一种吸波屏蔽线缆及其加工工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电线电缆技术领域，尤其涉及的是一种吸波屏蔽线缆及其加工工艺。
【背景技术】
[0002]目前的电线电联仅包括导体层和包覆在导体层外的绝缘材料层，为了提高电线电缆的吸波屏蔽能力，通常是在绝缘材料层外用金属编织网编织屏蔽层，或者是通过在绝缘材料层外进行绕包以提高吸波屏蔽率。但是通过编织的方式成本较高、工艺复杂、对导体层发出的高频波屏蔽效果差，屏蔽率低于70% ;通过绕包的方式，屏蔽率低于90%。
[0003]因此，现有技术还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0004]鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种吸波屏蔽线缆及其加工工艺，旨在解决现有技术中通过绕包屏蔽或编织屏蔽的方式导致生产成本高，且屏蔽率低的冋题。
[0005]本发明的技术方案如下:
一种吸波屏蔽线缆，其中，包括:
导体层；
包覆所述导体层的绝缘材料层；
包覆所述绝缘材料层的吸波材料层。
[0006]所述吸波屏蔽线缆，其中，所述吸波材料层包括3%_20%的铁氧体，2%-10%的二氧化硅，70%-95%的绝缘材料。
[0007]所述吸波屏蔽线缆，其中，所述铁氧体为氧化铁、碳酸钡、碳酸锶、氧化镍、氧化锌、氧化锰、氧化镁、氧化钡或氧化锶中的一种或多种。
[0008]所述吸波屏蔽线缆，其中，所述绝缘材料为聚氯乙烯、交联聚烯烃、硅橡胶或氟塑料中的一种。
[0009]所述吸波屏蔽线缆，其中，所述吸波材料层的厚度为0.1-0.4mm。
[0010]一种吸波屏蔽线缆的加工工艺，其中，包括以下步骤:
51、将绝缘材料层在150-165°C下由用于挤出绝缘材料的主机挤出，并包覆在导体层上;
52、将吸波材料层在绝缘材料层挤出0.1-0.5秒后由用于挤出吸波材料的辅机在170-190°C的温度下挤出，并包覆在绝缘材料层上。
[0011]所述吸波屏蔽线缆的加工工艺，其中，所述吸波材料层包括3%-20%的铁氧体，2%-10%的二氧化硅，70%-95%的绝缘材料。
[0012]所述吸波屏蔽线缆的加工工艺，其中，所述铁氧体为氧化铁、碳酸钡、碳酸锶、氧化镍、氧化锌、氧化锰、氧化镁、氧化钡或氧化锶中的一种或多种。
[0013]所述吸波屏蔽线缆的加工工艺，其中，所述绝缘材料为聚氯乙烯、交联聚烯烃、硅橡胶或氟塑料中的一种。
[0014]所述吸波屏蔽线缆的加工工艺，其中，所述吸波材料层的厚度为0.1-0.4mm。
[0015]本发明提供的一种吸波屏蔽线缆及其加工工艺，加工工艺包括:将绝缘材料层在150-165?下由用于挤出绝缘材料的主机挤出，并包覆在导体层上；将吸波材料层在绝缘材料层挤出0.1-0.5秒后由用于挤出吸波材料的辅机在170-190°C的温度下挤出，并包覆在绝缘材料层上。本发明通过双层共挤的方式挤出包覆在导体层上的绝缘材料层及包覆在绝缘材料层上的吸波材料层，提高了吸波屏蔽线缆的生产效率，降低了生产成本，并极大提高了吸波屏蔽率。
【附图说明】
[0016]图1为本发明所述吸波屏蔽线缆较佳实施例的结构示意图。
[0017]图2为本发明所述吸波屏蔽线缆的加工工艺较佳实施例的流程图。
【具体实施方式】
[0018]本发明提供一种吸波屏蔽线缆及其加工工艺，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0019]请参见图1，其为本发明所述吸波屏蔽线缆较佳实施例的结构示意图。如图1所示，所述吸波屏蔽线缆包括:导体层100 ;包覆所述导体层100的绝缘材料层200 ;包覆所述绝缘材料层200的吸波材料层300。
[0020]本发明的实施例中，所述吸波屏蔽线缆与现有技术中的电线电缆不同之处在于，多了一层吸波屏蔽层。由于通过吸波材料层300包覆所述绝缘材料层200，故提高了对电磁波的屏蔽率。
[0021]优选的，所述吸波材料层300包括3%-20%的铁氧体，2%-10%的二氧化硅，70%_95%的绝缘材料。具体实施时，所述吸波材料层300的厚度为0.1-0.4mm。通过设置上述吸波材料层300，使得所述吸波屏蔽线缆能屏蔽和吸收0.3-40GHZ的高频波，使得屏蔽率达到
100% ο
[0022]优选的，所述铁氧体为氧化铁、碳酸钡、碳酸锶、氧化镍、氧化锌、氧化锰、氧化镁、氧化钡或氧化锶中的一种或多种。
[0023]优选的，所述绝缘材料为聚氯乙烯、交联聚烯烃、硅橡胶或氟塑料中的一种。
[0024]基于上述吸波屏蔽线缆，本发明还提供吸波屏蔽线缆的加工工艺。如图2所示，所述吸波屏蔽线缆的加工工艺，包括以下步骤:
