一种柔性oled器件及其封装方法
【专利摘要】本发明提供一种柔性OLED器件及其封装方法，柔性OLED器件包括柔性基板、有机发光层，所述有机发光层位于柔性基板之上，在所述有机发光层上沉积有第一阻隔层，所述第一阻隔层由第一层无机薄膜和第二层无机薄膜组成，在所述第一阻隔层上制备有缓冲层，在所述缓冲层上沉积有第二阻隔层。本发明设有第一阻隔层和第二阻隔层，还设有缓冲层，本发明优化了阻隔薄膜结构，具体良好的水氧阻隔性能；使柔性OLED显示器更轻薄、弯折性能更好，而且延长了柔性OLED显示器的使用寿命。
【专利说明】
一种柔性OLED器件及其封装方法
技术领域
[0001]本发明适用于0LED显示技术领域，尤其涉及一种柔性0LED器件及其制造方法。【背景技术】
[0002]有机发光二极管(0LED)显示技术是一种利用有机半导体材料在电流的驱动下产生的可逆变色来实现显示的技术。0LED具有超轻薄、发光效率高、色彩丰富、低压直流驱动、 制备工艺简单和温度范围宽等优点。0LED采用柔性衬底之后可以制成柔性有机电致发光器件，能够很好地弯曲、折叠，从而实现完全的柔性显示，0LED显示技术被认为是最有发展前途的新一代显示技术。
[0003]由于0LED器件所用的金属阴极一般是铝、镁、钙等活泼金属，非常容易与渗透进来的水汽发生反应，影响电荷的注入；另外，渗透进来的水和氧还会与有机材料发生化学反应，这些反应都会引起器件性能的下降。而且0LED发光材料容易受到水汽和氧气的影响而变质，故0LED器件对水氧阻隔性有较高要求。柔性0LED显示器相比普通0LED显示器更轻薄、 耐冲击，可实现曲面显示；柔性0LED显示器对水氧阻隔性能要求更高，尤其是在弯折过程中，要保持良好的性能，封装效果决定着柔性0LED显示器质量，是保证柔性0LED产品可靠性的基础。
[0004]目前，柔性0LED器件主要有两种封装方式:一种是在0LED器件上增加一个柔性聚合物盖板，然后在盖板上制作阻隔层;另一种是在基板和功能层上制备单层或多层薄膜。薄膜封装法的优势在于可以使显示器更薄、更轻，具有更好的柔性。但为了实现良好的阻隔效果，通常需要多层无机和有机薄膜堆叠，封装层厚度大，降低了0LED产品的弯曲性能。且无机阻隔薄膜沉积过程中，存在很多缺陷，严重影响了水氧阻隔性能。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种柔性0LED器件及其封装方法，提高封装薄膜层的水氧阻隔性能， 使封装层更薄，弯曲性能更好。
[0006]为了实现上述目的，本发明一方面提供一种柔性0LED器件，包括柔性基板、有机发光层，所述有机发光层位于柔性基板之上，在所述有机发光层上沉积有第一阻隔层，所述第一阻隔层由第一层无机薄膜和第二层无机薄膜组成，在所述第一阻隔层上制备有缓冲层， 在所述缓冲层上沉积有第二阻隔层。
[0007]进一步地，所述第一阻隔层的第一层无机薄膜和第二层无机薄膜分别采用PECVD 方法和ALD方法中的一种方法制备；
[0008]第二阻隔层为采用PECVD方法或ALD方法制备的单层阻隔薄膜，或为采用PECVD方法和ALD方法交替沉积的复合阻隔薄膜。
[0009]进一步地，所述缓冲层的边缘尺寸小于第一和第二阻隔层的边缘尺寸，第一和第二阻隔层边缘连接。
[0010]进一步地，所述柔性基板上还设有Pad位。
[0011]本发明另一方面提供一种柔性0LED器件的封装方法，包括将有机发光层设于柔性基板之上，还包括:
[0012]在所述有机发光层上沉积第一阻隔层，所述第一阻隔层由第一层无机薄膜和第二层无机薄膜组成；
[0013]在所述第一阻隔层上制备缓冲层；
[0014]在所述缓冲层上沉积第二阻隔层。[0〇15]进一步地，分别采用PECVD方法和ALD方法中的一种方法制备所述第一阻隔层的第一层无机薄膜和第二层无机薄膜；
[0016]采用PECVD方法或ALD方法制备单层阻隔薄膜，或采用PECVD方法和ALD方法交替沉积复合阻隔薄膜，将所述单层阻隔薄膜或复合阻隔薄膜作为所述第二阻隔层。
[0017]本发明柔性0LED器件及其封装方法的有益效果为:
