封装料的布设方法、显示面板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种封装料的布设方法、有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]在现有的显示装置中，有机电致发光显示器件(Organic ElectroluminescentDisplay, 0LED)凭借主动发光、响应速度快、亮度高、功耗低、制备工艺简单、成本低、发光效率高以及易形成柔性结构等优点，已经逐渐成为显示领域的主流。
[0003]在现有的OLED中，一般包括:衬底基板、位于衬底基板上的有机电致发光结构以及玻璃盖板；其中，玻璃盖板与衬底基板利用封装料，例如，环氧树脂或玻璃胶等，进行封装。由于环氧树脂对于水蒸气和氧气的阻隔性远低于玻璃盖板的阻隔性，而玻璃胶的阻隔性与玻璃盖板的阻隔性相近，因此，目前一般采用玻璃胶对OLED进行封装。
[0004]现有的玻璃胶的涂布方法一般为丝网印刷，采用该方法涂布的玻璃胶的边缘容易出现锯齿，随着时间的延长，这些锯齿容易使玻璃胶产生微裂纹，并且，采用该方法涂布的玻璃胶的表面形貌较差，即不同区域的玻璃胶的厚度存在较大差异，在后续激光封接的过程中容易使玻璃胶的表面产生气泡，影响OLED的封装效果，此外，采用该方法涂布的玻璃胶的尺寸精度的可控性较差，即玻璃胶的实际宽度大于设计宽度，这不利于OLED的窄边框设计。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供了一种封装料的布设方法、有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置，用以提供一种新的封装料的布设方法。
[0006]因此，本发明实施例提供了一种封装料的布设方法，包括:
[0007]将衬底基板置于磁控溅射装置的腔室中；
[0008]利用所述磁控溅射装置在所述衬底基板的待布设区域沉积封装料。
[0009]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述布设方法中，在所述衬底基板的待布设区域沉积封装料，具体包括:
[0010]采用玻璃材料制成的靶材在所述衬底基板的待布设区域沉积封装料。
[0011 ] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述布设方法中，利用所述磁控溅射装置在所述衬底基板的待布设区域沉积封装料，具体包括:
[0012]将掩膜板置于所述腔室中的靶材与所述衬底基板之间，使所述掩膜板与所述衬底基板相互平行且间隔预设距离；其中，所述掩膜板的镂空区域与所述待布设区域对应；
[0013]对所述腔室进行抽真空处理后，向所述腔室内通入惰性气体；
[0014]在预设功率和预设压强条件下，沉积预设时长。
[0015]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述布设方法中，所述预设距离大于Oym且小于50 μ m。
[0016]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述布设方法中，所述惰性气体为氩气。
[0017]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述布设方法中，所述预设功率为300W?700W,所述预设压强为10 3?10 5Pa,所述预设时长为Omin?30min。
[0018]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述布设方法中，所述玻璃材料内掺入过渡态金属氧化物。
[0019]本发明实施例还提供了一种有机电致发光显示面板的制作方法，包括:
[0020]采用本发明实施例提供的上述布设方法在封装盖板上沉积封装料；
[0021]在阵列基板上形成包括有机电致发光结构的图形；
[0022]将沉积有所述封装料的封装盖板与形成有所述有机电致发光结构的阵列基板通过激光进行贴合封装。
[0023]本发明实施例还提供了一种有机电致发光显示面板，采用本发明实施例提供的上述制作方法制得。
[0024]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括:本发明实施例提供的上述有机电致发光显示面板。
