一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电子元件设备领域，具体涉及一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管。
【背景技术】
[0002]目前，我国电子元件设备业发展迅速，用于电子元件的设备也多种多样，但是仍然面临着很多方面的挑战，需求寻找满足客户的解决方案。申请号:200910126539.0的中国专利文献报道了一种二极管，具体内容为:本发明涉及二极管。在半导体基板的第一主面设置有电导率调制型元件的PN结二极管中，若为缩短反向恢复时间(TRR)而降低P型杂质区域的杂质浓度，则存在空穴的注入降低，某电流点的正向电压(VF)的值变高的问题。若导入用于降低反向恢复时间的寿命扼杀剂则存在漏电流增加等问题。在单晶硅层即N-型半导体层上设置P型多晶硅层。与单晶硅层相比，由于多晶硅层中晶界多，故可抑制施加正向电压时从P型多晶硅层注入到N-型半导体层的空穴量。也可通过形成P型多晶硅层时形成在N-型半导体层和P型多晶硅层之间的自然氧化膜来降低注入到N-型半导体层的空穴量。可以不使用寿命扼杀剂而缩短施加反向电压时抽出空穴所需时间即反向恢复时间。本新型结构含有上述专利有的优点，但是上述专利对二极管的集成化程度不够。综上所述，所以我设计了一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管。
【实用新型内容】
[0003]为了解决上述存在的问题，本实用新型提供一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现:
[0005]—种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管，包括晶体二极管本体、频率增倍调节设备、扫描振荡调谐器，所述晶体二极管本体周围包裹着二极管封装外壳；所述二极管封装外壳镶嵌着P型反向基极；所述P型反向基极通过电路导线连接着反向电压调频元件；所述扫描振荡调谐器安装着自动频率控制装置；所述自动频率控制装置通过导线连接着锁相环电路；所述锁相环电路与可变电抗器平行设置；所述可变电抗器安装在阶跃恢复装置端面；所述阶跃恢复装置通过导线连接着所述频率增倍调节设备；所述频率增倍调节设备安装着N型整流发射极。
[0006]作为本实用新型的进一步优化方案，所述反向电压调频元件设置着所述扫描振荡调谐器；所述扫描振荡调谐器通过导线连接着所述锁相环电路；所述锁相环电路安装在所述阶跃恢复装置端面。
[0007]作为本实用新型的进一步优化方案，所述阶跃恢复装置通过导线连接着所述N型整流发射极；所述N型整流发射极镶嵌在所述二极管封装外壳上；所述二极管封装外壳内部设置有所述反向电压调频元件。
[0008]作为本实用新型的进一步优化方案，所述反向电压调频元件末端连接着所述锁相环电路；所述锁相环电路通过导线连接着所述频率增倍调节设备；所述频率增倍调节设备端面设置着所述可变电抗器。
[0009]与现有的技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单、设计合理、成本低廉，可以有效的对集成电路进行频率倍增调节，而且占地小、集成度高，能满足广大用户群体的需求，适合运用推广。
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型的结构主视图；
[0011]图2是本实用新型的结构俯视图。
[0012]图中:1、P型反向基极；2、反向电压调频元件；3、扫描振荡调谐器；4、自动频率控制装置；5、锁相环电路；6、可变电抗器；7、阶跃恢复装置；8、频率增倍调节设备；9、N型整流发射极；10、晶体二极管本体；11、二极管封装外壳。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图与【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述:
