有机发光二极管的制作方法
【专利说明】有机发光二极管
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2014年5月21日在大韩民国提交的韩国专利申请N0.10-2014-0061125的优先权权益，通过引用将所述韩国专利申请的各方面的全部内容如在本文中完全阐述的那样合并到本文中。
技术领域
[0003]本发明涉及有机发光二极管(OLED)。特别地，本发明涉及能够具有优良的刚度和有效的散热设计的0LED。
【背景技术】
[0004]OLED包括空穴注入电极、有机发光层和电子注入电极，并且OLED通过在经由电极与空穴的结合所生成的激发子从激发态跃迀至基态时所产生的能量来发光。
[0005]根据该原理，OLED具有自发光属性，并且由于OLED不需要光源，所以OLED减少了显示设备的厚度和重量。另外，由于OLED具有例如低功耗、高亮度和高响应速度的高品质，所以OLED被视为下一代显示设备。
[0006]通常，OLED包括具有有机发光层的OLED面板以及支承该OLED面板的后盖。
[0007]由于OLED具有自发光属性，所以在长时间段上对OLED进行操作时，由于内部产生的热量，导致有机发光层劣化。因而，使OLED变质并分解。
[0008]因此，出现了像素之间的亮度偏差，并且导致显示品质的劣化例如残像以及寿命的减少。特别地，劣化问题随着OLED的尺寸增大而变得更显著。
[0009]另外，由于OLED的部件数目少于液晶显示器的部件数目，所以OLED可以具有轻薄的外形，但是OLED与LCD相比刚度较小。
【发明内容】
[0010]因此，本发明涉及一种0LED，该OLED可以具有用于将从OLED产生的热量有效地耗散至外界的散热设计并且在不增加生产成本的情况下提高刚度。
[0011]将在以下描述中阐述本公开内容的另外的特征和优点，并且根据该描述本公开内容的一部分特征和优点将是明显的，或者可以通过对本公开内容的实践来学习。通过在书面描述和权利要求以及附图中具体指出的结构将实现并且获得本公开内容的优点。
[0012]为了实现这些以及其他优点，并且根据本发明的目的，如本文中所实施且广泛描述的，有机发光二极管(OLED)包括:0LED面板；后盖，该后盖支承OLED面板并且包括加固弯曲部分；以及散热构件，该散热构件在OLED面板与后盖之间。
【附图说明】
[0013]被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入说明书且构成说明书的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中:
[0014]图1是示出根据本发明的实施方式的OLED的示意性立体图；
[0015]图2是图1的OLED的示意性剖面图；
[0016]图3A是根据本发明的实施方式的后盖的示意性正视图；
[0017]图3B是根据本发明的实施方式的散热构件的示意性立体图；
[0018]图4A至图4C是示出根据本发明的实施方式的将后盖与散热构件耦接的示例的示意性剖面图；
[0019]图5是示出根据本发明的实施方式的模块化OLED的一部分的示意性剖面图；
[0020]图6A是示出其中发生热台阶的OLED的情况的实验图片；以及
[0021]图6B是示出根据本发明的实施方式的其中未发生热台阶的OLED的情况的实验图片。
【具体实施方式】
[0022]现在将详细地参照实施方式，在附图中示出了实施方式的示例。
[0023]图1是示出根据本发明的实施方式的OLED的示意性立体图，并且图2是图1的OLED的示意性剖面图。
[0024]参照图1和图2，OLED 100包括:用于显示图像的OLED面板110 ?’支承OLED面板110的后盖120 ;对从OLED面板110所产生的热量进行散热的散热构件140 ;以及保护OLED面板110的覆盖窗130。
[0025]出于说明的目的，对于附图中的部件的方向，在假定OLED面板110的显示表面朝前的情况下，后盖120被布置在OLED面板110的后面，并且覆盖窗130被布置在OLED面板110的前面。OLED面板110在其后面与后盖120耦接并且在其前面与覆盖窗130耦接。
[0026]参照图2，OLED面板110包括其上具有驱动薄膜晶体管DTr和发光二极管E的基板101以及用于对基板101进行封装的封装基板102。
[0027]半导体层104形成在像素区域P中并且可以由硅制成，并且该半导体层104包括中心部分处的作为沟道的有源区域104a以及位于有源区域104a的两侧并且高度掺有杂质的源极区域104b和漏极区域104c。
[0028]栅极绝缘层105形成在半导体层104上。
[0029]与有源区域104a相对应的栅电极107以及沿一个方向延伸的栅极线(未示出)形成在栅极绝缘层105上。
[0030]第一层间绝缘层106a整体地形成在栅电极107和栅极线上。第一层间绝缘层106b和栅极绝缘层105包括使源极区域104b和漏极区域104c暴露的第一半导体接触孔109和第二半导体接触孔109。
[0031]彼此隔开的源电极108a和漏电极108b形成在第一层间绝缘层106a上，并且通过第一半导体接触孔109和第二半导体接触孔109与源极区域104b和漏极区域104c接触。
[0032]第二层间绝缘层106b形成在源电极108a和漏电极108b以及第一层间绝缘层106上，并且第二层间绝缘层106b包括使漏电极108b暴露的漏极接触孔112。
[0033]源电极108a和漏电极108b、半导体层104以及半导体层104上的栅极绝缘层105和栅电极形成驱动薄膜晶体管DTr。
[0034]虽然未在附图中示出，但是与栅极线交叉以限定像素区域P的数据线形成在基板101上。连接至驱动薄膜晶体管DTr的开关薄膜晶体管形成在基板101上，并且可以具有与驱动薄膜晶体管DTr基本上相同的结构。
[0035]在该实施方式中，描述了具有使用多晶硅的半导体层104的共面结构的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管DTr。替选地，晶体管可以具有另外的结构，例如使用本征和非本征的无定形娃的底部栅极结构。
[0036]作为发光二极管E的部件的第一电极111形成在每个像素区域P中的第二层间绝缘层106b上，并且通过漏极接触孔112连接至漏电极108b。第一电极111可以是阳极并且由具有相对尚的功函数的材料制成。
[0037]堤部(bank) 119形成在相邻像素区域P的第一电极111之间。
[0038]换言之，利用作为每个像素区域P的边界的堤部119将像素区域P的第一电极111彼此隔开。
[0039]有机发光层113形成在第一电极111上。
[0040]有机发光层113可以具有使用发光材料的单层结构，并且可以具有多层结构以提高发光效率，该多层结构包括空穴注入层、空穴输运层、发光材料层、电子输运层以及电子注入层。
[0041]有机发光层113可以在各个像素区域P中发出红(R)光、绿(G)光和蓝⑶光。例如，有机发光层113可以包括在像素区域P中分别发出红光、绿光和蓝光的红光发光层113a、绿光发光层113b和蓝光发光层113c。
[0042]第二电极115形成在有机发光层113上并且可以为阴极。
[0043]第二电极115可以具有双层结构，该双层结构包括具有相对低的功函数的相对薄淀积的半透明金属层。在该情况下，第二电极115可以包括该半透明金属层上的相对厚淀积的透明传导材料层。
[0044]因此，从有机发光层113发出的光穿过第二电极115，使得OLED面板110在顶部发光类型下操作。
[0045]替选地，第二电极115由不透明金属材料制成，从而从有机发光层113发出的光穿过第一电极111，使得OL