[0025]本发明实施例提供的上述封装料的布设方法、有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置，在该布设方法中，将衬底基板置于磁控溅射装置的腔室中，利用磁控溅射装置在衬底基板的待布设区域沉积封装料，沉积的封装料的边缘整齐，不会出现锯齿，随着时间的延长，可以避免封装料的边缘产生微裂纹而影响封装效果；并且，由于待布设区域沉积封装料的速率一致、时间等长，因此，沉积的封装料的厚度的均匀性良好，这样，在后续激光封接的过程中封装料的表面不会产生气泡，可以保证良好的封装效果；此外，沉积的封装料的尺寸精度的可控性良好，能够保证其实际宽度与设计宽度基本一致。
【附图说明】
[0026]图1和图2分别为本发明实施例提供的封装料的布设方法的流程图；
[0027]图3为本发明实施例提供的封装料的布设方法中衬底基板、掩膜板和靶材的位置关系不意图O
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图，对本发明实施例提供的封装料的布设方法、有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0029]本发明实施例提供的一种封装料的布设方法，如图1所示，包括如下步骤:
[0030]S11、将衬底基板置于磁控溅射装置的腔室中；
[0031]S102、利用磁控溅射装置在衬底基板的待布设区域沉积封装料。
[0032]本发明实施例提供的上述布设方法，由于采用磁控溅射的方法在衬底基板的待布设区域沉积封装料，沉积的封装料的边缘整齐，不会出现锯齿，随着时间的延长，可以避免封装料的边缘产生微裂纹而影响封装效果；并且，由于待布设区域沉积封装料的速率一致、时间等长，因此，沉积的封装料的厚度的均匀性良好，这样，在后续激光封接的过程中封装料的表面不会产生气泡，可以保证良好的封装效果；此外，沉积的封装料的尺寸精度的可控性良好，能够保证其实际宽度与设计宽度基本一致。
[0033]较佳地，在执行本发明实施例提供的上述布设方法中的步骤S102，在衬底基板的待布设区域沉积封装料时，具体可以通过以下方式来实现:
[0034]采用玻璃材料制成的靶材在衬底基板的待布设区域沉积封装料。具体地，利用玻璃材料制作磁控溅射装置中的靶材，采用磁控溅射的方法将玻璃材料沉积到衬底基板的待布设区域，沉积的玻璃材料对于水蒸气和氧气的阻隔性良好，可以保证OLED具有良好的密封性，从而可以避免OLED中的有机电致发光结构不受损坏。
[0035]在具体实施时，在执行本发明实施例提供的上述布设方法中的步骤S102，利用磁控溅射装置在衬底基板的待布设区域沉积封装料，如图2所示，具体可以包括如下步骤:
[0036]S201、将掩膜板置于腔室中的靶材与衬底基板之间，使掩膜板与衬底基板相互平行且间隔预设距离；其中，掩膜板的镂空区域与待布设区域对应；
[0037]具体地，如图3所示，掩膜板I位于靶材2与衬底基板3之间，掩膜板I与衬底基板3相互平行且间隔预设距离，在沉积的过程中，通过掩膜板I中的镂空区域将靶材2中的材料溅射到衬底基板3的待布设区域，形成封装料4的图形；当然，靶材与衬底基板的位置关系并非局限于如图3所示的位置关系，在此不做限定；
[0038]S202、对腔室进行抽真空处理后，向腔室内通入惰性气体；
[0039]S203、在预设功率和预设压强条件下，沉积预设时长。
[0040]较佳地，在本发明实施例提供的上述布设方法中，由于掩膜板与衬底基板之间的预设距离太大会影响封装料布设区域的尺寸精度的可控性，使得沉积的封装料的实际宽度大于设计宽度(即掩膜板的镂空区域的宽度)，因此，一般将掩膜板与衬底基板之间的预设距离控制在大于O μ m且小于50 μ m的范围为佳。
[0041]在具体实施时，在执行本发明实施例提供的上述布设方法中的步骤S202，对腔室进行抽真空处理后，向腔室内通入惰性气体时，具体可以向腔室内通入氩气(Ar)。当然，还可以向腔室内通入不会与封装料发生反应的其他惰性气体，在此不做限定。
[0042]较佳地，在执行本发明实施例提供的上述布设方法中的步骤S203，在预设功率和预设压强条件下，沉积预设时长时，为了保证沉积的封装料具有合适的厚度，一般将预设功率控制在300W?700W范围，