一种光伏-热效太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于新能源太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种光伏-热效太阳能电池的制作方法。
【背景技术】
[0002]在光伏太阳能电池大体分为单晶硅太阳能电池，多晶硅太阳能电池以及薄膜太阳能电池几类。单晶硅太阳能电池光电转换最高约24%左右；多晶硅次之，光电转换最高越15%左右；薄膜电池最低，在规模生产中光电转换率一般在10%左右，但是成本低，制作方便，而单晶硅、多晶硅成本较高，工艺复杂，总体来看单位面积上太阳能的利用率都并不高，仅利用了半导体材料的光生伏特效应，在太阳光的照射下受有限的光谱频段内的光波激发电子跃迁转移，而实现光电转换的一种器件，究其原因在于单方面利用光电转换，忽略了太阳光能不但有光电效应，还具有热电效应，并且太阳能电池的最大损失就是热能的白白散失掉。
【发明内容】
[0003]在本发明是一种在多层热效太阳能电池上再叠层制作的薄膜光伏太阳能电池，不但利用太能的光生伏特效应，还利用太阳能的热电效应，将单位面积上的太阳能充分利用起来，提高了电池器件的整体能量转换效率，降低生产成本，材料来源，原材料生产能耗低，并且单件面积不受硅棒的限制，可大面积，工业化规模生产。
[0004]具体的结构形式的如图所示:
图1为本发明光伏-热效太阳能电池的仰视图；
图2为本发明光伏-热效太阳能电池的主视图；
图3为本发明光伏-热效太阳能电池的等效电路图；
图示中，序I为基板，序2、序4、、序6为导电金属层，序3、序5为热效半导体层，序7为光伏半导体层，序8为透明导电层，序9为透明保护层。其中热效半导体层由掺杂Zn元素的序51 η型氧化钴钙热效半导体薄膜和掺杂稀土 La元素的序52 P型氧化钴钙热效半导体薄膜组成；光伏半导体层由序71 η型CdS光伏半导体薄膜和序72 ρ型Cu2S光伏半导体薄膜组成。
[0005]具体实施的技术方案:先在洁净的序I基板上丝网印刷一层铜浆，经120?200°C真空干燥，再电镀上一层铜膜，预留焊接引线的位置，形成序2导电金属层；在序2导电金属层上旋涂一层序51 η型氧化钴钙热效半导体薄膜，经120?200°C真空干燥，再在序51η型氧化钴钙热效半导体薄膜上旋涂一层序52 ρ型氧化钴钙热效半导体薄膜，经120?200°C真空干燥，形成序3、序5为热效半导体层；再按制作序2的方法，制作序4、序6导电金属层；再在序6导电金属层上旋涂一层序71 η型CdS光伏半导体薄膜，经120?200°C真空干燥，再在序71 η型CdS光伏半导体薄膜上旋涂一层序72 ρ型Cu2S光伏半导体薄膜，经120?200°C真空干燥，形成序7光伏半导体；在序7光伏半导体上再旋涂一层SnO2,经120?200°C真空干燥，形成序8透明导电层；序I至序8为光伏-热效电池的本体，本体还需要整体经过750?800°C烧结，恒温保持3?5小时，然后按50°C /小时的速度降温退火，直到常温；然后再在序8导电层上附加透明保护层，并留出引线焊接位置；在序2和序8上焊接序9引线和序10外引端子，最后在按实际需求进行封装构成光伏-热效电池。
【主权项】
1.一种光伏-热效太阳能电池的制作方法，其特征是:先在洁净的序I基板上丝网印刷一层铜浆，经120?200°C真空干燥，再电镀上一层铜膜，预留焊接引线的位置，形成序2导电金属层；在序2导电金属层上旋涂一层序51 η型氧化钴钙热效半导体薄膜，经120?200°C真空干燥，再在序51 η型氧化钴钙热效半导体薄膜上旋涂一层序52 P型氧化钴钙热效半导体薄膜，经120?200°C真空干燥，形成序3、序5为热效半导体层；再按制作序2的方法，制作序4、序6导电金属层；再在序6导电金属层上旋涂一层序71 η型CdS光伏半导体薄膜，经120?20(TC真空干燥，再在序71 η型CdS光伏半导体薄膜上旋涂一层序72 ρ型Cu2S光伏半导体薄膜，经120?200°C真空干燥，形成序7光伏半导体；在序7光伏半导体上再旋涂一层SnO2,经120?200°C真空干燥，形成序8导电层?’序I至序8为光伏-热效电池的本体，本体还需要整体经过750?800°C烧结，恒温保持3?5小时，然后按50°C /小时的速度降温退火，直到常温；然后再在序8导电层上附加透明保护层，并留出引线焊接位置；在序2和序8上焊接引线和外引端子，最后在按实际需求进行封装，构成光伏-热效电池。2.除权利要求项I所要求的权利外，光伏半导体薄膜、热效半导体薄膜材料的配方的调整改变，薄膜的成膜方法无论是旋涂，丝网印刷、喷涂、提拉、流延、真空镀膜、粒子溅射、脉冲激光沉积等工艺方法，只要采用本发明的制作方法和结构，都在本发明要求保护的范围之内。
【专利摘要】一种光伏-热效太阳能电池的制作方法，其特征如摘要附图所示特征为：层状结构，由序1基板，序2、序4、序6导电金属层，序3、序5为热效半导体层，序7为光伏半导体层，序8为透明导电层，序9为透明保护层构成，其中序5热效半导体层又由掺杂Zn元素的序51n型氧化钴钙热效半导体薄膜和掺杂稀土La元素的序52p型氧化钴钙热效半导体薄膜组成；其中序7光伏半导体层又由序71n型CdS光伏半导体薄膜和序72p型Cu2S光伏半导体薄膜组成。
【IPC分类】H01L31/0525, H01L31/18
【公开号】CN105633197
【申请号】CN201410611766
【发明人】杨永清
【申请人】杨永清
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年11月4日