基于多比特阻态阻变器件的rram阵列读写方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种多比特阻态阻变器件的应用领域，尤其涉及一种基于多比特阻态阻变器件的RRAM阵列读写方法及系统。
【背景技术】
[0002]非易失性存储器器件由于高密度、高速和低功耗在当今存储器领域占据了重要的角色，闪存作为目前最重要的非易失性存储器，由于尺寸无法继续缩小这个重要瓶颈近年来发展遇到了严重制约，因此一系列有望替代闪存的技术的研究也随之兴起。
[0003]利用金属氧化物中的阻变现象制成的阻变器件具有非常广阔的应用前景，由于金属氧化物在外电场控制下在不同阻态间可以发生可逆变化，并且在断电之后这种阻态变化仍能得到保持，即这种阻变器件具有多值非挥发特性，因此利用这种阻变器件构造的阻变存储器即RRAM相对于传统闪存具有明显的优势。
[0004]阻变器件的多阻态特性十分新颖，在目前存储领域中，绝大部分为二值存储，而如何提高存储阵列的集成度是目前发展中遇到的重要难题，多值存储是提高存储器集成度的一种方法。此外，多阻态特性还有希望在模拟存储领域中获得应用。
[0005]阻变器件的多阻态特性虽然前景广阔，但受限于目前有关理论研究和工艺水平，对阻变器件的多阻态应用研究还不深入，特别在存储器阵列中实现多值存取也对器件特性和阵列读写方案提出了较高要求。
[0006]传统的存储阵列中存储信息的读取利用将阵列位线末端串联敏感放大器通过读取敏感放大器中的电流实现对存储单元中阻值高低状态的判断，实现读取存储单元中存储的O或I的功能，实现对存储内容的读取，但是，现有的敏感放大器无法将存储单元中的存储值精确读取出来。
[0007]此外，阻变器件按传统存储器阵列进行连接容易受到串扰的影响，传统一般采用两种方案进行解决。第一种方法一般是将阻变器件与一个选通管进行串联，通过控制选通管的开关实现对单个阻变器件的读写。另一种方法则是将阻变器件直接排成阵列，通过对不同字线、位线上的电压控制实现V/2法读写。对于具有多比特阻值状态的阻变器件的存储阵列单元的写入来说，利用传统方法无法精确控制不同阻值状态间的转换。
【发明内容】
[0008]为解决现有技术中的问题，本发明提供一种基于多比特阻态阻变器件的RRAM阵列读写方法及实现该方法的系统。
[0009]本发明基于多比特阻态阻变器件的RRAM阵列读写方法，包括如下步骤:构造RRAM存储阵列，所述RRAM存储阵列中设有多个具有多比特阻态的阻变单元;写入模块通过使阻变器件在阻值变化区间线性变化实现阻值的写入;通过在读取模块的输入端分别加一个所要读取的阻变单元上位线上的电压Vbl和相应参考电压Vref，实现读取模块对RRAM存储阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值进行读取;解码模块将读取模块的读取值转换成设定的数字。
[0010]本发明作进一步改进，所述阻值写入模块通过脉冲型V/2法进行阻值的写入，所述脉冲型V/2法通过控制脉冲高度避免串扰，通过控制脉冲数量实现阻变单元内不同组态间阻值的转换。
[0011]本发明作进一步改进，所述阻值写入模块通过在RRAM存储阵列的不同字线、位线上所加脉冲的幅度不同，控制施加脉冲的个数完成不同阻值状态间的精确转换。
[0012]本发明作进一步改进，所述阻值写入模块通过电压V/2法进行阻值的写入。
[0013]本发明作进一步改进，所述多比特阻态阻变器件具有多个阻值窗口，能够实时响应脉冲，具有线性阻值变化区。
[0014]本发明作进一步改进，所述RRAM存储阵列为crosspoint型存储阵列结构。
[0015]本发明作进一步改进，所述RRAM存储阵列利用选通管构建。
[0016]本发明作进一步改进，所述读取模块为拓展敏感放大器。
[0017]本发明作进一步改进，所述解码模块为解码器，所述解码器为二进制模数转换器。
[0018]本发明还提供了一种实现上述RRAM阵列读写方法的系统，包括构造模块:构造RRAM存储阵列，所述RRAM存储阵列中设有多个具有多比特阻态的阻变单元;阻值写入模块:通过使阻变器件在阻值变化区间线性变化实现阻值的写入;读取模块:通过在读取模块的输入端分别加一个所要读取的阻变单元上位线上的电压Vbl和相应参考电压Vref，实现读取模块对RRAM存储阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值进行读取，所述读取模块串联在位线末端;解码模块:解码模块将读取模块的读取值转换成设定的数字。
