半导体装置及其制造方法
【技术领域】
[0001 ]本说明书所记载的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]半导体装置之中，有的很容易受到外部磁场的影响。这样的受到磁场影响的半导体装置，通过磁屏蔽件来降低外部磁场的影响，由此可以良好地工作。作为半导体装置所使用的磁屏蔽件，已知例如通过使树脂中含有磁导率高的材料作为填料的电磁波吸收模型树月旨，来覆盖半导体芯片的上表面和侧面，由此降低外部磁场对于半导体装置的影响。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献1:日本特开2005-217221号
【发明内容】
[0005]本说明书所记载的实施方式提供一种磁屏蔽效果更高的半导体装置及其制造方法。
[0006]实施方式涉及的半导体装置具备:形成有第I接触部的基板、和在基板上以避开第I接触部的方式设置并使用了磁性体的下部屏蔽板。另外，半导体装置具备:在下部屏蔽板上设置并具有与第I接触部电连接的第2接触部的半导体芯片、和将第I接触部与第2接触部电连接的连接件。此外，半导体装置具备:在半导体芯片上以避开第2接触部和连接件的方式设置并使用了磁性体的上部屏蔽板。下部屏蔽板和上部屏蔽板的至少一方的屏蔽板，具有端部向另一方的屏蔽板弯折且前端与另一方的屏蔽板连接的侧壁部。
【附图说明】
[0007]图1是第I实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。
[0008]图2是该半导体装置的概略侧面图。
[0009]图3是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0010]图4是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0011 ]图5是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0012]图6是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0013]图7是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0014]图8是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0015]图9是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0016]图10是表示第2实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。
[0017]图11是该半导体装置的概略侧面图。
[0018]图12是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0019]图13是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0020]图14是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。[0021 ]图15是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0022]图16是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0023]图17是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0024]图18是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0025]图19是第3实施方式涉及的半导体装置的概略侧面图。
[0026]图20是该半导体装置的概略侧面图。
[0027]图21是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0028]图22是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0029]图23是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0030]图24是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0031 ]图25是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0032]图26是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。
[0033]图27是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。
[0034]图28是其他实施方式涉及的半导体装置的概略侧面图。
【具体实施方式】
[0035]以下，参照附图对半导体存储装置的实施方式进行说明。
[0036][第I实施方式涉及的半导体装置的结构]
[0037]首先，参照图1和图2，对第I实施方式涉及的半导体装置的结构进行说明。图1是第I实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图，图2(a)是图1的1-V切断截面图，图2(b)是图1的I1-1V切断截面图。
[0038]如图1和图2所示，本实施方式涉及的半导体装置具备:基板1、在该基板I之上隔着具有绝缘性的第I粘结材料2贴附的下部屏蔽板3、在该下部屏蔽板3之上隔着具有绝缘性的第2粘结材料4搭载的半导体芯片5、覆盖该半导体芯片5的上表面和部分侧面的第I绝缘性树脂6、以及设置在该第I绝缘性树脂6的上表面的上部屏蔽板7。下部屏蔽板3中设置有沿层叠方向延伸的侧壁部32，该侧壁部32与上部屏蔽板7的下表面抵接。另外，该结构被第2绝缘性树脂9填埋。再者，在图1中，为了说明，将第2绝缘性树脂9省略图示。
[0039]在本实施方式中，基板I使用陶瓷、树脂、表面被氧化了的硅(Si)等的绝缘材料。在基板I的表面，形成有未图示的配线和与该配线连接的接触部11(第I接触部)。配线和接触部11是使用铜等的金属并采用印刷、蒸镀等方法形成的。接触部11利用与半导体芯片5的接合用垫，沿着下部屏蔽板3的两侧面在下部屏蔽板3的延伸方向(以下称为“第I方向”)以预定的节距排列。
[0040]下部屏蔽板3在下表面贴附有第I粘结材料2，形成为以第I方向为长度方向的长方形，第I方向的长度形成得比半导体芯片5的第I方向的长度要长。另外，下部屏蔽板3的与第I方向正交的方向(以下称为“第2方向”)的宽度比接触部11彼此的间隔窄，与半导体芯片5的第2方向上的宽度大致同样地形成。另外，作为下部屏蔽板3使用磁导率高的材料。本实施方式中使用PC坡莫合金(N1-Mo、Cu-Fe)等的含铁的磁性合金。再者，本实施方式中下部屏蔽板3的厚度被设定为50μηι?150μηι左右。
[0041 ]另外，本实施方式中，下部屏蔽板3具有侧壁部32。本实施方式中，通过将磁性体合金的板弯折来形成该侧壁部32。因此，本实施方式中，下部屏蔽板3的厚度与侧壁部32的厚度基本上一致。
[0042]半导体芯片5包含集成电路，在本实施方式中搭载有将多个数据通过磁来存储的存储装置。该存储装置可以例如通过自旋注入来进行数据写入，通过隧道磁阻效应带来的电阻变化来进行写入了的数据的判别。但是，作为半导体芯片5可以搭载不同的存储装置，也可以搭载存储装置以外的结构。
[0043]半导体芯片5在下表面贴附第2粘结材料4、在上表面的第2方向的两侧具有接触部12 (第2接触部)ο接触部12经由多个作为连接件的接合线51与接触部11电连接。
[0044]上部屏蔽板7在下表面贴附第I绝缘性树脂6，形成为以第I方向为长度方向的长方形，第2方向上的宽度比接触部12的第2方向的宽度窄，第I方向的长度与下部屏蔽板3大致同样地形成。另外，作为上部屏蔽板7，与下部屏蔽板3同样地使用磁导率高的材料。本实施方式中，使用PC坡莫合金(N1-Mo、Cu-Fe)等的含铁的磁性合金。上部屏蔽板7的厚度在本实施方式中为50μηι?150μηι左右。
[0045]另外，上部屏蔽板7隔着上述侧壁部32与下部屏蔽板抵接。因此，上部屏蔽板7与下部屏蔽板3—同形成磁屏蔽件，所述磁屏蔽件保护半导体装置5不受外部磁场影响。
[0046]根据本实施方式涉及的半导体装置，利用下部屏蔽板3覆盖半导体芯片5的下面，利用上部屏蔽板7覆盖其上面，利用侧壁部32覆盖其侧面。而且，下部屏蔽板3的第2方向上的宽度与半导体芯片5的宽度形成为相同程度，上部屏蔽板7