显示面板及其oled元件的制作方法

文档序号:9378378阅读:414来源:国知局
显示面板及其oled元件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其OLED元件。
【背景技术】
[0002]近年来,OLED(Organic Light-Emitting D1de,有机发光二极管)技术发展迅速,已经成为最有可能替代LCD (Liquid Crystal Display,液晶显示器)的前景技术。
[0003]OLED可依照其发光的颜色区分为红色0LED、蓝色0LED、绿色OLED及白色0LED。白色OLED大都通过混合三种颜色(红、绿、蓝)的小分子、聚合物或磷光材料到多层或单层结构中。大多数白色OLED都采用堆叠式结构或者单发光层多掺杂剂的结构。
[0004]具体而言,当光子从OLED元件发光层发出后,会在反射镜和半反射镜之间形成的共振腔内发生破坏性或者建设性的干涉。共振腔起二个作用,一是使轴向光束来回反射以便不断和激发态粒子作用产生受激发射,其中一面反射镜是轻度透明的使部分能量能够输出;另一作用是使轴向进行的光束中符合多光束干涉增强的波长谱线宽度变窄、强度增加,其他方向的光束则反射数次就偏出腔外,别的波长因干涉相消而抵消。也就是说共振腔还起限制光束的方向及光的频率的作用。
[0005]公知的OLED元件结构通过调整有机功能层的厚度来优化共振腔效应。例如图1所示的OLED元件,其包括依次形成的反射层110、阳极120、有机功能层130、阴极140及半透半反层160。有机功能层130包括依次在阳极120上形成的空穴注入层131、空穴传输层132、发光层133及电子传输层134。反射层110与半透半反层160之间形成共振腔。发光层133发射三原色的光。其通过调整空穴传输层132的厚度,例如增大厚度的空穴传输层132形成共振腔调整层150来调整共振腔效应。
[0006]然而,这样的OLED结构仍然有许多问题。例如,共振腔调整层150参与有机功能层中电荷的传输,降低了发光效率;发光层133发射的一原色被增强,而另一原色被削弱等;由现有技术OLED元件构成的显示面板会产生大视角色偏。

【发明内容】

[0007]本发明为了克服上述现有技术存在的缺陷,提供一种显示面板及其OLED元件,其优化了 OLED元件的共振腔效应。
[0008]本发明提供一种OLED元件,包括:第一电极;有机功能层,设于所述第一电极上;第二电极,设于所述有机功能层上;共振腔调整层,设于所述第二电极上,所述共振腔调整层具有不均一厚度;以及半透半反层,位于所述共振腔调整层上。
[0009]优选地,所述有机功能层至少包括:有机发光层,位于第一像素区、第二像素区及第三像素区的有机发光层分别发出不同颜色的光。
[0010]优选地,位于所述第一像素区、所述第二像素区及所述第三像素区的所述共振腔调整层分别具有不同的厚度,所述共振腔调整层的厚度与各像素区对应颜色的波长正相关。
[0011]优选地,所述第一像素区、所述第二像素区及所述第三像素区对应的颜色分别为:红色、绿色及蓝色。
[0012]优选地,位于红色的第一像素区的所述共振腔调整层的厚度在70-80nm之间;位于绿色的第二像素区的所述共振腔调整层的厚度在20-30nm之间;位于蓝色的第三像素区的部分不设有所述共振腔调整层。
[0013]优选地,所述共振腔调整层为有机材料。
[0014]优选地,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极。
[0015]优选地,还包括:耦合出光层,位于所述半透半反层上。
[0016]优选地,还包括:反射层,位于所述第一电极下。
[0017]优选地,所述第一电极为全反射电极。
[0018]根据本发明的又一方面,还提供一种显示面板,包括:第一基板;TFT元件,位于所述基板上;上述的OLED元件,位于所述TFT元件上;以及第二基板,位于所述OLED元件上。
[0019]与现有技术相比,本发明将共振腔调整层调整至有机功能层外,并具有如下优势:
[0020]I)共振腔调整层不参与电荷的传输,增加了 OLED元件的发光效率,并且其材料的选择空间较大,降低了 OLED元件的制造成本;
[0021]2)共振腔调整层可以选用有机材料,不需要增加OLED元件的制程工序,相比选用其他材料的共振腔调整层可以极大减少单件产品生产时间(Tact time);
[0022]3)可以减少更多反射层的厚度以解决大视角色偏的问题;
[0023]4)不同的原色具有不同的共振腔调整层的厚度,以此解决现有技术中不同原色发光不均衡的问题。
【附图说明】
[0024]通过参照附图详细描述其示例实施方式,本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
[0025]图1示出了现有技术的、OLED元件的结构示意图。
[0026]图2示出了根据本发明实施例的、OLED元件的结构示意图。
[0027]图3示出了根据本发明一具体实施例的、OLED元件的结构示意图。
[0028]图4示出了根据本发明实施例的、显示面板的结构示意图。
[0029]图5示出了根据本发明实施例的、OLED元件的制造方法的流程图。
[0030]其中,附图标记说明如下:
[0031]100、200、300 OLED 元件
[0032]120、220、220 第一电极
[0033]110、210、310 反射层
[0034]130、230、330 有机功能层
[0035]131、331空穴注入层
[0036]132、332空穴传输层
[0037]133,333发光层
[0038]134、334电子传输层
[0039]140、240、340第二电极
[0040]150、250、350共振腔调整层
[0041]160、260、360半透半反层
[0042]270、370耦合出光层
[0043]400显示面板
[0044]410第一基板
[0045]420TFT 元件
[0046]430第二基板
【具体实施方式】
[0047]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。
[0048]所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而,本领域技术人员应意识到,没有特定细节中的一个或更多,或者采用其它的方法、组元、材料等,也可以实践本发明的技术方案。在某些情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。
[0049]本发明的附图仅用于示意相对位置关系,某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解,附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。本文的各层的上下关系包含直接接触,或非直接接触时上下对应关系。
[0050]参见图2,图2示出了根据本发明实施例的、OLED元件200的结构示意图。OLED元件200包括依次形成的反射层210、第一电极220、有机功能层230、第二电极240、共振腔调整层250以及半透半反层260。共振腔调整层250具有不均一厚度。OLED元件200还可以包括耦合出光层270。耦合出光层270用于增加出光率,减少金属表面的等离子电浆。
[0051]反射层210与半透半反层260之间形成共振腔。在一些变化例中,第一电极220为全反射第一电极,则可省略反射层210,第一电极220与半透半反层260之间形成共振腔。位于第一像素区、第二像素区和第三像素区的有机功能层230的发光层可发出三原色R、G、Bo位于第一像素区、第二像素区和第三像素区的共振腔调整层250具有不同的厚度。优选地,共振腔调整层250的厚度与各像素区对应颜色的波长正相关。具体而言,第一像素区对应红色R,其波长为620-750nm,第二像素区对应绿色G,其波长为495_570nm,第三像素区对应蓝色B、其波长为476-495nm,因此位于红色R的第一像素区的共振腔调整层250的厚度最大,其次是位于绿色G的第二像素区的共振腔调整层250的厚度,最小的是位于蓝色B的第三像素区的共振腔调整250层的厚度。在
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