Nldmos及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种NLDMOS及其制作方法。
【背景技术】
[0002]利用BCD (Bipolar、CMOS、DM0S)工艺制造而成的 LDMOS (Lateral DiffusedMetal-Oxide-Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体晶体管)广泛地应用于射频、微波领域的功率放大器。NLDMOS是一种N型横向扩散金属氧化物半导体晶体管。
[0003]NLDMOS包括P型体区(P_body)与N型漂移区(N_drift)，其中，P型体区内设置有N型重掺杂源区，N型漂移区内设置有N型重掺杂漏区。此外，N型漂移区内还具有隔离结构，该隔离结构位于N型重掺杂源区与N型重掺杂漏区之间。P型体区的部分区域以及隔离结构的部分区域上具有自下而上堆叠的栅氧化层、栅极。
[0004]现有技术中，为防止衬底内其它器件，例如MOS晶体管的载流子进入上述P型体区内的N型重掺杂源区以及N型漂移区内的N型重掺杂漏区，或上述区域中的载流子进入衬底内其它器件，造成器件间干扰、影响NLDMOS的性能，在NLDMOS中的P型体区以及N型漂移外由内向外包覆一层深掺杂的P阱(DPW)、深掺杂的N阱(DNW)以提高NLDMOS中载流子的绝缘性能。
[0005]实际制造中发现，现有结构的NLDMOS的制作成本较高。
[0006]有鉴于此，本发明提供一种新的NLDMOS及其制作方法，载流子绝缘性好且成本较低。
【发明内容】
[0007]本发明解决的问题是现有的NLDMOS的制作成本较高。
[0008]为解决上述问题，本发明的一方面提供一种NLDM0S，包括:
[0009]P型基底，所述P型基底上具有包括N型深掺杂阱区的半导体层；
[0010]位于所述N型深掺杂阱区内的第一 P型体区、N型漂移区以及第二 P型体区；其中所述N型漂移区位于所述第一 P型体区与第二 P型体区之间；
[0011]位于所述N型漂移区内的N型重掺杂漏区、第一隔离结构以及第二隔离结构；其中，所述N型重掺杂漏区位于所述第一隔离结构与所述第二隔离结构之间，所述第一隔离结构靠近所述第一 P型体区，所述第二隔离结构靠近所述第二 P型体区；N型漂移区下方具有反型区，所述反型区的掺杂类型为P型，所述反型区位于所述N型深掺杂阱区内，且分别与第一 P型体区、N型漂移区以及第二 P型体区物理上相接；
[0012]分别位于所述第一 P型体区与第二 P型体区内的第一 N型重掺杂源区与第二 N型重惨杂源区；
[0013]第一栅极结构，覆盖所述第一 P型体区的部分区域以及第一隔离结构的部分区域；
[0014]第二栅极结构，覆盖所述第二 P型体区的部分区域以及第二隔离结构的部分区域。
[0015]可选地，所述半导体层具有从所述半导体层表面延伸至所述P型基底正面的两P型离子填入部，所述两P型离子填入部平行，两P型离子填入部、以及所述P型基底所围合的区域为N型深掺杂阱区。
[0016]可选地，所述第一隔离结构与所述第二隔离结构为浅沟槽。
[0017]可选地，所述第一 P型体区内还具有第一电极区，所述第一电极区为P型重掺杂区，所述第一电极区与所述第一N型重掺杂源区采用浅沟槽隔离结构隔开。
[0018]可选地，所述第二 P型体区内还具有第二电极区，所述第二电极区为P型重掺杂区，所述第二电极区与所述第二N型重掺杂源区采用浅沟槽隔离结构隔开。
[0019]可选地，所述N型深掺杂阱区内还具有第三电极区，所述第三电极区为N型重掺杂区。
[0020]可选地，所述P型离子填入部内具有第四电极区，所述第四电极区为P型重掺杂区。
[0021]可选地，所述第一 P型体区内具有第一电极区，所述第一电极区为P型重掺杂区，所述第二 P型体区内还具有第二电极区，所述第二电极区为P型重掺杂区，所述N型深掺杂阱区内还具有第三电极区，所述第三电极区为N型重掺杂区，第一电极区与第三电极区采用浅沟槽隔离结构隔开，第二电极区与第三电极区也采用浅沟槽隔离结构隔开。
