Rfldmos器件阵列版图中超深沟槽的排列方法
【专利摘要】本发明公开了一种RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法，该方法是将用于填充金属实现源端、沟道和衬底连接的超深沟槽的版图阵列设计成错位交叉排布形式。该方法通过将超深沟槽设计成错位交叉排布方式，避免了超深沟槽在同一方向上的隔断或者硅片内同一方向上的应力过大，从而缓解了硅片的翘曲度，有效地降低了硅片减薄过程中碎片的产生。
【专利说明】RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造工艺，特别是涉及RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法。
【背景技术】
[0002]对用于基站等的大功率射频器件RFLDM0S，如图1所示，器件位于重掺杂基板生长的外延层中，漏端有一个较长的漂移区，以得到所需的击穿电压，沟道由自对准栅极源端边缘的P型离子注入，并通过长时间高温推进形成，其引出端在源的同一侧，器件的源和沟道要连接到重掺杂的基板上。目前我们采用超深沟槽刻蚀并填入无空隙的金属，通常为钨，连到P型重掺杂的基板上，确保器件的源和沟道有很好的背面金属引出，这一填入金属钨的沟槽称为钨塞。相对于传统结构中P型掺杂扩散工艺实现的源端、沟道和衬底的连接，图1的连接方式可以大大降低电阻和内部热阻。
[0003]在这种含有钨塞的工艺流程中，填充材料的不同，膜质结构的不同，以及沟槽深度等都会在热过程中产生应力的不匹配，即热膨胀系数失配。如果超深沟槽的版图排布的方向相同，如图2所示，硅片面内同一方向的应力一致作用于硅片，会导致硅片产生翘曲形变，这种翘曲形变在减薄之后更加严重，导致RFLDMOS硅片在减薄过程中产生一定的碎片，影响正常的生产流片。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法，它可以降低硅片的翘曲度。
[0005]为解决上述技术问题，本发明的RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法，是将超深沟槽设计成错位交叉排布方式。
[0006]所述超深沟槽用于填充金属(通常为钨)，实现源端、沟道和衬底的连接。
[0007]较佳的，所述超深沟槽可以采用品字交叉排布方式。
[0008]较佳的，所述超深沟槽可以采用横竖交叉排布方式。
[0009]较佳的，所述超深沟槽可以采用回旋交叉排布方式。
[0010]所述超深沟槽的宽度根据填充的材质不同而不同，通常的宽度为0.5?2微米；超深沟槽之间的距离根据填充材料和工艺能力不同而不同，通常的距离为I?2微米。
[0011]本发明通过将超深沟槽设计成错位交叉排布方式，避免了超深沟槽在同一方向上的隔断或者硅片内同一方向上的应力过大，从而缓解了硅片的翘曲度，有效地降低了硅片减薄过程中碎片的产生。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是RFLDMOS的器件结构示意图。
[0013]图2是RFLDMOS的器件阵列版图。
[0014]图3是本发明实施例1的RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法。
[0015]图4是本发明实施例2的RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法。
[0016]图5是本发明实施例3的RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法。
【具体实施方式】
[0017]为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下:
[0018]实施例1
[0019]本实施例中，在RFLDMOS器件阵列版图中，钨超深沟槽采用品字交叉排列形式，如图3所示。采用这种排布方式可以避免图2的排布方式中超深沟槽在同一方向上的隔断，从而使超深沟槽的隔断更加均匀，不容易发生裂片。
[0020]实施例2
[0021]本实施例中，在RFLDMOS器件阵列版图中，钨超深沟槽采用横竖交叉排列形式，如图4所示。采用这种排布方式可以平衡硅片面内X方向和Y方向上的应力，避免因同一方向上的应力过大而导致的硅片翘曲。
[0022]实施例3
[0023]本实施例中，在RFLDMOS器件阵列版图中，钨超深沟槽采用回旋交叉排列形式，如图5所示。采用这种排布方式不仅可以平衡硅片面内X方向和Y方向上的应力，而且可以避免超深沟槽在同一方向上的隔断，从而对缓解硅片的翘曲有很大帮助。
【权利要求】
1.RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法，所述超深沟槽用于填充金属，实现源端、沟道和衬底的连接，其特征在于，所述超深沟槽呈错位交叉排布。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽呈品字交叉排布。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽呈横竖交叉排布。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽呈回旋交叉排布。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽的宽度为0.5?2微米。
6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽之间的距离为I?2微米。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽之间的距离为I?2微米。
【文档编号】H01L21/336GK104465406SQ201410848305
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月29日 优先权日:2014年12月29日
【发明者】蔡莹 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司