Oled器件的封装方法与oled封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED器件的封装方法与OLED封装结构。
【背景技术】
[0002]OLEDS卩有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统的液晶显示器(LCD ,Liquid Crystal Display)，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。
[0003]封装是OLED器件制造过程中至关重要的一个环节，由于空气中的水、氧等成分对OLED结构中的有机发光材料的寿命影响很大，所以封装的优劣程度直接影响其密封性，进而导致产品使用寿命和质量发生较大的变化。因此，封装技术是左右OLED器件质量的重要技术。
[0004]目前OLED器件的封装主要采用硬质封装基板(如玻璃或金属)通过封装胶封装，但是该方法不适用于柔性器件，因此也有技术方案通过叠层薄膜(阻水性好的阻挡层(barrier layer)和柔韧性好的缓冲层(buffer layer)来封装。图1为现有的一种OLED封装结构的示意图，如图1所示，该OLED封装结构包括TFT基板100、设于所述TFT基板100上的OLED器件200、以及设于所述OLED器件200及TFT基板100上的数层交错设置的阻挡层300与缓冲层400，其中所述阻挡层300的作用是阻挡水氧侵入，所述缓冲层400的作用是增加渗透通道长度，释放阻挡层300间应力，覆盖不可避免的颗粒(particle)的作用，本身不具有阻水机制；因此，阻挡层300—定要大于并且完全包覆缓冲层400，否则水汽可通过缓冲层400侵入，由此造成封装结构的性能劣化。上述OLED封装结构中，由于阻挡层300与缓冲层400的大小不同，因此在制作时采用的光罩不同，从而使得该OLED封装结构的制程中采用的光罩数量较多，制程复杂，且生产成本较高，同时制得的OLED封装结构的密封性差，容易造成水汽和氧气渗入，导致OLED器件的性能较快退化，寿命缩短。
[0005]因此，有必要提出一种OLED器件的封装方法与OLED封装结构，以解决上述问题。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种OLED器件的封装方法，可简化封装制程，并且对OLED器件形成密封性极强的封装效果，从而避免水汽侵入，提高OLED器件的性能，延长OLED器件的使用寿命。
[0007]本发明的目的还在于提供一种OLED封装结构，制程简单，且密封性极强，可提高OLED器件的性能，延长OLED器件的使用寿命。
[0008]为实现上述目的，本发明提供一种OLED器件的封装方法，包括以下步骤:
[0009]步骤1、提供一TFT基板，在所述TFT基板上形成OLED器件、以及位于所述OLED器件外围的一圈挡墙；
[0010]步骤2、在所述TFT基板上被所述挡墙包围的区域内形成覆盖OLED器件的第一阻挡层，在所述第一阻挡层上形成一缓冲层；
[0011]步骤3、重复所述步骤2的操作数次，直至最外层的缓冲层的上表面接近或者平齐于所述挡墙的顶部表面，从而得到由数层第一阻挡层与数层缓冲层交错叠加构成的叠层薄膜；
[0012]步骤4、在所述叠层薄膜上形成一第二阻挡层，所述第二阻挡层完全覆盖所述叠层薄膜以及所述挡墙的顶部，从而完成对OLED器件的封装。
[0013]所述步骤I的【具体实施方式】包括以下步骤:
[0014]步骤11、提供一TFT基板，在所述TFT基板上采用蒸镀方法形成OLED器件；
[0015]步骤12、在所述TFT基板上设置挡墙的形成区域，采用一道光罩遮挡所述TFT基板上除该区域以外的其它区域，通过低温等离子体增强化学气相沉积法或者原子层沉积技术在所述TFT基板上沉积无机材料，在OLED器件的外围区域上形成一圈挡墙。
[0016]所述步骤I的【具体实施方式】包括以下步骤:
[0017]步骤11’、通过低温等离子体增强化学气相沉积法或者原子层沉积技术在所述TFT基板上沉积无机材料，形成覆盖所述TFT基板的一无机材料层，采用一道光刻制程对所述无机材料层进行图形化处理，得到位于所述TFT基板的周边位置的一圈挡墙；
[0018]步骤12’、在所述TFT基板上被所述挡墙包围的区域内采用蒸镀方法形成OLED器件。
[0019]所述步骤2和步骤3中，所述第一阻挡层的制作方法为:在所述TFT基板上设置第一阻挡层的形成区域，采用一道光罩遮挡所述TFT基板上除该区域以外的其它区域，通过低温等离子体增强化学气相沉积法或者原子层沉积技术在所述TFT基板上沉积无机材料，形成第一阻挡层。
