r>[0028]图4A-1至图4F-2分别是沿图3A至图3F的C_C线以及D_D线的剖面示意图。
[0029]10、110:核心层12、112:主体层
[0030]14、114:末端部16、116:第一辅助层
[0031]18、118:第二辅助层20、120:第一间隙壁
[0032]22、122:第二间隙壁24、124:第三间隙壁
[0033]25、125:孤岛26:第一凸出部
[0034]28:第一预定区28a、128a:底部区
[0035]28b、128b:延伸区29、129:预定区
[0036]30、130:第一线路32、132:第二线路
[0037]34、134:第三线路36、136:第四线路
[0038]38、138:焊垫118a:第一延伸部
[0039]118b:第二延伸部126、126a、126b:第一凸出部
[0040]127、127a、127b:第二凸出部 128:第二预定区
[0041]D1:第一方向D2:第二方向
[0042]L1 ?Lll、L14 ?L19:长度 W1:宽度
[0043]Pla ?P2a、P23、P3、P4a ?P5a、Plb ?P2b、P4b ?P5b:间隔距离
【具体实施方式】
[0044]为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的线路布局及其间隙壁自对准四重图案化的方法其【具体实施方式】、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
[0045]图1A至图1G是依照本发明的第一实施例所绘示的线路布局方法的流程的俯视示意图。图2A-1至图2F-2分别是沿图1A至图1F的A-A线以及B-B线的剖面示意图。图3A至图3G是依照本发明的第二实施例所绘示的线路布局方法的流程的俯视示意图。图4A-1至图4F-2分别是沿图3A至图3F的C-C线以及D-D线的剖面示意图。
[0046]本发明第一实施例以及第二实施例是采用间隙壁自对准四重图案化的方法来形成线路布局。
[0047]请同时参阅图1A及图2A-1、图2A-2所示，首先形成核心层10。在一实施例中，核心层10的形成方法可以是先形成核心材料层(未绘示)，然后经过光阻削薄(photoresisttrimming)而形成。核心层10包括:主体层12、第一辅助层16、以及两个第二辅助层18。主体层12包括沿着第一方向D1延伸的末端部14。第一辅助层16与主体层12的末端部14连接。两个第二辅助层18与第一辅助层16的两侧连接，且沿着第二方向D2延伸。第一方向D1例如是Y方向；第二方向D2例如是X方向。主体层12的宽度W1例如是40nm?50nm。主体层12的末端部14在第一方向D1上的长度L1例如是lOOnm?3000nm。第一辅助层16在第一方向D1上的长度L2大于主体层12的宽度W1，例如是150nm?400nm，在第二方向D2上的长度L3大于主体层12的宽度W1，例如是lOOnm?500nm。第二辅助层18在第一方向D1上的长度L4例如是30nm?60nm，在第二方向D2上的长度L5例如是lOOnm?500nm。第一辅助层16以及第二辅助层18在第二方向D2上的长度也不限于以上列举的范围，其可以根据所欲形成的线路间隔距离而自由调整。核心层10的材料例如是正型光阻、负型光阻或其他可以经由图案化工艺而形成图案的任何材料。核心层10例如是先形成核心材料层(未绘示)，并对核心材料层进行图案化工艺而形成。图案化工艺可以是先利用黄光、极紫外光、ArF准分子激光、KrF准分子激光等，对所形成的核心材料层进行曝光，之后进行显影。
[0048]请同时参阅图1B及图2B-1、图2B-2所示，接着，在核心层10的侧壁形成第一间隙壁20。第一间隙壁20的材料例如是二氧化硅、氮化硅或其组合。第一间隙壁20的宽度例如是15nm?30nm。第一间隙壁20例如是先形成间隙壁材料层(未绘示)，之后利用非等向蚀刻工艺。
[0049]请同时参阅图1C及图2C-1、图2C-2所示，之后移除核心层10。移除核心层10的方法可以是进行干式剥除工艺、干式蚀刻工艺、湿式剥除工艺或湿式蚀刻工艺。
