一种新结构pq型磁芯的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及磁芯技术领域，尤其是涉及一种新结构PQ型磁芯。
【背景技术】
[0002]为了增加电磁体的磁感应强度，在电感线圈的磁路中设置的导磁物质体称为磁芯。客户原使用的PQ26磁芯由于电子元器件工作直流电流的不断加大，导致其直流叠加特性已无法满足整机的需要，需要改进。传统标准上PQ26磁芯已不能满足现在电器的装配需求。
[0003]如图1所示，现有PQ26磁芯的俯视图，包括磁芯底板2、磁芯芯柱1及分设在磁芯芯柱1两侧的磁芯边腿3，所述磁芯芯柱1的上下边缘凸出磁芯底板2的范围，所述磁芯底板2为带折点的向内扇形，扇形边延伸与磁芯芯柱1相交连接，所述两侧磁芯边腿3相对应内壁的距离b为16mm，所述磁芯边腿3的外壁长度d为19mm。所述磁芯底板2的折点直接的距离e为7mm，所述磁芯芯柱1凸出磁芯底板2部分的横向距离f为5.5mm。
[0004]如图2所示，现有PQ26磁芯的剖面示意图，所述两侧的磁芯边腿3的外壁之间的距离a为26.5mm所述磁芯芯柱1的截面直径c为12mm。
[0005]通过分析，要想提高磁芯的输出功率，需要从磁芯边腿的磁通面积、磁芯芯柱的磁通面积及磁芯底板的磁通面积这三方面着手进行改进，并且磁芯整体的体积不能过大，防止不能在现有的预装空间里进行安装。
【发明内容】
[0006]发明目的:针对现有技术的不足，申请人经过多次实践改进，设计了一种新结构PQ型磁芯，同时增加了磁芯边腿的磁通面积、磁芯芯柱的磁通面积及磁芯底板的磁通面积。
[0007]技术方案:为了实现上述发明目的，本实用新型所采用的技术方案为:一种新结构PQ型磁芯，包括磁芯底板、磁芯芯柱及分设在磁芯芯柱两侧的磁芯边腿，所述磁芯芯柱的上下边缘凸出磁芯底板的范围，所述磁芯底板为带折点的向内扇形，扇形边延伸与磁芯芯柱相交连接。
[0008]本实用新型的一个目的为增加磁芯边腿的磁通面积，采用的技术改进方案为:所述两侧的磁芯边腿的外壁之间的距离a为27.8mm，所述两侧磁芯边腿相对应内壁的距离b为16.5mm，所述磁芯边腿的外壁长度d为19.5mm。
[0009]本实用新型的又一个目的为增加磁芯芯柱的磁通面积，采用的技术改进方案为:加粗原有的磁芯芯柱，即将所述磁芯芯柱的截面直径c增加为12.3mm。
[0010]本实用新型的还一个目的为增加磁芯底板的磁通面积，采用的技术改进方案为:所述磁芯底板的折点之间的距离e增加为4mm，所述磁芯芯柱凸出磁芯底板部分的横向距离f缩小为2.5mm。
[0011]有益效果:本实用新型与现有技术相比，其有益效果是:
[0012]本实用新型同时增加了磁芯边腿的磁通面积、磁芯芯柱的磁通面积及磁芯底板的磁通面积，能够耐受电子元器件更高的工作直流电流，使用寿命得到进一步延长。
【附图说明】
[0013]图1为现有PQ26磁芯的俯视图。
[0014]图2为现有PQ26磁芯的剖面示意图。
[0015]图3为本实用新型一种新结构PQ型磁芯的俯视图。
[0016]图4为本实用新型一种新结构PQ型磁芯的结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]下面通过一个最佳实施例，对本技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。
[0018]如图3所示，一种新结构PQ型磁芯，包括磁芯底板2、磁芯芯柱1及分设在磁芯芯柱1两侧的磁芯边腿3，所述磁芯芯柱1的上下边缘凸出磁芯底板2的范围，所述磁芯底板2为带折点的向内扇形，扇形边延伸与磁芯芯柱1相交连接。所述两侧的磁芯边腿3的外壁之间的距离a为27.8mm，所述两侧磁芯边腿3相对应内壁的距离b为16.5mm，所述磁芯边腿3的外壁长度d为19.5mm。所述磁芯底板2的折点之间的距离e为4mm，所述磁芯芯柱1凸出磁芯底板2部分的横向距离f为2.5mm
[0019]如图4所示，所述磁芯芯柱1的截面直径c为12.3mm。并且磁芯芯柱1两侧的磁芯边腿3呈对称分布。
[0020]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种新结构PQ型磁芯，包括磁芯底板(2)、磁芯芯柱⑴及分设在磁芯芯柱⑴两侧的磁芯边腿(3)，所述磁芯芯柱(I)的上下边缘凸出磁芯底板(2)的范围，所述磁芯底板(2)为带折点的向内扇形，扇形边延伸与磁芯芯柱(I)相交连接，其特征在于:所述两侧的磁芯边腿(3)的外壁之间的距离a为27.8mm，所述两侧磁芯边腿(3)相对应内壁的距离b为16.5mm，所述磁芯边腿(3)的外壁长度d为19.5mm。2.根据权利要求1所述的一种新结构PQ型磁芯，其特征在于:所述磁芯芯柱(I)的截面直径c为12.3mm。3.根据权利要求1所述的一种新结构PQ型磁芯，其特征在于:所述磁芯底板(2)的折点之间的距离e为4mm，所述磁芯芯柱(I)凸出磁芯底板(2)部分的横向距离f为2.5mm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种新结构PQ型磁芯，包括磁芯底板、磁芯芯柱及分设在磁芯芯柱两侧的磁芯边腿，所述磁芯芯柱的上下边缘凸出磁芯底板的范围，所述磁芯底板为带折点的向内扇形，扇形边延伸与磁芯芯柱相交连接。所述两侧的磁芯边腿的外壁之间的距离a为27.8mm，所述两侧磁芯边腿相对应内壁的距离b为16.5mm，所述磁芯边腿的外壁长度d为19.5mm。本实用新型同时增加了磁芯边腿的磁通面积、磁芯芯柱的磁通面积及磁芯底板的磁通面积，能够耐受电子元器件更高的工作直流电流，使用寿命得到进一步延长。
【IPC分类】H01F27/24, H01F27/26
【公开号】CN204991375
【申请号】CN201520417628
【发明人】李前军, 颜茂山, 杜兴龙, 王亮, 袁翔, 季长贵, 马鑫圣, 刘广泽, 校荣升
【申请人】泰州茂翔电子器材有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年6月16日