导电支架120与发光晶片110之间的良好对位。
[0066]从图1与图5A可看出，发光二极管单元112具有四个，形成(2x 2)阵列排列。内连接线路122a可搭配第一接点112a与第二接点112b，使同一行的两个发光二极管单元112彼此串联，而形成两个发光二极管单元组112G。接着，外连接线路122b可使两个发光二极管单元组112G之间彼此并联，亦即，在图5A的实施例中，是以2串联、2并联式的电性连接方式来电性连接发光二极管单元112。相同的串联、并联方式已经于图3进行说明。
[0067]图5B为本发明较佳实施例的另一种导电支架的俯视示意图。请同时参照图2与图5B，发光二极管单元112可具有(η X m)个、且以(n x m)阵列排列于发光晶片110上，n、m为大于1的自然数，η等于或不等于m。在此实施例中，η = 2且m = 2。
[0068]可注意到，如图5B所示，藉由电连接线路122使上述2行中、每一行的2个发光二极管单元112彼此串联成一发光二极管单元组，而成为2个发光二极管单元组，且所述2个发光二极管单元组之间彼此串联。也就是说，在图5B的实施例中，所有的发光二极管单元112可藉由电连接线路122进行全串联式的电性连接。
[0069]另外，电连接线路122也可设计为惠斯同电桥(未显示)，使多个发光二极管单元112彼此电性连接。在此并不限制电连接线路122的设计形态，只要符合所需的预定电压或电流来设计电性连接方式即可。
[0070]综上所述，发光二极管结构100将电连接线路制作在外部的导电支架上，利用外部的电连接线路来串联、并联发光晶片上的多个发光二极管单元。因此，能够简化发光晶片的制程、解决发光二极管结构的漏电问题、且能够根据客户所需要的预定电压或电流来事先进行电连接线路的设计，可达到十分良好的产品相容性。
[0071]发光二极管结构的制造方法
[0072]图6为本发明较佳实施例的一种发光二极管结构的制造方法的步骤流程图。请参照图6，发光二极管结构的制造方法200包括步骤S210?S230，并请同时参照图1?图5来理解发光二极管结构的制造方法200。
[0073]在步骤S210中，提供一发光晶片110，发光晶片110上形成有多个发光二极管单元112。在一实施例中，发光晶片110例如是在非半导体基板S上先形成绝缘单元114隔出多个区域后，再于各个区域利用薄膜沈积制程、微影制程等来形成发光二极管单元112。每一发光二极管单元112可具有:第一接点112a、第二接点112b、第一型掺杂半导体层112c (例如η型掺杂半导体层)、第二型掺杂半导体层112d(例如P型掺杂半导体层)、发光层112e。
[0074]在步骤S220中，提供一导电支架120，导电支架120具有一电连接线路122、与电性连接到电连接线路122的至少一对电极124a、124b。在一实施例中，可提供一基板，再利用薄膜沈积制程与微影蚀刻制程在该基板上形成电连接线路122与一对电极124a、124b，而完成导电支架120的制作。
[0075]在步骤S230中，结合发光晶片110与导电支架120，其中，发光二极管单元112对向于电连接线路122，且发光二极管单元112经由电连接线路122而彼此电性连接。再上述结合发光晶片110与导电支架120的过程中，可利用导电元件130(如银胶、导电凸块、异方性导电胶等)来确保得到良好的电性连接。
[0076]上述的步骤S210、S220可以互换顺序，只要最后进行步骤S230来结合发光晶片110与导电支架120即可。至于发光晶片110与导电支架120的各种实施形态已经说明如上，在此即不予以重述。
[0077]综上所述，本发明的发光二极管结构及其制造方法至少具有以下优点:
[0078]将电连接线路制作在外部的导电支架上，利用外部的电连接线路来串联、并联发光晶片上的多个发光二极管单元。因此，在发光晶片的制程中无需同时制作电连接线路，而能够简化发光晶片的制程。并且，在外部制作的电连接线路不易有断线的现象，可有效地解决发光二极管结构的漏电问题。再者，能够根据客户所需要的预定电压或电流来事先进行电连接线路的设计，可使发光晶片结合所需的导电支架而得到所需的预定电压或电流，能够达到十分良好的产品相容性。
[0079]虽然本发明已以实施例揭示如上，但其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应以权利要求所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括: 导电支架，具有电连接线路； 发光芯片，具有至少一个发光二极管单元，其中该发光芯片以下表面对向于该电连接线路而设置于该导电支架上，且该发光二极管单元与该电连接线路电性连接；以及 突起，设置于该发光芯片与该导电支架之间，其中该突起抵接该发光芯片的该下表面。2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电支架还具有与该发光芯片的该下表面相对的上表面，其中该突起连接该上表面，且该电连接线路位于该上表面上。3.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，该突起在该上表面上定义出至少一凹陷区域。4.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光芯片还具有位于该下表面上的沟渠，在该发光芯片以该下表面对向于该上表面而设置于该导电支架上时，该沟渠与该突起相配合。5.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管单元的数量为多个，该沟渠区隔该些发光二极管单元。6.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电支架还具有至少一对电极，该电连接线路包括内连接线路以及外连接线路，该外连接线路设置于该内连接线路的外侧，用以电性连接该内连接线路与该对电极。7.根据权利要求6所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管单元的数量为多个，该内连接线路对应于该些发光二极管单元而设置，藉由该内连接线路使该些发光二极管单元彼此电性连接。8.根据权利要求6所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管单元包括第一接点以及第二接点，分别位于该下表面上，并与该内连接线路电性连接。9.一种发光二极管结构，其特征在于，包括: 导电支架，具有电连接线路； 至少一个发光二极管单元，其中该发光二极管单元以下表面对向于该电连接线路而设置于该导电支架上，并与该电连接线路电性连接；以及 突起，设置于该发光二极管单元与该导电支架之间，其中该突起抵接该发光二极管单元的该下表面。10.根据权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电支架还具有与该发光二极管单元的该下表面相对的上表面，其中该突起连接该上表面，且该电连接线路位于该上表面上。
【专利摘要】本发明涉及一种发光二极管结构，其中，该发光二极管结构包括：发光晶片以及导电支架。发光晶片具有多个发光二极管单元。导电支架具有电连接线路、与电性连接到电连接线路的至少一对电极，其中，发光二极管单元对向于电连接线路，且发光二极管单元经由电连接线路而彼此电性连接。多个发光二极管单元之间的电路连接关系可藉由外部的电连接线路而达成，能简化制程并提升良率。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/62, H01L25/075
【公开号】CN105280629
【申请号】CN201510588755
【发明人】蔡胜杰, 苏柏仁, 孙圣渊
【申请人】新世纪光电股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2011年10月8日
【公告号】CN102969307A, CN102969307B