100。在图5中，一内连线结构550可设置于基板513与内连线结构511之间。在一些实施例中，内连线结构550可使用与内连线结构519相同或类似的材料。在其他实施例中，内连线结构550的金属线间距可大体上等于内连线结构519的金属线间距。内连线结构550的金属线间距呈扇形分散(fan out)，以对应于内连线结构511的金属线间距。在又另一实施例中，内连线结构550的金属线间距可大于内连线结构519的金属线间距，且小于内连线结构511的金属线间距。
[0079]在一些实施例中，内连线结构519可延伸超出模封化合物材料517的范围，如图3的内连线结构319。模封化合物材料517可包括如图3中的硅穿孔结构315c。在其他实施例中，也可延伸内连线结构550，以使相邻于模封化合物材料517的内连线结构550边缘可大体上对准于内连线结构519的边缘。
[0080]图6A-图6E为一系列剖面图，用以描述形成多个中介层的方法。图6A-图6E中的元件(items)与图1相同的，则使用与图1相同的附图标记，再加上500。在图6A中，形成多个中介层的方法可包括沉积多个基板613于载板650 (例如，玻璃基板)之上。基板613可各自被缝隙(spaces) 660所隔开。在一些实施例中，基板613可被粘合至位于载板650之上的一粘着层655。粘着层655可包括一材料，例如热固性树脂，以帮助载板650与基板613之间的连接。
[0081]在一些实施例中，每一基板613可包括多个硅穿孔结构(图中未标示)。在其他实施例中，多个内连线结构619可各自设置于对应的基板613与载板650之间。在设置于载板650上之前，可先形成内连线结构619与娃穿孔结构。在一些实施例中，内连线结构619与娃穿孔结构可由下述的一种工艺形成，包括沉积工艺、光刻工艺(photolithographicprocess)、蚀刻工艺、化学机械研磨工艺(chemical mechanical polish, CMP processes)、清洁工艺、其他半导体工艺或上述工艺的任意组合。
[0082]请参见图6B，模封化合物材料617可形成于缝隙660之中。在一些实施例中，通过形成模封化合物材料617，使得模封化合物材料617的表面(图中未标不)可与基板613的表面等高。在其他实施例中，模封化合物材料617可覆盖于基板613之上。
[0083]在一些实施例中，可通过任何适合的设备或方法，使液态或粘稠的(viscous)模封化合物涂布于缝隙660与基板613上。移除位于基板613之上的液态或粘稠的(viscous)模封化合物，可使得模封化合物材料617形成于缝隙660中。在又另一实施例中，移除一部分的模封化合物之后，可通过合适的热固化技术，将液态或粘稠的(viscous)模封化合物固化及/或硬化。
[0084]请参见图6C，多个内连线结构611与凸块635形成于基板613之上。每一个内连线结构611可形成于对应的基板613上。凸块635可通过内连线结构611与基板613的硅穿孔结构电性耦合。内连线结构611可由下述的一种工艺形成，包括沉积工艺、光刻工艺(photolithographic process)、蚀刻工艺、化学机械研磨工艺(chemical mechanicalpolish, CMP processes)、清洁工艺、其他半导体工艺或上述工艺的任意组合。
[0085]在一些实施例中，可形成多个接合焊盘(图中未标示)于内连线结构611与凸块635之间。在其他实施例中，为了形成化镍浸金(electroless nickel immers1ngold, ENIG)或化学锡(Immers1n tin, Im-Sn)材料，接合焊盘可视需要地进行一化镍浸金工艺(ENIG process)或化学锡工艺(Im_Sn process)。化镍浸金(ENIG)或化学锡(Im_Sn)可作为介于接合焊盘与凸块635之间的接合界面(bonding interface)。
[0086]请参见图6D，可移除基板613的载板650(显示于图6C中)。在一些实施例中，移除载板可包括移除介于基板613与载板650之间的粘着层655。移除粘着层655可包括热处理工艺(thermal process)、湿式蚀刻工艺(wet etch process)、干式蚀刻工艺(dry etchprocess)、其他适合用于移除粘着层655的工艺或上述工艺的任意组合。
[0087]请参见图6E，为了分割中介层610，对显示于图6D的结构进行切割工艺(dicingprocess) 0在一些实施例中，切割工艺可包括刀片切割工艺(blade sawing process)及/或激光切割工艺(laser sawing process)。可沿着形成于缝隙660中(如图6A所示)的模封化合物材料617部分进行切割工艺。在切割工艺之后，所形成的模封化合物材料617围绕每一个基板613。