[0014]如图1、图2所示，一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管，包括晶体二极管本体10、频率增倍调节设备8、扫描振荡调谐器3，所述晶体二极管本体10周围包裹着二极管封装外壳11 ;所述二极管封装外壳11镶嵌着P型反向基极I ;所述P型反向基极I通过电路导线连接着反向电压调频元件2 ;所述扫描振荡调谐器3安装着自动频率控制装置4 ;所述自动频率控制装置4通过导线连接着锁相环电路5 ;所述锁相环电路5与可变电抗器6平行设置；所述可变电抗器6安装在阶跃恢复装置7端面；所述阶跃恢复装置7通过导线连接着所述频率增倍调节设备8 ;所述频率增倍调节设备8安装着N型整流发射极9。
[0015]所述反向电压调频元件2设置着所述扫描振荡调谐器3 ;所述扫描振荡调谐器3通过导线连接着所述锁相环电路5 ;所述锁相环电路5安装在所述阶跃恢复装置7端面；所述阶跃恢复装置7通过导线连接着所述N型整流发射极9 ;所述N型整流发射极9镶嵌在所述二极管封装外壳11上；所述二极管封装外壳11内部设置有所述反向电压调频元件2。
[0016]所述反向电压调频元件2末端连接着所述锁相环电路5 ;所述锁相环电路5通过导线连接着所述频率增倍调节设备8 ;所述频率增倍调节设备8端面设置着所述可变电抗器6ο
[0017]所述本新型结构安装有频率增倍调节设备、自动频率控制装置、阶跃恢复装置，所述频率增倍调节设备主要通过可变电抗器将电路频率调高，然后通过扫描振荡调谐器将高频率电路过滤，由此进行频率增倍调节；所述自动频率控制装置通过接收频率增倍调节设备调节的电路后，对其进行自动控制；所述阶跃恢复装置将电路的高频信号恢复为可调可控的平稳信号。本实用新型结构简单、设计合理、成本低廉，可以有效的对集成电路进行频率倍增调节，而且占地小、集成度高，能满足广大用户群体的需求，适合运用推广。
[0018]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管，其特征在于:包括晶体二极管本体、频率增倍调节设备、扫描振荡调谐器，所述晶体二极管本体周围包裹着二极管封装外壳；所述二极管封装外壳镶嵌着P型反向基极；所述P型反向基极通过电路导线连接着反向电压调频元件；所述扫描振荡调谐器安装着自动频率控制装置；所述自动频率控制装置通过导线连接着锁相环电路；所述锁相环电路与可变电抗器平行设置；所述可变电抗器安装在阶跃恢复装置端面；所述阶跃恢复装置通过导线连接着所述频率增倍调节设备；所述频率增倍调节设备安装着N型整流发射极。2.根据权利要求1所述的一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管，其特征在于:所述反向电压调频元件设置着所述扫描振荡调谐器；所述扫描振荡调谐器通过导线连接着所述锁相环电路；所述锁相环电路安装在所述阶跃恢复装置端面。3.根据权利要求1所述的一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管，其特征在于:所述阶跃恢复装置通过导线连接着所述N型整流发射极；所述N型整流发射极镶嵌在所述二极管封装外壳上；所述二极管封装外壳内部设置有所述反向电压调频元件。4.根据权利要求1所述的一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管，其特征在于:所述反向电压调频元件末端连接着所述锁相环电路；所述锁相环电路通过导线连接着所述频率增倍调节设备；所述频率增倍调节设备端面设置着所述可变电抗器。
【专利摘要】本实用新型公开了一种安装在集成电路中的频率倍增晶体二极管，包括晶体二极管本体、频率增倍调节设备、扫描振荡调谐器，所述晶体二极管本体周围包裹着二极管封装外壳；所述二极管封装外壳镶嵌着P型反向基极；所述P型反向基极通过电路导线连接着反向电压调频元件；所述扫描振荡调谐器安装着自动频率控制装置；所述自动频率控制装置通过导线连接着锁相环电路；所述锁相环电路与可变电抗器平行设置；所述可变电抗器安装在阶跃恢复装置端面。本实用新型结构简单、设计合理、成本低廉，可以有效的对集成电路进行频率倍增调节，而且占地小、集成度高，能满足广大用户群体的需求，适合运用推广。
【IPC分类】H01L29/861, H01L25/00
【公开号】CN204927298
【申请号】CN201520349536
【发明人】钱秋平
【申请人】钱秋平
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年5月27日