一种薄膜封装的oled屏体的制作方法

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一种薄膜封装的oled屏体的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及有机电致发光器件技术领域,具体涉及一种薄膜封装的OLED屏体及其制备方法。
【背景技术】
[0002]经过近三十年的发展,薄膜封装的OLED屏体(英文全称为Organi c LightEmitting Device,简称为0LED)作为下一代照明和显示技术,具有色域宽、响应快、广视角、无污染、高对比度、平面化等优点,已经在照明和显示上得到一定程度的应用。典型的薄膜封装的OLED屏体一般包括透明基板、透明阳极、反射电极以及设置在两个电极之间的有机功能层。通常底发光OLED的阴极为平面金属,具有良好的反射效果。
[0003]薄膜封装的OLED屏体(OLED)包括有源电致发光器件(AMOLED)及无源电致发光器件(PMOLED),其中无源电致发光器件(PMOLED)具有阴极带、有机层功能层以及阳极带。PMOLED用来显示文本和图标时效率最高,适于制作小屏幕(对角线2-3英寸),常应用与移动电话、掌上电脑以及MP3播放器。随着智能穿戴产品的普及,市场对PMOLED显示屏提出了超薄、可弯曲的需求。通常对于弯曲屏体而言,需要采用薄膜封装才能实现其弯曲。
[0004]然而由于无源薄膜封装的OLED屏体PMOLED中存在隔离柱(Separator or rib)结构,其上端高低不平,因此采用薄膜封装技术时,薄膜封装层容易出现膜层厚度不连续导致密封效果差的问题。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型所要解决的技术问题是现有无源电致发光器件(PMOLED)采用薄膜封装是容易出现破损导致封装不严的问题,从而提供一种薄膜封装的OLED屏体,该薄膜封装的OLED屏体通过设置具有连续平面结构的平坦化层能够使薄膜封装层与其紧密贴合,从而能够防止薄膜封装层的破损问题。
[0006]为解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0007]一种薄膜封装的OLED屏体,包括导电基板和薄膜封装层,所述的导电基板和所述薄膜封装层形成的密闭空间内设置有机功能层,所述的有机功能层的上方设置有第二电极层,相邻的第二电极层彼此绝缘,所述薄膜封装层和所述第二电极层之间设置有平坦化层,所述平坦化层远离所述第二电极层的一侧形成连续平面结构,所述薄膜封装层贴合设置在所述连续平面结构上。
[0008]相邻的所述第二电极层之间通过隔离柱实现彼此绝缘,所述平坦化层的上端与所述隔离柱的顶端共同形成连续平面结构,所述薄膜封装层贴合设置在所述连续平面结构上。
[0009]相邻的所述第二电极层之间通过隔离柱实现彼此绝缘,所述平坦化层填充在隔离柱之间并覆盖所述隔离柱后,其上端形成连续平面结构,所述薄膜封装层贴合设置在所述连续平面结构上。
[0010]所述导电基板包括基板和设置在所述基板上的第一电极层,所述第一电极层上设置有若干形成连续网格结构的像素限定层,所述的网格结构中填充有机功能层,所述像素限定层上方设置有隔离柱,所述隔离柱将相邻有机功能层上的第二电极层彼此隔离绝缘。[0011 ]所述平坦化层的透光率>70%,折射率为1.4-2.3,所述的平坦化层为有机材料层或无机材料层。
[0012]所述的平坦化层为NPB、ALq3、TBD、PBD、CBP中的一种;或者为例如亚克力、泰富龙、
聚酰亚胺中的一种。
[0013]所述的平坦化层和封装层是由聚氢硅氮烷类材料、其衍生物或聚氢硅氮烷类材料组合物制备而成的一体结构。
[0014]聚氢硅氮烷类材料组合物包括聚氢硅氮烷类材料、光固化剂和光引发剂。
[0015]一种薄膜封装的OLED屏体的制备方法,包括下述步骤:
[0016]S1、在导电基板上制作涂覆有机光刻胶层,曝光显影使其形成具有开口结构的像素限定层;
[0017]S2、在像素限定层的上方通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的工艺制备隔离柱,采用蒸镀掩膜板在具有开口结构的像素限定层中沉积有机功能层,在有机功能层的上方沉积第二电极层,所述的隔离柱使相邻的所述第二电极层彼此绝缘;
[0018]S3、在所述第二电极层上方制作有机材料或无机材料的平坦化层,所述平坦化层填充在所述隔离柱之间,其上端与隔离柱上端形成连续平面结构,或,
[0019]所述平坦化层填充在隔离柱之间并覆盖所述隔离柱后,其上端形成连续平面结构;
[0020]S4、在所述连续平面结构上方蒸镀形成薄膜封装层。
[0021]另一种薄膜封装的OLED屏体的制备方法,包括下述步骤:
[0022]S1、在导电基板上制作涂覆有机光刻胶层,曝光显影使其形成具有开口结构的像素限定层;
[0023]S2、在像素限定层的上方通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的工艺制备隔离柱,采用蒸镀掩膜板在具有开口结构的像素限定层中沉积有机功能层,在有机功能层的上方沉积第二电极层,所述的隔离柱使相邻的所述第二电极层彼此绝缘;
[0024]S3、在所述第二电极层上方湿法涂布或丝网印刷聚氢硅氮烷类材料或其衍生物、或聚氢硅氮烷类材料组合物,填充在隔离柱之间并覆盖所述隔离柱后,固化即可形成一体结构的平坦化层和薄膜封装层。
[0025]所述步骤S3中的聚氢硅氮烷类材料组合物包括聚氢硅氮烷类材料、光固化剂和光引发剂。
[0026]本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0027]本实用新型的一种薄膜封装的OLED屏体,包括导电基板和薄膜封装层,所述的导电基板和所述薄膜封装层形成的密闭空间内设置有机功能层,所述的有机功能层的上方设置有第二电极层,相邻的第二电极层彼此绝缘,所述薄膜封装层和所述第二电极层之间设置有平坦化层,所述平坦化层远离所述第二电极层的一侧形成连续平面结构,所述薄膜封装层贴合设置在所述连续平面结构上。由于薄膜封装层是形成在所述平坦化层的连续平面的一侧,因此能够与平坦化层紧密贴合,且成膜连续性好,封装效果佳,且薄膜封装层不容易破损。此外,本实用新型采用的所述平坦化层采用有机材料和/或无机材料制备而成,优选透光率>70%,折射率为1.4-2.3的透明材料,可适用于透明屏体或背面发光层。