[0088]在一些实施例中，至少一集成电路(图中未标示)可设置于每一个中介层610之上，以形成上述图1-图5所示的封装系统。须注意的是，上述图6A-图6E中的中介层的数目仅为示范使用，在一些实施例中，也可形成更多的中介层610。须注意的是，为了各自形成上述图2-图5中中介层210-510，可加以变更(modify)图6A-图6E所述的形成方法。
[0089]图7为一设置于基板之上的示范封装系统的示意图。在图7中，系统700可包括一封装系统702设置于一基板701之上。基板701可包括印刷电路板(printed circuitboard, PCB)、印刷线路板(printed wiring board)及/或其他适合承载封装系统的载板。封装系统702可分别类似于上述图1-图5所述的封装系统100-500。封装系统702可与基板701电性耦合。在一些实施例中，封装系统702通过凸块705与基板701电性耦合及/或热耦合。系统700可为电子系统的一部分，其中电子系统例如显示器(display)、控制板(panel)、照明系统(lighting systems)、电动车(auto vehicles)、娱乐装置(entertainment devices)或类似的元件。在一些实施例中，系统700可包括封装系统702，此封装系统702可在一个集成电路中提供整个系统，称为系统整合芯片(system on achip, S0C)或系统整合集成电路(system on integrated circuit device, S0IC) 0
[0090]虽然本发明已以多个较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种封装系统，包括: 一第一中介层，其中该第一中介层包括: 一第一内连线结构； 一第一基板，设置于该第一内连线结构之上，其中该第一基板包括至少一第一硅穿孔结构形成于其中；以及 一模封化合物材料，设置于该第一内连线结构之上且围绕该第一基板； 一第二中介层，设置于该第一中介层之上；以及 一第一集成电路，设置于该第二中介层之上； 其中该第二中介层包括多个第三内连线结构以及设置于所述多个第三内连线结构之间的一第三基板，其中该第三基板的热膨胀系数等于该第一基板的热膨胀系数，且其中该第一集成电路通过该第二中介层的所述多个第三内连线结构与该第一硅穿孔结构电性耦入口 Ο2.根据权利要求1所述的封装系统，其中该第一集成电路包括一第二基板，且该第二基板的热膨胀系数等于该第一基板的热膨胀系数。3.根据权利要求1所述的封装系统，还包括: 一第二内连线结构，设置于该第一基板与该第一集成电路之间。4.根据权利要求3所述的封装系统，其中该第一内连线的尺寸大于该第二内连线的尺寸。5.根据权利要求3所述的封装系统，其中该模封化合物材料还包括: 至少一第二硅穿孔结构，设置于该第一基板之外且被该模封化合物材料所包围，其中一部分该第二内连线结构延伸到至少一部分该模封化合物材料之上且与该第二硅穿孔结构电性耦合。6.根据权利要求3所述的封装系统，其中该第一内连线结构具有一第一金属线间距，且该第二内连线结构具有小于该第一金属线间距的一第二金属线间距。7.根据权利要求1所述的封装系统，其中该第一中介层还包括: 一模封化合物层介于该第一内连线结构与该第一基板之间，其中该第一硅穿孔结构穿过该模封化合物层。8.根据权利要求1所述的封装系统，其中该模封化合物材料的底表面与该第一硅穿孔结构的底表面切齐。9.根据权利要求1所述的封装系统，还包括: 一第二集成电路，设置于该第一中介层之上，其中该第二集成电路与该第一硅穿孔结构电性耦合，且该第二集成电路包括一第四基板，其中该第四基板的热膨胀系数等于该第一基板的热膨胀系数。10.根据权利要求1所述的封装系统，其中该第二中介层包括至少一第三硅穿孔结构，且通过该第二中介层的该第三硅穿孔结构电性耦合该第一集成电路与该第一硅穿孔结构。
【专利摘要】本发明提供一种封装系统，此封装系统包括：一第一中介层，其中第一中介层包括：一第一内连线结构；一第一基板，设置于第一内连线结构之上，其中第一基板包括至少一第一硅穿孔结构形成于其中；以及一模封化合物材料，设置于第一内连线结构之上且围绕第一基板；一第二中介层，设置于第一中介层之上；以及一第一集成电路，设置于第二中介层之上；其中第二中介层包括多个第三内连线结构以及设置于多个第三内连线结构之间的一第三基板，其中第三基板的热膨胀系数等于第一基板的热膨胀系数，且其中第一集成电路通过第二中介层的多个第三内连线结构与第一硅穿孔结构电性耦合。本发明可解决由有机基板与晶粒裸片基板之间热膨胀系数不匹配所造成的问题。
【IPC分类】H01L25/00, H01L23/52
【公开号】CN105280604
【申请号】CN201510663122
【发明人】吴伟诚, 侯上勇, 郑心圃, 余振华
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2010年12月6日
【公告号】CN102263090A, US9048233, US20110291288, US20150235873