实施方式】
[0007]—种超大面阵内线转移CCD，包括成像区I和多个水平转移区2，所述成像区I由多个按二维形式分布的成像像元组成，成像像元规模大于或等于10000X10000 ;所述多个水平转移区2分布在成像区I的上下两侧，成像区I上侧的水平转移区2数量与成像区I下侧的水平转移区2数量相同，成像区I上对应单个水平转移区2的矩形区域形成一个工作单元；所述成像像元中的第一多晶硅相和第二多晶硅相表面覆盖有第一金属层4，单个工作单元内，位于同一列上的多个成像像元所对应的第一金属层4互相连通，单个工作单元内互相连通的第一金属层4形成第一引线层；其创新在于:
所述水平转移区2通过一过渡区3与成像区I相连，多个水平转移区2分别对应多个过渡区3 ;所述过渡区3由多个按二维阵列形式分布的假像元组成，单个过渡区3内假像元的列数与单个工作单元内的成像像元列数相同；
所述假像元与成像像元的差异在于:假像元内没有设置光敏二极管，假像元上对应成像像元中光敏二极管的位置处由第一金属层4覆盖，假像元表面覆盖有平坦化层6，平坦化层6表面覆盖有第二金属层5 ;单个过渡区3内，位于同一列上的多个假像元所对应的第一金属层4互相连通，位于同一列上的多个假像元所对应的第二金属层5互相连通；单个过渡区3内互相连通的第一金属层4形成第二引线层，单个过渡区3内互相连通的第二金属层5形成第三引线层；
互相对应的工作单元和过渡区3之间，位置对应的第三引线层和第一引线层之间相互连通；
所述工作单元内的成像像元行数为偶数，在奇数行中选取一个成像像元形成A像元，在偶数行中选取一个成像像元形成B像元，相邻的奇数行和偶数行内的A像元和B像元形成一个连接点，单个工作单元内的多个连接点在横向上等间距错位分布；单个连接点所对应的A像元和B像元在横向上错位分布；所述A像元的第一多晶娃相与对应的第一金属层4短接，所述B像元的第二多晶硅相与对应的第一金属层4短接；
所述过渡区3内的假像元行数为偶数，在奇数行中选取一个假像元形成C像元，在偶数行中选取一个假像元形成D像元，C像元所在列数与A像元所在列数相同，D像元所在列数与B像元所在列数相同；所述D像元所对应的第一金属层4和第二金属层5相互短接；所述C像元所对应的第三引线层与第一垂直时钟相连接，所述D像元所对应的第三引线层与第二垂直时钟相连接。
[0008]对于成像区1，其制作工艺和基本结构均与现有技术相同，本发明仅是在其中一些成像像元上设置了如图9、10中Kl和K2所示的连接孔，使他们分别成为了 A像元或B像元。
【主权项】
1.一种超大面阵内线转移CCD，包括成像区(I)和多个水平转移区(2)，所述成像区(I)由多个按二维形式分布的成像像元组成，成像像元规模大于或等于10000X10000 ;所述多个水平转移区(2)分布在成像区(I)的上下两侧，成像区(I)上侧的水平转移区(2)数量与成像区(I)下侧的水平转移区(2)数量相同，成像区(I)上对应单个水平转移区(2)的矩形区域形成一个工作单元；所述成像像元中的第一多晶硅相和第二多晶硅相表面覆盖有第一金属层(4)，单个工作单元内，位于同一列上的多个成像像元所对应的第一金属层(4)互相连通，单个工作单元内互相连通的第一金属层(4)形成第一引线层；其特征在于: 所述水平转移区(2)通过一过渡区(3)与成像区(I)相连，多个水平转移区(2)分别对应多个过渡区(3);所述过渡区(3)由多个按二维阵列形式分布的假像元组成，单个过渡区(3)内假像元的列数与单个工作单元内的成像像元列数相同； 所述假像元与成像像元的差异在于:假像元内没有设置光敏二极管，假像元上对应成像像元中光敏二极管的位置处由第一金属层(4)覆盖，假像元表面覆盖有平坦化层(6)，平坦化层(6)表面覆盖有第二金属层(5);单个过渡区(3)内，位于同一列上的多个假像元所对应的第一金属层(4)互相连通，位于同一列上的多个假像元所对应的第二金属层(5)互相连通；单个过渡区(3)内互相连通的第一金属层(4)形成第二引线层，单个过渡区(3)内互相连通的第二金属层(5)形成第三引线层； 互相对应的工作单元和过渡区(3)之间，位置对应的第三引线层和第一引线层之间相互连通； 所述工作单元内的成像像元行数为偶数，在奇数行中选取一个成像像元形成A像元，在偶数行中选取一个成像像元形成B像元，相邻的奇数行和偶数行内的A像元和B像元形成一个连接点，单个工作单元内的多个连接点在横向上等间距错位分布；单个连接点所对应的A像元和B像元在横向上错位分布；所述A像元的第一多晶娃相与对应的第一金属层(4)短接，所述B像元的第二多晶硅相与对应的第一金属层(4)短接； 所述过渡区(3)内的假像元行数为偶数，在奇数行中选取一个假像元形成C像元，在偶数行中选取一个假像元形成D像元，C像元所在列数与A像元所在列数相同，D像元所在列数与B像元所在列数相同；所述D像元所对应的第一金属层(4)和第二金属层(5)相互短接；所述C像元所对应的第三引线层与第一垂直时钟相连接，所述D像元所对应的第三引线层与第二垂直时钟相连接。
【专利摘要】一种超大面阵内线转移CCD，其创新在于：在水平转移区和成像区之间设置过渡区，过渡区由多个假像元构成，假像元不起成像作用，仅为金属布线提供物理空间；本发明的有益技术效果是：提供了一种新结构的超大面阵内线转移CCD，该器件能够在扩展成像像元规模的同时，保证行频不下降。
【IPC分类】H01L27/146, H01L23/485, H01L27/148
【公开号】CN105140257
【申请号】CN201510645803
【发明人】翁雪涛, 杨洪
【申请人】中国电子科技集团公司第四十四研究所
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年10月9日