6d的前半部分的中央处。主线路部ml、m2的线宽和副线路部sl、s2的线宽实质上相等。下面，将副线路部s2的内周侧端部称为内周端，将副线路部s2的外周侧端部称为外周端。
[0032]此处，从上侧进行俯视时，主线路部ml与副线路部s2相重合。并且，从上侧进行俯视时，主线路部ml与副线路部s2基本在整个长度上都彼此并行。更详细而言，从上侧进行俯视时，主线路部ml与副线路部s2在除其外周端附近以外的部分均以保持一致的状态相重合。
[0033]从上侧进行俯视时，主线路部m2与副线路部s2形成为关于电介质层16d的对角线的交点呈点对称的图形。因此，若以电介质层16d的对角线的交点为中心将主线路部m2旋转180°，则由此得到的主线路部与副线路部s2相一致。
[0034]副线路部sl、s2例如通过在电介质层16c、16d涂布以由Cu或Ag形成的金属为主要成分的导电性糊料而得以形成。
[0035]过孔导体v5在上下方向贯穿电介质层16c，从而将副线路部Si的外周端与副线路部s2的外周端电连接。由此，副线路部Si与副线路部s2经由过孔导体v5以串联的方式电连接。
[0036]引出导体18c是设置于电介质层16b的表面的直线状的线状导体，该电介质层16b设置于电介质层16c的上侧。从上侧进行俯视时，引出导体18c的一个端部与副线路部Si的内周端重合。引出导体18c从一个端部起向右后方向延伸。并且，引出导体18c的另一个端部引出至电介质层16b的后侧的短边，与外部电极14c电连接。
[0037]此处，从上侧进行俯视时，引出导体18b与引出导体18c实质上形成等腰三角形的长度相等的两条边。
[0038]过孔导体v4在上下方向贯穿电介质层16b，从而将引出导体18c的一个端部与副线路部sl的内周端电连接。由此，过孔导体v4和引出导体18c对副线路部sl的内周端与外部电极14c进行电连接。
[0039]引出导体18d是设置于电介质层16e的表面的直线状的线状导体，该电介质层16e设置于电介质层16d的下侧。从上侧进行俯视时，引出导体18d的一个端部与副线路部s2的内周端重合。引出导体18d从一个端部起向左前方向延伸。并且，引出导体18d的另一个端部引出至电介质层16e的前侧的短边，与外部电极14d电连接。
[0040]引出导体18c、18d例如通过在电介质层16b、16e涂布以由Cu或Ag形成的金属为主要成分的导电性糊料而得以形成。
[0041]此处，从上侧进行俯视时，引出导体18a与引出导体18d实质上形成等腰三角形的长度相等的两条边。并且，从上侧进行俯视时，引出导体18a和引出导体18b形成为关于电介质层16b的对角线的交点呈点对称的图形。从上侧进行俯视时，引出导体18c和引出导体18d形成为关于电介质层16b的对角线的交点呈点对称的图形。此外，引出导体18a?18d的线宽相等。
[0042]过孔导体v6在上下方向贯穿电介质层16d，从而将引出导体18d的一个端部与副线路部s2的内周端电连接。由此，过孔导体v6和引出导体18d对副线路部s2的内周端与外部电极14d进行电连接。
[0043]接地导体20是设置于电介质层16f的表面的长方形导体，该电介质层16f设置于电介质层16d的下侧。从上侧进行俯视时，接地导体20与主线路部ml、m2及副线路部sl、s2重合。接地导体20从右侧长边的三处向右突出，从而与外部电极14e?14g电连接。接地导体20从左侧长边的三处向左突出，从而与外部电极14h?14j电连接。
[0044]接地导体20例如通过在电介质层16f涂布以由Cu或Ag形成的金属为主要成分的导电性糊料而得以形成。
[0045]在上述定向親合器1a中，夕卜部电极14a用作输入端口，夕卜部电极14b用作输出端口。外部电极14d用作耦合端口，外部电极14c用作以50Ω进行终端化的终端端口。外部电极14e?14j用作进行接地的接地端口。而且，若信号输入到外部电极14a，则该信号从外部电极14b输出。并且，由于主线路M与副线路S进行电磁耦合，因此，从外部电极14d输出具有与从外部电极14b输出的信号的功率成正比的功率的信号。
[0046](效果)
根据具有上述结构的定向耦合器10a，能够对主线路M的特性阻抗与副线路S的特性阻抗之间产生差异的情况进行抑制。更详细而言，主线路部ml和副线路部Si设置在电介质层16c上。因此，即使电介质层16a?16f的厚度产生偏差，从主线路部ml到接地导体20为止的距离与从副线路部Si到接地导体20为止的距离仍然保持相等。因此，主线路部ml与接地导体20间产生的电容和副线路部sl与接地导体20间产生的电容之间不易产生差升。
[0047]此外，主线路部m2和副线路部s2设置在电介质层16d上。因此，即使电介质层16a?16f的厚度产生偏差，从主线路部m2到接地导体20为止的距离与从副线路部s2到接地导体20为止的距离仍然保持相等。因此，主线路部m2与接地导体20间产生的电容和副线路部s2与接地导体20间产生的电容之间不易产生差异。