[0050]请同时参阅图1D及图2D-1、图2D-2所示，在第一间隙壁20的侧壁形成第二间隙壁22与第三间隙壁24。第二间隙壁22与第三间隙壁24分别为一个回路。第二间隙壁22位于第三间隙壁24之中，并且具有对应于第二辅助层18(图1A)的两个第一凸出部26。第二间隙壁22以及第三间隙壁24两者的材料可以与第一间隙壁20的材料不同。第二间隙壁22以及第三间隙壁24的材料包括二氧化硅、氮化硅或其组合。第二间隙壁22与第三间隙壁24的宽度分别例如是15nm?30nm。第一间隙壁20、第二间隙壁22、以及第三间隙壁24的宽度彼此之间可以相同也可以不同。在一实施例中，第二间隙壁22的2倍宽度大于等于第二辅助层18在第一方向Dl的长度L4。借此可以确保第一凸出部26之中不会存在空隙。第二间隙壁22以及第三间隙壁24的形成方法可以与形成第一间隙壁20的方法相同。
[0051]请同时参阅图1E及图2E-1、图2E-2所示，之后进行蚀刻工艺，以移除第一间隙壁20。当第一间隙壁20的材料与第二间隙壁22以及第三间隙壁24的材料不同时，可以直接通过材料之间的蚀刻速率差异，来进行非等向性蚀刻工艺。
[0052]请同时参阅图1E及图2E-1、图2E-2所示，接着将第一预定区28以及第二预定区29中的部分第二间隙壁22、部分第三间隙壁24、以及部分第一凸出部26移除，以切断第二间隙壁22回路的两个末端以及第三间隙壁24回路的两个末端。具体地来说，进行蚀刻工艺，以移除第一预定区28中的第二间隙壁22、第三间隙壁24以及第一凸出部26、以及第二预定区29中的第二间隙壁22以及第三间隙壁24。
[0053]第一预定区28例如是U型，其对应于第二间隙壁22以及第三间隙壁24回路的第一个末端以及部分第一凸出部26。更具体地说，第一预定区28包括底部区28a与延伸区28bο底部区28a在第二方向D2上延伸；延伸区28b在第一方向Dl上延伸。第一预定区28的底部区28a需要完全覆盖对应于第一辅助层16 (图1B)底部的第二间隙壁22及其周围的部分第三间隙壁24，以确保所形成的线路之间具有足够的间隔距离。第一预定区28的延伸区28b涵盖对应于第一辅助层16(图1B)底部与下侧壁的部分第二间隙壁22及其周围的部分第三间隙壁24、以及部分第一凸出部26。值得注意的是，第一预定区28的延伸区28b在第一方向Dl上必须跨越过第一凸出部26，以确保第一凸出部26可以断开，从而避免起因在后续的焊垫工艺的误差所导致的线路间的短路。第一预定区28只要满足上述的条件，则其尺寸可以根据需要而任意调整。第一预定区28的底部区28a在第一方向Dl上的长度L6例如是75nm?200nm，在第二方向D2上的长度L7例如是300nm?1500nm。第一预定区28的延伸区28b在第一方向Dl上的长度L8例如是130nm?500nm，在第二方向D2上的长度L9例如是50nm?450nm。第二预定区29对应于第二间隙壁22以及第三间隙壁24回路的第二个末端，其尺寸只要能够使线路之间彼此确实分开，则并无特别限制。第二预定区29在第一方向Dl上的长度LlO例如是150nm?300nm，在第二方向D2上的长度Lll例如是10nm?150nm。
[0054]请同时参阅图1F及图2F-1、图2F-2所示，经由上述移除步骤之后，再进行图案转移，以形成第一线路30、第二线路32、第三线路34以及第四线路36。依据移除区28的延伸区28b的位置或在第二方向D2上的长度L9的调整，经由上述移除步骤与图案转移之后，除形成第一线路30至第四线路36之外，可以还包括第一凸出部26a或/以及孤岛25。形成的第一线路30的末段的端点与所形成的第二线路32的末段的端点在第二方向D2上的间隔距离Pla、以及所形成的第三线路34的末段的端点与所形成的第四线路36的末段的端点在第二方向D2上的间隔距离P2a大于等于第一间隙壁20的宽度与第三间隙壁24的宽度的总和。第一线路30至第四线路36的材料包括金属或是金属合金，例如是铜或铜镍合金。
[0055]请参阅图1G所示，进一步形成分别与第一线路30至第四线路36连接的多个焊垫38。焊垫38的材料包括金属或是金属合金，例如是铜或铜镍合金。焊垫38例如是先借由化学气相沉积法或物理气相沉积法形成焊垫材料层(未绘示)，再利用微影与蚀刻工艺来形成。
[0056]请同时参阅图1F、图2F-1、图2F-2以及图1G所示，本发明的第一实施例的线路布局包括第一线路3