[0020]所述步骤2和步骤3中，所述缓冲层的制作方法为:在所述TFT基板上设置缓冲层的形成区域，采用一道光罩遮挡所述TFT基板上除该区域以外的其它区域，通过打印、蒸镀、或等离子体增强化学气相沉积法在所述TFT基板上沉积有机材料，形成缓冲层。
[0021]所述第一阻挡层与缓冲层的面积均等于所述TFT基板上被所述挡墙包围的区域的面积。
[0022]本发明还提供一种OLED封装结构，包括TFT基板、设于所述TFT基板上的OLED器件、设于所述TFT基板上且位于所述OLED器件外围的一圈挡墙、设于所述TFT基板上被所述挡墙包围的区域内且覆盖所述OLED器件的叠层薄膜、以及完全覆盖所述叠层薄膜与所述挡墙的顶部的第二阻挡层；
[0023]所述叠层薄膜包括数层第一阻挡层与数层缓冲层，其中，第一阻挡层与缓冲层交替设置，所述叠层薄膜中直接覆盖于所述OLED器件上的第一层薄膜为第一阻挡层，所述叠层薄膜中的最外层薄膜为缓冲层。
[0024]所述叠层薄膜中最外层的缓冲层的上表面低于或者平齐于所述挡墙的顶部表面。
[0025]所述第一阻挡层与缓冲层的面积均等于所述TFT基板上被所述挡墙包围的区域的面积。
[0026]所述挡墙、第一阻挡层、及第二阻挡层的材料为无机材料;所述缓冲层的材料为有机材料。
[0027]本发明的有益效果:本发明提供的一种OLED器件的封装方法与OLED封装结构，通过在OLED器件的外围制作一圈挡墙，然后在所述挡墙包围的区域内形成覆盖所述OLED器件的叠层薄膜，所述叠层薄膜包括交错设置的数层第一阻挡层与数层缓冲层，最后在所述叠层薄膜最外层的缓冲层上形成完全覆盖该缓冲层以及所述挡墙的顶部的第二阻挡层，从而得到密封性极强的OLED封装结构，可避免水汽侵入，提高OLED器件的性能，延长OLED器件的使用寿命。该封装方法通过一道挡墙与最外层的第二阻挡层形成了一个针对OLED器件的密封性极强的保护罩，从而在制作挡墙内部的叠层薄膜时，不必考虑第一阻挡层的面积一定要大于缓冲层的面积，使得第一阻挡层与缓冲层可采用同一道光罩制作，从而减少光罩数量，简化封装制程，进而降低生产成本。
[0028]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0029]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0030]附图中，
[0031 ]图1为现有的一种OLED封装结构的示意图；
[0032]图2为本发明的OLED器件的封装方法的流程图；
[0033]图3为本发明的OLED器件的封装方法的步骤I的示意图；
[0034]图4为本发明的OLED器件的封装方法的步骤2的示意图；
[0035]图5为本发明的OLED器件的封装方法的步骤3的示意图；
[0036]图6为本发明的OLED器件的封装方法的步骤4的示意图暨本发明的OLED封装结构的示意图。
【具体实施方式】
[0037]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0038]请参阅图2，本发明提供一种OLED器件的封装方法，包括以下步骤:
[0039]步骤1、如图3所示，提供一TFT基板10，在所述TFT基板10上形成OLED器件20、以及位于所述OLED器件20外围的一圈挡墙30。
[0040]具体的，所述步骤I的【具体实施方式】可以包括以下步骤:
[0041 ] 步骤11、提供一 TFT基板10，在所述TFT基板10上采用蒸镀方法形成OLED器件20;
[0042]步骤12、在所述TFT基板10上设置挡墙的形成区域，采用一道光罩遮挡所述TFT基板10上除该区域以外的其它区域，通过低温等离子体增强化学气相沉积法(PECVD，PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposit1n)或者原子层沉积技术(ALD，Atomic LayerDeposi t i on)在所述TFT基板10上沉积无机材料，在OLED器件20的外围区域上形成一圈挡墙30 ο
[0043]或者，所述步骤I的【具体实施方式】也可以包括以下步骤:
[0044]步骤11’、通过低温等离子体增强化学气相沉积法或者原子层沉积技术在所述TFT基板10上沉积无机材料，形成覆盖所述TFT基板10的一无机材料层，采用一道光刻制程对所述无机材料层进行图形化处理，得到位于所述TFT基板10的周边位置的一圈挡墙30;
[0045]步骤12’、在所述TFT基板1上被所述挡墙30包围的区域内采用蒸镀方法形成OLED器件20。
[0046]步骤2、如图4所示，在所述TFT基板10上被所述挡墙30包围的区域内形成覆盖OLED器件20的第一阻挡层40，在所述第一阻挡层40上形成一缓冲层50。
[0047]步骤3、如图5所示，重复所述步骤2