[0018]本发明设有第一阻隔层和第二阻隔层，第一阻隔层由第一层无机薄膜和第二层无机薄膜组成，还设有缓冲层，本发明优化了阻隔薄膜结构，具体良好的水氧阻隔性能;使柔性0LED显示器更轻薄、弯折性能更好，而且延长了柔性0LED显示器的使用寿命。【附图说明】
[0019]图1是本发明中柔性0LED器件的结构示意图；
[0020]图2是本发明中柔性0LED器件的封装方法的流程示意图。【具体实施方式】
[0021]下面结合附图具体阐明本发明的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本发明专利保护范围的限制。
[0022]如图1所示，本实施例提供一种柔性0LED器件，包括柔性基板1、有机发光层0LED 2,所述有机发光层2位于柔性基板1之上，在所述有机发光层2上沉积有第一阻隔层3,所述第一阻隔层3由第一层无机薄膜31和第二层无机薄膜32组成，在所述第一阻隔层3上制备有缓冲层4，在所述缓冲层4上沉积有第二阻隔层5。[〇〇23]所述柔性基板1包括TFT层和0LED器件，所述柔性基板由P1、S i系列或Aery 1系材料制成；[〇〇24]所述第一阻隔层3的第一层无机薄膜31和第二层无机薄膜32分别采用PECVD方法和ALD方法中的一种方法制备;在本实施例中，所述第一阻隔层3包括PECVD薄膜层31和ALD 薄膜层32。[〇〇25]第二阻隔层5为采用PECVD方法或ALD方法制备的单层阻隔薄膜，或为采用PECVD方法和ALD方法交替沉积的复合阻隔薄膜。[〇〇26] 所述PECVD薄膜材料至少为氮化硅(SiN)、二氧化硅(S1x)、碳化硅(SiC)、碳氧化硅(S1C)、氮氧化硅(S1N)中的一种，其厚度范围在0 ? 1M1?5WI1之间；[〇〇27]所述ALD薄膜材料为二氧化硅(S1x)、氧化铝(A1203)、氧化锆(ZrOx)中的一种，其厚度在5nm?500nm之间。[0〇28] 所述缓冲层4起到释放应力的作用，采用喷墨打印(IJP)、VSP、Evaporate等方法制备缓冲层4,所用材料为Si系列、aery 1系或树脂基聚合物等有机材料，其厚度在2wii?12mi之间；[0〇29]所述第二阻隔层5为采用等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposit1n，PECVD)方法或原子层沉积(Atomic layer deposit1n，ALD)方法制备的单层阻隔薄膜，或采用PECVD方法和ALD方法交替沉积的复合阻隔薄膜；
[0030]所述PECVD薄膜材料为氮化硅(SiN)、二氧化硅(S1x)碳化硅(SiC)、碳氧化硅(S1C)、氮氧化硅(S1N)中的一种，其厚度范围在0.1M1?5WI1之间；[〇〇31]所述ALD薄膜材料为二氧化硅(S1x)、氧化铝(A1203)、氧化锆(ZrOx)中的一种，其厚度范围在5nm?100nm之间；
[0032]所述缓冲层4的边缘尺寸小于第一和第二阻隔层3、5的边缘尺寸，第一和第二阻隔层3、5边缘连接，提供0LED器件边界的水氧阻隔性能。[〇〇33]如图2所示，本实施例还提供一种柔性0LED器件的封装方法，包括将有机发光层2 设于柔性基板1之上，还包括:[〇〇34]在所述有机发光层2上沉积第一阻隔层3,所述第一阻隔层3由第一层无机薄膜31 和第二层无机薄膜32组成；[〇〇35]在所述第一阻隔层3上制备缓冲层4;[〇〇36]在所述缓冲层4上沉积第二阻隔层5;[〇〇37]在本实施例中，分别采用PECVD方法和ALD方法中的一种方法制备所述第一阻隔层的第一层无机薄膜和第二层无机薄膜；[〇〇38]采用PECVD方法或ALD方法制备单层阻隔薄膜，或采用PECVD方法和ALD方法交替沉积复合阻隔薄膜，将所述单层阻隔薄膜或复合阻隔薄膜作为所述第二阻隔层。[〇〇39]所述PECVD薄膜材料至少为氮化硅(SiN)、二氧化硅(S1x)碳化硅(SiC)、碳氧化硅(S1C)、氮氧化硅(S1N)中的一种，其厚度范围在0.1M1?5WI1之间；[0〇4〇]所述ALD薄膜材料至少为二氧化娃(S1x)、氧化错(A1203)、氧化错(ZrOx)中的一种，其厚度在5nm?100nm之间。[0〇41 ]通过所述缓冲层4释放应力，采用喷墨打印(IJP)、VSP、Evaporate等方法制备缓冲层4,所用材料为Si系列、acryl系或树脂基聚合物等有机材料，其厚度在2wii?12wii之间；