步骤S100、将绝缘材料层在150-165°c下由用于挤出绝缘材料的主机挤出，并包覆在导体层上；
步骤S200、将吸波材料层在绝缘材料层挤出0.1-0.5秒后由用于挤出吸波材料的辅机在170-190°C的温度下挤出，并包覆在绝缘材料层上。
[0025]下面分别针对上述步骤进行具体介绍:
首先，通过主机将绝缘材料层在150-165?的温度下挤出，并包覆在导体层上。
[0026]然后，等待绝缘材料层挤出0.1-0.5秒后，通过辅机将吸波材料层在170_190°C的温度下挤出，并包覆在绝缘材料层上。上述过程中，需注意的是绝缘材料层将导体层后才能挤出吸波材料层，即要避免吸波材料层与导体层接触。
[0027]可见，通过步骤SlOO和S200实现了双层共挤，提高了线缆的加工效率。
[0028]最后，待吸波屏蔽线缆的三层均冷却成型后，即完成了吸波屏蔽线缆的加工。通过上述加工工艺，使得吸波屏蔽率达到100%，优于编织和绕包的方式。
[0029]优选的，所述吸波材料层包括3%_20%的铁氧体，2%-10%的二氧化硅，70%_95%的绝缘材料。
[0030]优选的，所述铁氧体为氧化铁、碳酸钡、碳酸锶、氧化镍、氧化锌、氧化锰、氧化镁、氧化钡或氧化锶中的一种或多种。
[0031 ] 优选的，所述绝缘材料为聚氯乙烯、交联聚烯烃、硅橡胶或氟塑料中的一种。
[0032]优选的，所述吸波材料层的厚度为0.1-0.4mm。
[0033]综上所述，本发明提供的一种吸波屏蔽线缆及其加工工艺，加工工艺包括:将绝缘材料层在150-165?下由用于挤出绝缘材料的主机挤出，并包覆在导体层上；将吸波材料层在绝缘材料层挤出0.1-0.5秒后由用于挤出吸波材料的辅机在170-190°C的温度下挤出，并包覆在绝缘材料层上。本发明通过双层共挤的方式挤出包覆在导体层上的绝缘材料层及包覆在绝缘材料层上的吸波材料层，提高了吸波屏蔽线缆的生产效率，降低了生产成本，并极大提高了吸波屏蔽率。
[0034]应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种吸波屏蔽线缆，其特征在于，包括: 导体层； 包覆所述导体层的绝缘材料层； 包覆所述绝缘材料层的吸波材料层。
2.根据权利要求1所述吸波屏蔽线缆，其特征在于，所述吸波材料层包括3%-20%的铁氧体，2%-10%的二氧化硅，70%-95%的绝缘材料。
3.根据权利要求2所述吸波屏蔽线缆，其特征在于，所述铁氧体为氧化铁、碳酸钡、碳酸锶、氧化镍、氧化锌、氧化锰、氧化镁、氧化钡或氧化锶中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述吸波屏蔽线缆，其特征在于，所述绝缘材料为聚氯乙烯、交联聚烯烃、硅橡胶或氟塑料中的一种。
5.根据权利要求1所述吸波屏蔽线缆，其特征在于，所述吸波材料层的厚度为0.1-0.4mm。
6.一种吸波屏蔽线缆的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤: 51、将绝缘材料层在150-165°C下由用于挤出绝缘材料的主机挤出，并包覆在导体层上; 52、将吸波材料层在绝缘材料层挤出0.1-0.5秒后由用于挤出吸波材料的辅机在170-190°C的温度下挤出，并包覆在绝缘材料层上。
7.根据权利要求6所述吸波屏蔽线缆的加工工艺，其特征在于，所述吸波材料层包括3%-20%的铁氧体，2%-10%的二氧化硅，70%-95%的绝缘材料。
8.根据权利要求7所述吸波屏蔽线缆的加工工艺，其特征在于，所述铁氧体为氧化铁、碳酸钡、碳酸锶、氧化镍、氧化锌、氧化锰、氧化镁、氧化钡或氧化锶中的一种或多种。
9.根据权利要求7所述吸波屏蔽线缆的加工工艺，其特征在于，所述绝缘材料为聚氯乙烯、交联聚烯烃、硅橡胶或氟塑料中的一种。
10.根据权利要求6所述吸波屏蔽线缆的加工工艺，其特征在于，所述吸波材料层的厚度为 0.1-0.4mm。
【专利摘要】本发明公开了一种吸波屏蔽线缆及其加工工艺，加工工艺包括：将绝缘材料层在150-165℃下由用于挤出绝缘材料的主机挤出，并包覆在导体层上；将吸波材料层在绝缘材料层挤出0.1-0.5秒后由用于挤出吸波材料的辅机在170-190℃的温度下挤出，并包覆在绝缘材料层上。本发明通过双层共挤的方式挤出包覆在导体层上的绝缘材料层及包覆在绝缘材料层上的吸波材料层，提高了吸波屏蔽线缆的生产效率，降低了生产成本，并极大提高了吸波屏蔽率。
【IPC分类】H01B13-24, H01B7-17, H01B13-14
【公开号】CN104779002
【申请号】CN201510210985
【发明人】张海斌
【申请人】深圳市金泰科环保线缆有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年4月29日