[0019]与现有技术相比，本发明的有益效果是:通过改进的读取模块实现对阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值的读取，从而完成了对新型阻变存储阵列中多值存储的实现;利用阻变单元阻值写入时不同字线、位线上所加脉冲的幅度不同来实现控制串扰，同时能够控制施加脉冲的个数完成不同阻值状态间的精确转换。
【附图说明】
[0020]图1为本发明方法流程图；
图2为本发明阵列结构及阻变单元阻值状态的写入操作示意图；
图3为本发明对阻变单元多阻值状态读取的架构示意图；
图4为本发明η比特阻态阻变器件用到的拓展敏感放大器的结构示意图；
图5为本发明2比特阻态阻变器件用到的拓展敏感放大器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021 ]下面结合附图和实施例对本发明做进一步详细说明。
[0022]RRAM，阻变存储器(Resistive Random Access Memory)，可显著提高耐久性和数据传输速度的可擦写内存技术。
[0023]本发明的基本思想是利用具有多阻值状态的阻变器件构造成可精确写入及具有数字化读取的忆阻存储器(RAM)读写方案。
[0024]阻变器件包括顶电极和底电极，以及在两个电极之间的金属氧化物层。本发明中应用的阻变器件具有良好的高低阻态间的线性阻值变化窗口，并能够通过施加在两端电极上的电压、脉冲等改变阻变器件的阻值状态。本发明同样适用于双极性金属氧化物阻变器件。
[0025]如图1所示，本发明基于多比特阻态阻变器件的RRAM阵列读写方法，包括如下步骤:
(1)构造RRAM存储阵列，所述RRAM存储阵列中设有多个具有多比特阻态的阻变单元；
(2)阻值写入模块通过使阻变器件在阻值变化区间线性变化实现阻值的写入；
(3)通过在读取模块的输入端分别加一个所要读取的阻变单元上位线上的电压Vbl和相应参考电压Vre3f,实现读取模块对RRAM存储阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值进行读取；
(4)解码模块将读取模块的读取值转换成数字。
[0026]如图2所示，本发明的阻值写入模块通过脉冲型V/2法进行阻值的写入，所述脉冲型V/2法通过控制脉冲高度避免串扰，通过控制脉冲数量实现阻变单元内不同组态间阻值的转换，阻值写入模块通过在RRAM存储阵列的不同字线、位线上所加脉冲的幅度不同，控制施加脉冲的个数完成不同阻值状态间的精确转换。当然，也可以采用传统的电压V/2法进行阻值的写入。
[0027]本例首先进行整个RRAM存储阵列(简称存储阵列)的构造，再进行RRAM存储阵列中存储单元也就是阻变单元的写入方法。阻变存储器(RRAM)的存储阵列的构造，首先需要构造存储阵列中的一个阻变单元，也就是存储单元，存储单元需要将存储器件的顶电极与阵列字线相连接，将存储器件的底电极与阵列位线相连接，将存储单元构造完成后，通过将相同存储单元结构在水平、竖直两个维度上的复制排列从而实现阻变存储器crosspoint (交叉点)型存储阵列的构造。
[0028]在具有多阻值状态的阻变器件的阻值变化窗口中，将阻变器件的高阻态视为0，低阻态视为I，由于在高低阻态之间的阻值变化曲线呈现出较好的线性特性，因此我们在阻态为0-1间实现阻变器件的多阻值状态的转换。在此线性的阻值变化区间，我们可以将N比特不同阻态存储在不同的子区间范围内。例如，对于一个具有2比特即4种不同阻态的阻变器件，我们可以将0.0-0.3阻值区间视为00,0.3-0.5阻值区间视为01,0.5-0.7阻值区间视为10,0.7-1.0阻值区间视为11。基于同样的原理，如果阻变器件的阻值窗口比较大，则可以将N比特位不同阻变状态存储在阻变器件中。
[0029]Crosspoint型存储阵列为了降低阻变器件构造中不可避免的串扰现象，往往采用V/2电压法进行阻值的写入，即将选通存储单元的字线接Vdd，位线接地，其余不被选择的存储单元字线位线接Vdd/2。对于具有多比特阻值状态的阻变器件的存储阵列单元的写入来说，利用V/2电压法无法精确控制不同阻值状态间的转换，基于目前新型阻变器件对脉冲控制下具有的良好阻变响应，本发明采用改进的脉冲型V/2法，如图2所示。利用阻变单元阻值写入时不同字线、位线上所加脉冲的幅度不同来实现控制串扰，同时可以控制施加脉冲的个数完成不同阻值状态间的精确转换。
[0030]对于采用选通管构造的RRAM阵列结构，亦可采用同样的原理通过控制选通存储单元的选通管的选通后施加在选通存储单元的脉冲个数的变化从而实现控制多比特阻变存储器不同阻值状态的写入。
[0031]如图3所示，本例的读取模块为拓展过的拓展敏感放大器，所述拓展敏感放大器的数量与位线数量相同，本图只是其中的一部分的结构示意图，所述拓展敏感放大器包含所述拓