[0028]作为另一种实施方式,所述的平坦化层和封装层是由聚氢硅氮烷类材料、其衍生物或聚氢硅氮烷类材料组合物制备而成的一体结构。这种一体结构具有优良的密封效果,延长器件的寿命。
【附图说明】
[0029]为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解,下面结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中,
[0030]图1为本实用新型薄膜封装的OLED屏体结构示意图;
[0031]图2为本实用新型薄膜封装的OLED屏体另一实施方式的结构示意图;
[0032]图中附图标记表示为:
[0033]101-基板,102-第一电极层,103-有机功能层,104-第二电极层,105-隔离柱,106-平坦化层,107-薄膜封装层。
【具体实施方式】
[0034]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
[0035]本实用新型可以以许多不同的形式实施,而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开将是彻底和完整的,并且将把本实用新型的构思充分传达给本领域技术人员,本实用新型将仅由权利要求来限定。在附图中,为了清晰起见,会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是,当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时,该元件可以直接设置在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。相反,当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时,不存在中间元件。
[0036]如图1所示,本实用新型的一种薄膜封装的OLED屏体,包括导电基板和薄膜封装层107,所述的导电基板和所述薄膜封装层107形成的密闭空间内设置有机功能层103,所述的有机功能层103的上方设置有第二电极层104,相邻的第二电极层104彼此绝缘,所述薄膜封装层107和所述第二电极层104之间设置有平坦化层106,所述平坦化层106远离所述第二电极层104的一侧形成连续平面结构,所述薄膜封装层107贴合设置在所述连续平面结构上。
[0037]具体地,如图2所示,相邻的所述第二电极层104之间通过隔离柱105实现彼此绝缘,所述平坦化层106的上端与所述隔离柱105的顶端共同形成连续平面结构,所述薄膜封装层107贴合设置在所述连续平面结构上。
[0038]作为另一种实施方式,相邻的所述第二电极层104之间通过隔离柱105实现彼此绝缘,所述平坦化层106填充在隔离柱105之间并覆盖所述隔离柱105后,其上端形成连续平面结构,所述薄膜封装层107贴合设置在所述连续平面结构上。
[0039]所述导电基板包括基板101和设置在所述基板101上的第一电极层102,所述第一电极层102上设置有若干形成连续网格结构的像素限定层108,所述的网格结构中填充有机功能层103,所述像素限定层108上方设置有隔离柱105,所述隔离柱105将相邻有机功能层103上的第二电极层104彼此隔离绝缘。
[0040]所述平坦化层106的透光率>70%,折射率为1.4-2.3,所述的平坦化层106为有机材料层或无机材料层。
[0041]所述的平坦化层可以是小分子有机材料:优选分子量在500-1000之间,材料禁带宽度在2.0-3.0^间。例如即8^1^3、了80、?80工8?等等,该类材料可以通过真空热蒸镀的方式进行制备。
[0042]所述平坦化层可以为聚合物材料:例如亚克力、泰富龙、聚酰亚胺等。该类材料可以通过打印、丝印、热沉积等方式制备。
[0043]所述平坦化层可以为无机材料:如ZnSe、Mo03、W03中的一种或多种制备而成。该类材料可以通过真空热蒸镀、溅射等方式制备。
[0044]所述的平坦化层可以由聚氢硅氮烷类材料、其衍生物或聚氢硅氮烷类材料组合物制备而成的一体结构。聚氢硅氮烷分子式为:[SiH2NH]n;所述聚氢硅氮烷类材料组合物包括聚氢硅氮烷类材料、光固化剂和光引发剂。
[0045]根据平坦化层106的厚度和使用的材料的不同,具有下述实施例。
[0046]实施例1
[0047]如图1所示,本实施例的薄膜封装的OLED屏体,包括基板101和设置在所述基板101上的第一电极层102(阳极),所述第一电极层102上设置有若干形成连续网格结构的像素限定层108,所述的网格结构中填充有机功能层103,所述像素限定层108上方设置有隔离柱105,所述隔离柱105将相邻有机功能层103上的第二电极层104(阴极)彼此隔离绝缘。所示的有机功能层103包括堆叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层,其中空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可以省略一层或多层。
[0048]所述第二电极层104的上方设置有平坦化层106,所述的平坦化层106填充在所述的隔离柱105之间并覆盖所述隔离柱105后,其上端形成连续平面结构,所述薄膜封装层107贴合设置在所述连续平面结构上。所述的平坦化层是由分子量在500-1000之间,材料禁带宽度在2.0-3.0^间,例如即8^1^3、了80、?80工8?等等,该类材料可以通过真空热蒸镀的方式进行制备
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