一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种集成电路及其金属层间介质层平坦化 的方法。
【背景技术】
[0002] 在集成电路的制造工艺中，金属层间介质层置于器件和互联金属层之间， 作为使器件免受杂质粒子污染的保护层。随着CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体）器件特征尺寸越来越小，集成电路规模迅速提升， 金属连线的层数不断增加，金属连线之间的间隙也越来越窄，对金属层间介质层的平坦化 要求也越来越高。
[0003] 现有技术中金属层间介质层的平坦化的方法包括：在含有金属连线的晶圆表面沉 积二氧化娃层；在二氧化娃层表面涂覆第一旋转涂布玻璃SOG层；对含有第一 SOG层的集 成电路半成品进行热处理，使第一 SOG层中的溶剂挥发；在热处理后的第一 SOG层上涂覆第 二SOG层；对含有第二SOG层的集成电路半成品进行热处理，使第二SOG层中的溶剂挥发； 对热处理后的第二SOG层进行回刻处理；对回刻处理后的集成电路半成品进行离子注入处 理，使旋转涂布玻璃SOG层固化；在固化的SOG层表面采用等离子化学气相沉积的方法沉积 第二二氧化硅层，形成金属层间介质层。如图1所示为现有技术形成的金属层间介质层，其 中101为介质层，102为金属连线。
[0004] 上述金属层间介质层平坦化方法中，利用旋转涂布玻璃的回流性能，弥补金属连 线之间产生的台阶，使金属层间介质层趋于平坦，但是由于离子注入固化SOG层时，其固化 的厚度有限，因此SOG层的厚度不能过厚，否则会造成SOG层固化不完全，容易导致集成电 路出现断层等问题。因此现有技术中采用对SOG层进行回刻处理，进而降低SOG层的厚度， 使离子注入处理后SOG层能够完全固化；但由于对SOG层进行热处理时，金属连线处和金 属连线之间的SOG层厚度不同，对应的SOG层的干燥程度也不相同，进而进行回刻处理时， SOG层的刻蚀速度也不相同，造成金属层间介质层的表面平坦化程度恶化，影响集成电路的 可靠性。
【发明内容】
[0005] 本发明实施例提供一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法，以解决现有 技术中金属层间介质层的表面平坦化效果较差，影响集成电路可靠性的问题。
[0006] 本发明实施例提供了一种集成电路的金属层间介质层平坦化的方法，该方法包 括：
[0007] 在含有金属连线的晶圆表面沉积第一层二氧化硅层；
[0008] 在所述第一层二氧化硅层表面涂覆第一旋转涂布玻璃SOG层，并对第一 SOG层进 行热处理；
[0009] 对所述第一 SOG层进行离子注入处理，形成第一固化SOG层；
[0010] 在所述第一固化SOG层表面涂覆第二SOG层，并对第二SOG层进行热处理；
[0011] 对所述第二SOG层进行离子注入处理，形成第二固化SOG层；
[0012] 在所述第二固化SOG层表面沉积第二层二氧化硅层。
[0013] 上述实施例中由于对第一 SOG层和第二SOG层分别进行离子固化处理，避免了两 层SOG层厚度过厚固化不完全，导致集成电路出现断层的问题，并且本发明实施例中不需 要对第二SOG层进行回刻处理，也就避免了由于刻蚀速度不同导致的金属层间介质层的表 面平坦化程度恶化的问题，提高了金属层间介质层表面的平坦化效果，也增强了集成电路 的可靠性。
[0014] 进一步的本发明实施例还包括对SOG层进行热处理之后，进行离子注入处理之 前，还包括：
[0015] 对热处理后的集成电路半成品进行冷却处理，将所述集成电路半成品冷却至室 温。
[0016] 所述冷却处理包括：空冷和/或采用冷却设备进行冷却。
[0017] 由于热处理后集成电路半成品的温度较高，直接进行离子注入处理，操作温度较 高，存在安全隐患，将集成电路半成品冷却至室温后，提高了离子注入处理的易操作性和安 全性。
[0018] 本发明实施例中所述离子注入处理，具体包括：
[0019] 通过离子注入设备将氩气或砷注入SOG层，使SOG层固化；其中离子注入能量为 70千电子伏~200千电子伏。
[0020] 通过离子注入设备分别对两层SOG层进行离子注入处理，使两层SOG层固化，避免 由于SOG层未固化造成集成电路断层的问题。
[0021] 本发明实施例还包括所述热处理的温度范围为350°C~450°C，热处理时间范围 为 30min ~90min。
[0022] 对SOG层进行热处理的主要目的是去除旋转涂布玻璃中的溶剂形成多孔二氧化 硅，当进行离子注入处理时，能够获得良好的固化效果，本发明实施例中由于分别对两层 SOG层进行固化处理，因此可以适当降低对SOG层进行热处理的温度和热处理的时间。
[0023] 本发明实施例还包括所述第一 SOG层与所述第二SOG层的旋转涂布玻璃的厚度范 围均为1500A~3500 A。
