一种中心传感器的修复方法及中心传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种中心传感器的修复方法及便于修复的中心传感器。
【背景技术】
[0002]中心传感器是ESEC (European Semiconductor Equipment Center,欧洲半导体设备中心)装片机的重要部件，主要用于引线框防反和初步定位。中心传感器价格昂贵，修复率极低。中心传感器的损坏大都是因为光路的老化。
[0003]如图5所示，原先的中心传感器光电检测区域是直径为Imm的小孔100，其周围是一层镜面200。其检测原理如图6所示，激光二极管300发出激光，通过透镜聚焦后进入小孔100,然后通过2个不同向的45°设置的反射镜片400射入娃光电池500 (此时的娃光电池500接收面朝上，此中所述硅光电池500即接收管)，由此实现引线框透光与挡光的反映。
[0004]此种中心传感器修复技术存在的问题为:
[0005]1、激光二极管垄断，原装发光源(即激光二极管)是型号为頂220，带ro(反馈保护端)，共阳激光二极管，在市场上无法找到此型号的激光二极管；
[0006]2、光线接收面太小及位置受限，激光二极管发射的光通过透镜发射到接收面的有效区域就为lmm(通过测量光斑确定)，并且中心传感器主要通过检测引线框小孔边沿来定位，因此，在光线接收面制造Imm的限制区域，增加了维修难度——激光二极管出射角度各有所异，原装置在性能和功能方面考虑的过于严谨、给维修、调试、元件代用带来很大困难；
[0007]3、内置光路维修困难，中心传感器的光路关键元件为激光二极管和光电池，其原理无非就是让光射入硅光电池，原光路2个45°镜面完全密闭，无法对其调试和修复。
【发明内容】
[0008]本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。
[0009]鉴于上述和/或现有中心传感器的修复方法中存在的问题，提出了本发明。
[0010]因此，本发明的一个目的是基于设备使用年限的原因，中心传感器逐步老化，严重影响产品质量和设备停机率，主要解决中心传感器修复困难，激光二极管代用等问题。
[0011]为解决上述技术问题，本发明提供了如下技术方案:一种中心传感器的修复方法，其包括，去除原中心传感器中包括小孔和镜面在内的整个光线接收面以及内置光路；将接收管取出，放置于原小孔所在位置，其中，设置接收管的接收面方向向下；通过测量中心传感器输出电压来选取光线接收面的位置；将所述接收管固定。
[0012]作为本发明所述中心传感器的修复方法的一种优选方案，其中:在所述去除原中心传感器中包括小孔和镜面在内的整个接收面以及内置光路的步骤后，所述将接收管取出，放置于原小孔所在位置，其中，设置接收管的接收面方向向下的步骤前，还包括，将代用激光二极管更换到原激光二极管位置；调试代用激二极光管的安装角度，通过观察激光到达光线接收面的光斑来决定代用激二极光管的角度，并固定代用激二极光管。
[0013]作为本发明所述中心传感器的修复方法的一种优选方案，其中:所述代用激光二极管为5V，带反馈保护端近红外共阴激光二极管。
[0014]作为本发明所述中心传感器的修复方法的一种优选方案，其中:在所述将所述接收管固定的步骤之后，还包括，确保中心传感器上机后的小孔能与另一位置中心传感器的小孔校正到同一直线上的步骤，具体为:以所述另一位置中心传感器的小孔位置为基准，向上检测至预先设置的横条位置的边缘，在固定的检测距离内，若通过所述中心传感器上机后的小孔无法检测到横条，则校正失败；反之，成功。
[0015]本发明的另一个目的是提供一种便于检修的中心传感器。
[0016]为解决上述技术问题，本发明提供了如下技术方案:一种中心传感器，包括，控制部件、与所述控制部件连接的主体部、激光发射装置、激光感应接收装置，所述激光发射装置包括代用激光二极管，其设置于所述控制部件中并通过所述控制部件的上表面上开口暴露在外，以使得所述激光发射装置发出的激光能够射出所述控制部件；所述激光感应接收装置包括接收管，其设置于所述主体部的小孔正上端，以使得激光能够直接射入所述激光感应接收装置。
[0017]本发明提供了一种中心传感器的修复方法及一种中心传感器，与现有技术相比，其有益效果为:
[0018](I)降低激光二极管的功率要求，从而降低了激光二极管的使用成本；由于去除了内部光路，缩短了激光路径，降低了激光能耗，从而降低了激光功率要求，扩大了代用激光二极管的选取空间，同时延长了激光二极管的有效使用寿命；
[0019](2)光线接收面的扩大消除了激光二极管出射角度的限制，大大扩大了代用激光管选择范围；
[0020](3)由于光线接收面位置能够调节，使得能够选择到硅光电池最佳吸收位置，大大降低修理难度；
[0021](4)进口备件国产化代用，大大降低备件采购费用。
【附图说明】
[0022]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
[0023]图1为本发明所述一种中心传感器的修复方法第一种【具体实施方式】的步骤示意图；
[0024]图2为根据本发明所述一种中心传感器的修复方法进行改造后的结构示意图；
[0025]图3为本发明所述一种中心传感器的修复方法第二种【具体实施方式】的步骤示意图；
[0026]图4为本发明所述一种中心传感器的修复方法保证中心传感器上机后其检测点能与另一位置中心传感器校正到同一直线上的示意图；
[0027]图5为现有技术中心传感器光电检测区域示意图；
[0028]图6为现有技术中心传感器光电检测原理示意图。
【具体实施方式】
[0029]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。
[0030]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0031]其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0032]如图1所示，本发明的第一种【具体实施方式】，首先提供了一种中心传感器的修复方法，该方法包括如下步骤:
[0033]步骤一 S1:去除原中心传感器中包括小孔和镜面在内的整个光线接收面以及内置光路。
[0034]在此步骤中，由于原中心传感器组装结构以及材料的牢固性，必须将头部完全破坏，以便于后续步骤的操作。
[0035]步骤二 S2:将接收管取出，放置于原小孔所在位置。
[0036]参见图2所示，接收管10(即硅光电池)自原中心传感器的位置被取出后，放置于原小孔100所在位置。此时，设置接收管10的接收面方向向下，以便于接收激光二极管300发射的激光。但此时并不能保证激光能准确有效得被接收管10吸收，由于光线接收面的扩大(为整个硅光电池10接收面)和其活动性给予了光线接收面的可调性并大大扩大了激光二极管300出射角度的选取范围。
[0037]步骤三S3:通过测量中心传感器输出电压来选取光线接收面的位置。
[0038]参见图2，在此步骤中，通过测量中心传感器的输出电压来选取光线接收面的最佳位置。
[0039]步骤四S4:将所述接收管固定。
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