[0048]如上所述，即使电介质层16a?16f的厚度产生偏差，主线路M与接地导体20间所形成的电容和副线路S与接地导体20间所形成的电容之间不易产生差异。S卩，主线路M的特性阻抗与副线路S的特性阻抗之间不易产生差异。
[0049]根据定向耦合器10a，能够降低上下方向的高度(以下，称为薄型化)。更详细而言，在专利文献I所记载的定向耦合器中，第I接地电极设置在位于第I耦合线上侧的电介质层上。第2接地电极设置在位于第2耦合线下侧的电介质层上。S卩，设有两个接地电极。这是为了使第I耦合线与第I接地电极及第2接地电极间所产生的电容、和第2耦合线与第I接地电极及第2接地电极间所产生的电容相接近。
[0050]但是，在专利文献I所记载的定向耦合器中，由于需要两个接地电极，因此，层叠方向的高度变高。此外，若缺少两个接地电极中的任意一个接地电极，则第I耦合线与接地电极间所产生的电容、和第2耦合线与接地电极间所产生的电容之间就会产生差异。
[0051]因此，定向耦合器1a中，主线路部ml和副线路部Si设置在电介质层16c上。由此，从主线路部ml到接地导体20为止的距离与从副线路部Si到接地导体20为止的距离变为相等。因此，主线路部ml与接地导体20间产生的电容与副线路部sl与接地导体20间产生的电容之间不易产生差异。此外，主线路部m2和副线路部s2设置在电介质层16d上。由此，从主线路部m2到接地导体20为止的距离与从副线路部s2到接地导体20为止的距离变为相等。因此，主线路部m2与接地导体20间产生的电容和副线路部s2与接地导体20间产生的电容之间不易产生差异。
[0052]如上所述，在定向耦合器1a中，由于仅设置一个接地导体20，因此，能够使主线路M与接地导体20间产生的电容、和副线路S与接地导体20间产生的电容相接近。其结果是在定向耦合器1a中，能够实现薄型化。另外，这种结构也不会妨碍在主线路部ml和副线路部Si的上侧设置与主线路部ml和副线路部Si相重合的接地导体。
[0053]在定向耦合器1a中，能够实现小型化。例如，为了利用专利文献I所记载的定向耦合器构成3dB定向耦合器，优选为第I耦合线和第2耦合线的长度是第I耦合线和第2耦合线所传输的高频信号的波长的1/4。在这种3dB定向耦合器中，为了实现小型化，考虑增大电介质层的介电常数。由此，第I耦合线和第2耦合线所传输的高频信号的波长变短，从而第I耦合线和第2耦合线的长度变短。
[0054]但是，若电介质层的介电常数变高，则第I耦合线及第2耦合线与第I接地电极及第2接地电极间所产生的电容变大。其结果导致第I耦合线及第2耦合线的特性阻抗下降，从而偏离规定的特性阻抗(例如，50 Ω )。
[0055]因此，在定向耦合器1a中，如上所述，在主线路M和副线路S的上侧没有设置接地导体。因此，在定向耦合器1a中，与专利文献I所记载的定向耦合器相比，主线路M和副线路S中产生的电容较小，因此主线路M和副线路S的特性阻抗变大。其结果是，在定向耦合器1a中，能够抑制主线路M和副线路S的特征阻抗的下降，并且能实现定向耦合器1a的小型化。
[0056]定向耦合器1a中，主线路M和副线路S的设计较为容易。更详细而言，在专利文献I所记载的定向耦合器中，若去除第I接地电极，则第I耦合线和第2耦合线分别与第2接地电极形成电容。并且，从第I耦合线到第2接地电极为止的距离、与从第2耦合线到第2接地电极为止的距离不同。因此，考虑到要使第I耦合线与第2接地电极间形成的电容、和第2耦合线与第2接地电极间形成的电容相接近，就必须要对第I耦合线和第2耦合线进行设计。
[0057]另一方面，在定向親合器1a中，主线路部ml和副线路部sl设置在电介质层16c上。主线路部m2和副线路部s2设置在电介质层16d上。由此，从主线路部ml到接地导体20为止的距离与从副线路部Si到接地导体20为止的距离变为相等。同样地，从主线路部m2到接地导体20为止的距离与从副线路部s2到接地导体20为止的距离变为相等。S卩，在定向耦合器1a中，即使只设置一个接地导体20，也可使从主线路M到接地导体20为止的距离、与从副线路S到接地导体20为止的距离实质上相等。因此，为了使主线路M与接地导体20间形成的电容和副线路S与接地导体20间形成的电容相接近，只要使主线路部ml与副线路部Si的结构相接近、且使主线路部m2与副线路部s2的结构相接近即可。其结果是，在定向耦合器1a中，可简化主线路M和副线路S的设计。
[0058]根据定向耦合器10a，能够使引出导体18a的特性阻抗与引出导体18c的特性阻抗相接近。更详细而言，引出导体18a和引出导体18c设置于同一电介质层16b的表面。由此，可使从引出导体18a到接地导体20间的距离、与从引出导体18c到接地导体20间的距离相等。即，能够使引出导体18a与接地导体20间产生的电容、和引出导体18c与接地导体20间产生的电容相接近。由此，能够使引出导体18a的特性阻抗与引出导体18c的特性阻抗相接近。基于相同的理由，能够使引出导体18b的特性阻抗与引出导体18