[0022]可选地，所述NLDMOS沿所述N型漂移区轴对称。
[0023]本发明的另一方面还提供一种NLDMOS的制作方法，包括:
[0024]提供P型基底，在所述P型基底上形成包括N型深掺杂阱区的半导体层；
[0025]在所述N型深掺杂阱区内分别形成第一 P型体区、N型漂移区以及第二 P型体区；其中所述N型漂移区位于所述第一 P型体区与第二 P型体区之间；还在所述N型深掺杂阱区内形成P型离子注入区，所述P型离子注入区位于所述N型漂移区下方；
[0026]在所述N型漂移区内形成第一隔离结构与第二隔离结构；其中，所述第一隔离结构靠近所述第一 P型体区，所述第二隔离结构靠近所述第二 P型体区；
[0027]在所述第一 P型体区的部分区域以及第一隔离结构的部分区域上形成第一栅极结构，在所述第二P型体区的部分区域以及第二隔离结构的部分区域上形成第二栅极结构；
[0028]所述P型离子注入区扩散形成反型区，所述反型区位于所述N型深掺杂阱区内，且分别与第一 P型体区、N型漂移区以及第二 P型体区物理上相接；
[0029]在所述第一 P型体区内与所述第二 P型体区内分别形成第一 N型重掺杂源区与第二 N型重掺杂源区，在所述N型漂移区内形成N型重掺杂漏区，所述N型重掺杂区位于所述第一隔离结构与所述第二隔离结构之间。
[0030]可选地，所述P型离子注入区与所述N型漂移区采用同一图形化掩膜层进行离子注入形成。
[0031]可选地，所述反型区通过对所述P型离子注入区进行热扩散形成，所述热扩散利用形成第一栅极结构与第二栅极结构的沉积工艺的热量。
[0032]可选地，在所述N型深掺杂阱区内分别形成第一 P型体区、N型漂移区以及第二 P型体区前，还包括:在所述N型深掺杂阱区的预定位置形成多个隔离结构，所述隔离结构包括:
[0033]预定隔开第一 P型体区内的第一电极区与第一 N型重掺杂源区的浅沟槽隔离结构，所述第一电极区为P型重掺杂区；
[0034]预定隔开第二 P型体区内的第二电极区与第二 N型重掺杂源区的浅沟槽隔离结构，所述第二电极区为P型重掺杂区；
[0035]预定隔开第一 P型体区内的第一电极区与N型深掺杂阱区内的第三电极区的浅沟槽隔离结构，所述第三电极区为N型重掺杂区；
[0036]预定隔开第二 P型体区内的第二电极区与N型深掺杂阱区内的第三电极区的浅沟槽隔离结构。
[0037]可选地，在所述N型深掺杂阱区的预定位置形成多个隔离结构前或后形成所述反型区。
[0038]可选地，所述N型深掺杂阱区的形成方法为:
[0039]在所述P型基底正面进行外延生长形成外延层；
[0040]对所述外延层进行N型深离子注入。
[0041]可选地，所述制作方法还包括:在所述外延层内形成从所述外延层表面延伸至所述P型基底正面的两平行沟槽，在所述沟槽内填入P型离子轻掺杂多晶硅以形成P型离子填入部，两P型离子填入部、以及所述P型基底所围合的区域用于形成N型深掺杂阱区。
[0042]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:1)对于NLDM0S，在N型漂移区下方设置反型区，该反型区的掺杂类型为P型，该反型区位于N型深掺杂阱区内，且分别与形成在N型深掺杂阱区内的第一 P型体区、N型漂移区以及第二 P型体区物理上相接；如此，对于第一 P型体区，其与N型深掺杂阱区的交界面形成耗尽层，避免了第一 P型体区内的第一源区以及第一沟道区内的载流子逃出至外界器件或外界器件的载流子进入该第一P型体区内的第一源区以及第一沟道区；对于N型漂移区，其底部与反型区的交界面形成耗尽层，避免了N型漂移区内的漏区内的载流子逃出至外界器件或外界器件的载流子进入该N型漂移区内的漏区；对于第二 P型体区，其与N型深掺杂阱区的交界面形成耗尽层，避免了第二P型体区内的第二源区以及第二沟道区内的载流子逃出至外界器件或外界器件的载流子进入该第一 P型体区内的