接着，将合金粉末的压缩成形体配置在烧结炉腔室内，在使腔室内为真空状态之 后升温至118(TC并保持1分钟，之后导入Ar气体，在Ar气体气氛中升温至1195°C，W该温 度保持6小时进行正式烧结。
[0072] 正式烧结工序之后，对烧结体W 1160°C保持8小时来进行溶体化处理。另外，使溶 体化处理后的冷却速度为-220°C /分。接着，如表2所示，作为预备时效处理，将溶体化处理 后的烧结体W 710°C保持6小时之后W 0. 9°C /分的速度缓慢冷却到300°C，接着作为正式 时效处理，W 845°C保持20小时。将W该样的条件进行时效处理而得到的烧结体W 0. 7°C / 分的速度缓慢冷却到420°C，并保持该温度2小时。之后，利用炉冷冷却到室温，得到磁体。 得到的磁体的成分如表1所示。
[0073] 另外，利用电感禪合等离子体（ICP)法实施磁体的成分分析。另外，利用ICP法进 行的成分分析按照W下步骤进行。首先，从所述的测定点采取的试料在研鉢中粉碎，量取一 定量的粉碎后的试料，放入石英制的烧杯。接着，在烧杯中加入混合酸（包含硝酸和盐酸的 酸），在加热板上加热至140°C左右，使试料在烧杯中完全溶解。接着自然冷却后，移入可溶 性聚四氣己締（PFA)制的量瓶进行定容，作为试料溶液。
[0074] 接着，利用ICP光谱发生装置，通过标定曲线法对所述试料溶液的含有成分进行 定量。ICP光谱发生装置采用SII Nano Technology公司制的SPS4000。另外，所述磁体的 富化片状相的有无、在垂直于富M片状相的方向中金属结构的每1 ym宽度的区域内存在 的富化片状相的个数、矩形比、矫顽力W及残留磁化如表3所示。
[0075] (实施例3、实施例4、实施例5) 将各原料W规定的比率进行称量混合后，在Ar气体气氛中高频溶解，制作合金铸块。 对合金铸块实施粗粉碎之后实施117(TC、1小时的热处理，再利用急速冷却、冷却到室温。 接着实施粗粉碎和喷射磨的粉碎，调制作为磁体的原料粉末的合金粉末。接着，将合金粉末 在磁场中进行冲压成形，制作压缩成形体。
[0076] 接着，将合金粉末的压缩成形体配置在烧结炉的腔室内，使腔室内呈真空度为 8. 5X10-中a的真空状态之后升温至116(TC，保持15分钟之后，向腔室内导入Ar气体。将 Ar气体气氛的腔室内的温度升温至1185°C，保持4小时来进行正式烧结。接着，W 1125°C 将烧结体保持12小时进行溶体化处理。另外，使溶体化处理后的冷却速度为-180°C /分。
[0077] 接着，如表2所示的，作为预备时效处理将溶体化处理后的烧结体W 685°C保持8 小时之后W 0. 7°C /分的速度缓慢冷却至200°C。之后，作为正式时效处理，W 830°C保持30 小时，W 0. 45°C /分缓慢冷却到390°C。W该温度保持2小时，之后利用炉冷冷却到室温得 到磁体。所述磁体的成分如表1所示。另外，与其它的实施例相同地利用ICP法确认所述 磁体的成分。另外，所述磁体的富化片状相的有无、在垂直于富M片状相的方向中金属结 构的每1 ym宽度的区域内存在的富化片状相的个数、矩形比、矫顽力化及残留磁化如表3 所示。
[007引（实施例6) 将各原料W规定的比率进行称量混合后，在Ar气体气氛中高频溶解，制作合金铸块。 对合金铸块实施粗粉碎之后实施117(TC、6小时的热处理，再利用急速冷却、冷却到室温。 接着实施粗粉碎和喷射磨的粉碎，调制作为磁体的原料粉末的合金粉末。接着，将合金粉末 在磁场中进行冲压成形，制作压缩成形体。
[0079] 接着，将合金粉末的压缩成形体配置在烧结炉的腔室内，使腔室内呈真空度为 7. 0X 1(T中a的真空状态之后升温至1165°C，保持20分钟之后，向腔室内导入Ar气体。将 Ar气体气氛的腔室内的温度升温至1195°C，保持4小时来进行正式烧结。接着，W 113(TC 保持12小时对烧结体进行溶体化处理。另外，使溶体化处理后的冷却速度为-260°C /分。