[0042]在本实施例中，所述第一阻隔层3的第一层无机薄膜31和第二层无机薄膜32分别采用PECVD方法和ALD方法中的一种方法制备;在本实施例中，所述第一阻隔层3包括PECVD 薄膜层31和ALD薄膜层32。[〇〇43]第二阻隔层5为采用PECVD方法或ALD方法制备的单层阻隔薄膜，或为采用PECVD方法和ALD方法交替沉积的复合阻隔薄膜。
[0044]所述PECVD薄膜材料至少为氮化硅(SiN)、二氧化硅(S1x)、碳化硅(SiC)、碳氧化硅(S1C)、氮氧化硅(S1N)中的一种，其厚度范围在0 ? lwii?5mi之间；
[0045]所述ALD薄膜材料为二氧化硅(S1x)、氧化铝(A1203)、氧化锆(ZrOx)中的一种，其厚度在5nm?500nm之间。
[0046]上述实施例中涉及的工艺术语说明如下:
[0047]PECVD:等离子增强化学气相沉积(P1 asma Enhanced Chemi ca 1 Vapor Deposit1n)是借助微波或射频等方式，使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，在基片上沉积出固体薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。[0〇48] ALD:原子层沉积(Atomic layer deposit1n)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
[0049]IJP:喷墨打印(ink jet print)是通过程序控制将印刷材料从喷嘴印在承印物上，形成预定图案。
[0050]干法刻蚀:通常指利用激光能量或者辉光放电(glow discharge)产生的包含离子、电子等带点粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆，来进行材料消除的刻蚀技术。
[0051]如上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种柔性OLED器件，包括柔性基板、有机发光层，所述有机发光层位于柔性基板之 上，其特征在于:在所述有机发光层上沉积有第一阻隔层，所述第一阻隔层由第一层无机薄 膜和第二层无机薄膜组成，在所述第一阻隔层上制备有缓冲层，在所述缓冲层上沉积有第二阻隔层。2.根据权利要求1所述的柔性0LED器件，其特征在于:所述第一阻隔层的第一层无机薄膜和第二层无机薄膜分别采用PECVD方法和ALD方法 中的一种方法制备；第二阻隔层为采用PECVD方法或ALD方法制备的单层阻隔薄膜，或为采用PECVD方法和 ALD方法交替沉积的复合阻隔薄膜。3.根据权利要求1所述的柔性0LED器件，其特征在于:所述缓冲层的边缘尺寸小于第一和第二阻隔层的边缘尺寸，第一和第二阻隔层边缘连接。4.根据权利要求1所述的柔性0LED器件，其特征在于:所述柔性基板上还设有Pad位。5.—种柔性0LED器件的封装方法，包括将有机发光层设于柔性基板之上，其特征在于， 还包括:在所述有机发光层上沉积第一阻隔层，所述第一阻隔层由第一层无机薄膜和第二 层无机薄膜组成；在所述第一阻隔层上制备缓冲层；在所述缓冲层上沉积第二阻隔层。6.根据权利要求4所述的柔性0LED器件的封装方法，其特征在于:分别采用PECVD方法和ALD方法中的一种方法制备所述第一阻隔层的第一层无机薄膜 和第二层无机薄膜；采用PECVD方法或ALD方法制备单层阻隔薄膜，或采用PECVD方法和ALD方法交替沉积复 合阻隔薄膜，将所述单层阻隔薄膜或复合阻隔薄膜作为所述第二阻隔层。
【文档编号】H01L51/50GK105977394SQ201610431035
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年6月15日
【发明人】陈升东, 马昆松, 柯贤军, 苏君海, 李建华
【申请人】信利（惠州）智能显示有限公司