[0024] 本发明实施例中由于分别对两层SOG层进行固化处理，故每层SOG层能够完全固 化，因此可使适当提高每层SOG层的厚度，进而利用SOG良好的回流性能，提高金属层间介 质层的表面的平坦化的效果。
[0025] 本发明实施例还包括所述第一层二氧化硅层的厚度为1500 A~4000 A。
[0026] 本发明实施例还提供了一种集成电路，该集成电路包括上述任意一种方法获得的 金属层间介质层。
[0027] 本发明实施例提供了一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法，该方法包 括：在含有金属连线的晶圆表面沉积第一层二氧化硅层；在第一层二氧化硅层表面涂覆第 一旋转涂布玻璃SOG层，并对第一 SOG层进行热处理；对第一 SOG层进行离子注入处理，形 成第一固化SOG层；在第一固化SOG层表面涂覆第二SOG层，并对第二SOG层进行热处理； 对第二SOG层进行离子注入处理，形成第二固化SOG层；在第二固化SOG层表面沉积第二 层二氧化硅层。由于对第一 SOG层和第二SOG层分别进行离子固化处理，避免了两层SOG 层厚度固化不完全，导致集成电路出现断层的问题，并且本发明实施例中不需要对第二SOG 层进行回刻处理，也就避免了由于刻蚀速度不同导致的金属层间介质层的表面平坦化程度 恶化的问题，提高了金属层间介质层表面的平坦化效果，也增强了集成电路的可靠性。
【附图说明】
[0028] 图1为【背景技术】中形成的金属层间介质层的示意图；
[0029] 图2为本发明实施例中一种集成电路的金属层间介质层平坦化的方法的流程示 意图；
[0030] 图3为本发明实施例中集成电路的金属层间介质层平坦化的方法的实施例一的 流程示意图；
[0031] 图4为本发明实施例中晶圆表面沉积第一层二氧化硅层后的结构示意图；
[0032] 图5为本发明实施例中晶圆表面形成第一固化SOG层后的结构不意图；
[0033] 图6为本发明实施例中晶圆表面形成第二固化SOG层后的结构示意图；
[0034] 图7为本发明实施例中金属层间介质层的结构示意图；
[0035] 图8为本发明实施例中集成电路的金属层间介质层平坦化的方法的实施例二的 流程示意图。
【具体实施方式】
[0036] 本发明实施例提供了一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法，以解决现 有技术中对旋转涂布玻璃进行回刻处理时，由于刻蚀速度导致的金属层间介质层的表面平 坦化程度恶化，影响集成电路可靠性的问题。
[0037] 下面结合说明书附图进行进一步说明。
[0038] 如图2所示为本发明实施例中一种集成电路的金属层间介质层平坦化的方法，该 方法包括：
[0039] 步骤201 :在含有金属连线的晶圆表面沉积第一层二氧化娃层；
[0040] 步骤202 :在第一层二氧化硅层表面涂覆第一旋转涂布玻璃SOG层，并对含有第一 SOG层的集成电路半成品进行热处理；
[0041] 步骤203 :对第一 SOG层进行离子注入处理，形成第一固化SOG层；
[0042] 步骤204 :在第一固化SOG层表面涂覆第二SOG层，并对含有第二SOG层的集成电 路半成品进行热处理；
[0043] 步骤205 :对第二SOG层进行离子注入处理，形成第二固化SOG层；
[0044] 步骤206 :在第一固化SOG层表面涂覆第二SOG层，并对第二SOG层进行热处理。
[0045] 其中步骤201中在含有金属连线的晶圆表面沉积第一层二氧化硅层，具体包括： 采用等离子化学气相沉积CVD的方法在含有金属连线的晶圆表面沉积第一层二氧化硅层， 第一层二氧化硅层的厚度在丨500A~3000A。本发明实施例中包括但不限于采用CVD沉积 二氧化硅层，其他沉积二氧化硅层的方法同样适用于本发明，在此不再一一赘述。
[0046] 步骤202中第一 SOG层的厚度范围在1500A~3500A,由于分别对每层SOG层进 行离子注入处理，使SOG层固化，避免了由于SOG层固化不完全导致的集成电路断层的问 题，因此可以适当增加 SOG层的厚度，利用旋转涂布玻璃良好的回流性，提高金属层间介质 层的平坦化效果。
[0047] 步骤202中对第一 SOG层进行热处理时，热处理温度在350°C~450°C之间，热处 理时间在30min~90min之间，其中热处理温度与SOG层的厚度相关，在SOG层厚度相同的 条件下，热处理温度越高，热处理时间越短。其中涂覆的旋转涂布玻璃是液态溶液，热处理 的主要目的是除去旋转涂布玻璃中的溶剂形成多孔二氧化硅，便于后续对SOG层进行固化 处理，由于分别对每层SOG层进行固化处理，热处理后剩余的溶剂量对离子注入处理后的 SOG层的固化程度的影响就会降低，因此可以根据需要适当