域112以形成金属硅化物112a，如参照图5如上详细所述。
[0055]尽管已经在此图示和说明了本发明的某些特征，现在对于本领域技术人员可以出现许多修改、替换、改变和等价。因此应该理解的是所附权利要求意在覆盖落入本发明精神内的所有这些修改和改变。
【主权项】
1.一种方法，包括: 形成晶体管的第一集合的外延源极/漏极区域的第一集合； 在所述外延源极/漏极区域的第一集合的顶部上形成牺牲外延层； 形成晶体管的第二集合的外延源极/漏极区域的第二集合；以及在硅化工艺中将所述外延源极/漏极区域的第二集合的至少顶部部分转换为金属硅化物，以及将所述牺牲外延层转换为牺牲硅化物层， 其中在所述牺牲外延层下方的所述外延源极/漏极区域的第一集合并未受到所述硅化工艺影响。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述外延源极/漏极区域的第二集合的至少顶部部分转换为所述金属硅化物包括: 在所述外延源极/漏极区域的第二集合的顶部上和在所述牺牲外延层的顶部上沉积金属元素的层；以及 使得所述金属元素的层与所述外延源极/漏极区域的第二集合反应并且与所述牺牲外延层反应，由此分别形成所述金属硅化物和所述牺牲硅化物层。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶体管的第二集合是η型晶体管，以及沉积所述金属元素的层包括沉积金属性材料的层，所述金属性材料选自由Er、Yb、Tb和Ti构成的组。4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，执行离子注入至所述金属硅化物中，而所述牺牲硅化物层防止所述外延源极/漏极区域的第一集合受到所述离子注入的影响，所述离子注入使得所述金属硅化物的接触电阻减小。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在将所述外延源极/漏极区域的第二集合的至少顶部部分转换为所述金属硅化物之前，执行离子注入至所述外延源极/漏极区域的第二集合中，而所述牺牲外延层覆盖所述外延源极/漏极区域的第一集合使其免受所述离子注入。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属硅化物是第二金属硅化物，进一步包括: 移除所述牺牲硅化物层以暴露所述晶体管的第一集合的所述外延源极/漏极区域的第一集合的顶表面；以及 将所述外延源极/漏极区域的第一集合的至少顶部部分转换为第一金属硅化物。7.根据权利要求6所述的方法，其中，移除所述牺牲硅化物层进一步包括应用选择性刻蚀工艺以移除所述牺牲硅化物层而并未影响所述第二金属硅化物并且并未影响在所述牺牲硅化物层下方的所述外延源极/漏极区域的第一集合。8.根据权利要求6所述的方法，其中，将所述外延源极/漏极区域的第一集合的至少顶部部分转换为所述第一金属硅化物包括: 在所述外延源极/漏极区域的第一集合的顶部上并且在所述第二金属硅化物的顶部上沉积金属元素的层；以及 使得所述金属元素的层与所述外延源极/漏极区域的第一集合反应以形成所述第一金属硅化物，而所述第二金属硅化物保持基本上未受所述金属元素的层的影响。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述晶体管的第一集合是P型晶体管，以及沉积所述金属元素的层包括沉积金属性材料的层，所述金属性材料选自由N1、Pt、Pd和Lr构成的组。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一外延源极/漏极区域和所述第二外延源极/漏极区域是外延硅区域，并且形成所述牺牲外延层包括直接在所述第一外延源极/漏极区域的顶部上外延生长锗(Ge)层。11.一种方法，包括: 形成对应于晶体管的第一集合的外延区域的第一集合； 形成对应于晶体管的第二集合的外延区域的第二集合； 在所述外延区域的第二集合的顶部上形成牺牲外延层； 在第一硅化工艺中将所述外延区域的第一集合的至少顶部部分转换为第一金属硅化物并且将所述牺牲外延层转换为牺牲硅化物层； 选择性地移除所述牺牲硅化物层而并未影响所述第一金属硅化物，以暴露下方的所述外延区域的第二集合；以及 将所述外延区域的第二集合的至少顶部部分转换为第二金属硅化物。