[0080] 接着，如表2所示，作为预备时效处理，将溶体化处理后的烧结体W 680°c保持10 小时之后W 0. 6°C /分的速度缓慢冷却至350°C。之后，作为正式时效处理，W 820°C保持 35小时，再W 0. 8°C /分的速度缓慢冷却到360°C，W该温度保持1. 5小时，之后，利用炉冷 冷却到室温得到磁体。得到的磁体的成分如表1所示。另外，与其它的实施例相同地利用 ICP法确认所述磁体的成分。另外，所述磁体的富化片状相的有无、在垂直于富M片状相的 方向中金属结构的每lym宽度的区域内存在的富化片状相的个数、矩形比、矫顽力W及残 留磁化如表3所示。
[0081] (实施例7) 将各原料W规定的比率进行称量混合后，在Ar气体气氛中高频溶解，制作合金铸块。 对合金铸块实施粗粉碎之后实施1170°C、10小时的热处理，再利用急速冷却、冷却到室温。 接着实施粗粉碎和喷射磨的粉碎，调制作为磁体的原料粉末的合金粉末。接着，将合金粉末 在磁场中进行冲压成形，制作压缩成形体。
[0082] 接着，将合金粉末的压缩成形体配置在烧结炉的腔室内，使腔室内呈真空度为 9.0X10-中a的真空状态之后升温至1155°C，保持60分钟之后，向腔室内导入Ar气体。将 Ar气体气氛的腔室内的温度升温至118(TC，保持12小时来进行正式烧结。接着，W 112(TC 保持16小时对烧结体进行溶体化处理。另外，使溶体化处理后的冷却速度为-280°C /分。
[0083] 接着，如图2所示，作为预备时效处理，将溶体化处理后的烧结体W 670°C保持15 小时之后W 0. 5°C /分的速度缓慢冷却至300°C。之后，作为正式时效处理，W 840°C保持 35小时，再W 0. 6°C /分的速度缓慢冷却到400°C，W该温度保持1. 5小时，之后，利用炉冷 冷却到室温得到磁体。得到的磁体的成分如表1所示。另外，与其它的实施例相同地利用 ICP法确认所述磁体的成分。另外，所述磁体的富化片状相的有无、在垂直于富M片状相的 方向中金属结构的每lym宽度的区域内存在的富化片状相的个数、矩形比、矫顽力W及残 留磁化如表3所示。
[0084] (实施例8) 将各原料W规定的比率进行称量混合后，在Ar气体气氛中高频溶解，制作合金铸块。 对所述合金铸块实施粗粉碎之后实施1160°C、8小时的热处理，再利用急速冷却、冷却到室 温。接着利用粗粉碎和喷射磨的粉碎，调制作为磁体的原料粉末的合金粉末。接着，将上述 合金粉末在磁场中进行冲压成形，制作压缩成形体。
[0085] 接着，将合金粉末的压缩成形体配置在烧结炉的腔室内，使腔室内呈真空度为 8. 0X1(T中a的真空状态之后升温至1165°C，保持30分钟之后，向腔室内导入Ar气体。将 Ar气体气氛的腔室内的温度升温至112(TC，保持4小时来进行正式烧结。接着，W 114(TC 保持12小时对烧结体进行溶体化处理。另外，使溶体化处理后的冷却速度为-180°C /分。
[0086] 接着，如图2所示，作为预备时效处理，将溶体化处理后的烧结体W 675°C保持6小 时之后W 0. 9°C /分的速度缓慢冷却至300°C。之后，作为正式时效处理，W 830°C保持30 小时，再W0. 55°C /分的速度缓慢冷却到400°C，W该温度保持1. 5小时，之后，利用炉冷冷 却到室温得到磁体。得到的磁体的成分如表1所示。另外，与其它的实施例相同地利用ICP 法确认所述磁体的成分。另外，所述磁体的富化片状相的有无、在垂直于富M片状相的方 向中金属结构的每lym宽度的区域内存在的富化片状相的个数、矩形比、矫顽力化及残留 磁化如表3所示。
[0087](实施例9、实施例10) 采用与实施例8相同成分的合金粉末作为原料，在磁场中进行冲压成形，制作压缩成 形体。将该压缩成形体配置在烧成炉的腔室内，使腔室内呈真空度为9. 0X1(T中a的真空状 态之后W与实施例8同样的方法进行正式烧结W及溶体化处理。
[008引接着如表2所示，在实施例9中，作为预备时效处理，W 675°C保持15小时之后W 0. 9°C /分的速度缓慢冷