12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述牺牲外延层包括在所述外延区域的第二集合的顶部上外延生长锗层。13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括: 其中，选择性地移除所述牺牲硅化物层包括将所述第一金属硅化物和所述牺牲硅化物层均暴露至刻蚀工艺，其中所述刻蚀工艺选择性地移除所述牺牲硅化物层而并未明显影响所述第一金属硅化物。14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括，在所述外延层的第二集合的顶部上形成所述牺牲外延层之后并且将所述外延区域的第一集合的至少顶部部分转换为所述第一金属硅化物之前，执行离子注入至所述外延区域的第一集合中，而所述牺牲外延层保护所述外延区域的第二集合免受所述离子注入。15.根据权利要求11所述的方法，其中，将所述外延区域的第一集合的所述至少顶部部分转换为所述第一金属硅化物包括: 在所述外延区域的第一集合的顶部上并且在所述牺牲外延层的顶部上沉积金属元素的第一层；以及 使得所述金属元素的第一层与所述外延区域的第一集合反应并且与所述牺牲外延层反应，以分别形成所述第一金属硅化物和所述牺牲硅化物层。16.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述外延区域的第二集合的所述至少顶部部分转换为所述第二金属硅化物包括: 在暴露的所述外延区域的第二集合的顶部上并且在所述牺牲外延层的顶部上沉积金属元素的第二层；以及 使得所述金属元素的第二层与所述外延区域的第二集合反应以形成所述第二金属硅化物，而所述第一金属硅化物保持基本上不受影响。17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述外延区域的第一集合和所述外延区域的第二集合分别是所述晶体管的第一集合和所述晶体管的第二集合的源极/漏极区域，其中所述晶体管的第一集合是P型晶体管并且所述晶体管的第二集合是η型晶体管。18.一种方法，包括: 在半导体衬底的第一区域中形成第一外延区域； 在所述第一外延区域的顶部上形成牺牲外延层； 在所述半导体衬底的第二区域中形成第二外延区域； 在所述第二外延区域的顶部上并且在所述牺牲外延层的顶部上沉积第一金属元素的层，并且随后使得所述第二外延区域和所述牺牲外延层分别形成第二金属硅化物和牺牲硅化物层； 对于所述第二金属硅化物选择性地移除所述牺牲硅化物层，由此暴露下方的所述第一外延区域；以及 在暴露的所述第一外延区域的顶部上并且在所述牺牲硅化物层的顶部上沉积第二金属元素的层，并且随后使得暴露的所述第一外延区域形成第一金属硅化物。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二金属硅化物保持基本上不受影响，而使得暴露的所述第一外延层形成所述第一金属硅化物。20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括，在使得所述第二外延区域形成所述第二金属硅化物之前执行离子注入至所述第二外延区域中，或者在使得所述第二外延区域形成所述第二金属硅化物之后执行离子注入至所述第二金属硅化物中。
【专利摘要】一种形成晶体管的硅化物接触的方法包括形成晶体管的第一集合的外延源极/漏极区域的第一集合；在外延源极/漏极区域的第一集合的顶部上形成牺牲外延层；形成晶体管的第二集合的外延源极/漏极区域的第二集合；在硅化工艺中将外延源极/漏极区域的第二集合的顶部部分转换为金属硅化物并且将牺牲外延层转换为牺牲硅化物层，其中在牺牲外延层下方的外延源极/漏极区域的第一集合并未受硅化工艺影响；选择性地移除牺牲硅化物层；以及将外延源极/漏极区域的第一集合的顶部部分转换为另一金属硅化物。
【IPC分类】H01L21/8238
【公开号】CN105518849
【申请号】CN201480047361
【发明人】P·阿杜苏米利, E·阿尔普特金, 程慷果, S·波诺斯, B·普拉纳萨蒂哈兰
【申请人】国际商业机器公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年8月20日
【公告号】US8999799, US20150064863, WO2015027843A1