一种用于x射线平板探测器的电磁屏蔽结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构包括：至少一碳纤维板；至少一通过形成于所述碳纤维板表面的高分子膜层，至少一形成于所述高分子膜层表面的电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层的厚度为3~10微米。本实用新型用于解决现有技术中X射线平板探测器正面电磁屏蔽防护能力不足的问题。
【专利说明】
一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种电磁屏蔽结构，特别是涉及一种解决X射线平板探测器正面电磁屏蔽的电磁屏蔽结构。【背景技术】
[0002]在X线摄影中，数字化X线影像同普通X线影像相比具有图像分辨率高、灰阶度广、 图像信息量大，有助于提高诊断准确率。数字化摄片(Digital Rad1graphy，DR)中，X线转换成电信号是通过平板探测器(Flat Plane Detector，FPD)来实现的，所以平板探测器的特性会对DR图像质量产生比较大的影响。
[0003]自然界，生活工作环境中，存在各种频段的电磁波，会对电路中传输的信号产生干扰，形成噪声。目前的DR设备自动化程度高，各种转动部分所使用的电机都会产生电磁干扰，其中，平板探测器TFT电路正面的电磁干扰防护能力比较薄弱，在磁场干扰下，DR图像质量会产生比较大的影响，从而影响客户体验。
[0004]为了解决电磁干扰问题，多数厂家在平板探测器TFT电路正面会进行电磁屏蔽设计，比如添加铝薄膜。但是铝薄膜对电场的屏蔽较好，对于磁场的干扰屏蔽效果一般。【实用新型内容】
[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构，用于解决现有技术中X射线平板探测器正面电磁屏蔽防护能力不足的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构包括:至少一碳纤维板;至少一通过形成于所述碳纤维板表面的高分子膜层， 至少一形成于所述高分子膜层表面的电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层的厚度为3?10微米。
[0007]优选地，所述电磁屏蔽层的材料为坡莫合金。
[0008]优选地，至少一通过胶粘剂形成于所述碳纤维板表面的高分子膜层，所述胶粘剂为压敏胶或AB胶。
[0009]优选地，所述高分子膜层的材料为PET或PP。
[0010]优选地，所述高分子膜层厚度为45?55微米。[〇〇11]优选地，所述用于形成高分子膜层的高分子膜宽度为500?550微米。[〇〇12] 优选地，所述高分子膜表面磁控溅射的面积为500X500微米。
[0013]本实用新型还提供一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构的制备方法包括: 提供至少一碳纤维板;于所述碳纤维板表面形成至少一高分子膜层;于所述高分子膜层表面形成至少一电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层的厚度为3?10微米。
[0014]优选地，所述电磁屏蔽层采用磁控溅射的方式形成。
[0015]优选地，所述高分子膜层通过胶粘剂形成于所述碳纤维板表面。
[0016]如上所述，本实用新型的一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构及制备方法，具有以下有益效果:
[0017]1)本实用新型提高了平板探测器中场效应晶体管(TFT)电路正面的抗电磁干扰能力。
[0018]2)解决了大面积薄膜材料的成型和加工问题，解决薄膜材料支撑体强度和韧性。
[0019]3)适当的电磁屏蔽层厚度在具有电磁屏蔽的效果的同时，也尽可能减少了对X射线的吸收。
[0020]4)成本增加有限，可以使图像质量好，提升公司产品的市场竞争力。【附图说明】
[0021]图1显示为本实用新型的一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构的示意图。
[0022]图2显示为本实用新型的一种具有电磁屏蔽结构的X射线平板探测器的示意图。[〇〇23]元件标号说明[〇〇24] 0平板区域标识板[〇〇25]1碳纤维板[〇〇26]2高分子膜层[〇〇27]3电磁屏蔽层
[0028]4闪烁体层
[0029] 5TFT非晶硅面板[〇〇3〇]6金属结构件
[0031]7电路板[〇〇32]8金属机壳【具体实施方式】
[0033]以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
[0034]请参阅图1至图2。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、 “右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。[〇〇35] 实施例一
[0036]如图1所示，本实用新型提供一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构包括:
[0037]至少一碳纤维板1;至少一通过形成于碳纤维板1表面的高分子膜层2,至少一形成于所述高分子膜层2表面的电磁屏蔽层3,所述电磁屏蔽层3的厚度为3?10微米;至少一通过胶粘剂形成于碳纤维板1表面的高分子膜层2。其中，本实施中的电磁屏蔽层3的厚度为5 微米，既避免屏蔽膜对X射线的大量吸收，也可以起到一定的电磁屏蔽效果。
[0038]其中，所述电磁屏蔽层3采用磁控溅射的方式形成于高分子膜层2表面。具体的，采用用磁控溅射方式，在PET或PP或其它高分子薄膜上沉积一层3?10微米左右的电磁屏蔽层 3。磁控溅射是一种制备薄膜的方法，具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。[〇〇39]其中，用于形成高分子膜层2的高分子膜厚度为45?55微米，宽度为500?550毫米，比高分子膜表面磁控溅射的面积大，形成的高分子膜层2厚度与高分子膜厚度一致。所述高分子膜层的材料为PET，PP或其它柔韧性好的高分子薄膜材料。本实施例中的高分子膜层可对20微米以内的电磁屏蔽层提供好的韧性和支撑，而且易加工和复合在刚性衬底上。 其他实施例中也可以使用其他高分子薄膜材料。
[0040]本实施例中，用于形成高分子膜层2的高分子膜厚度为50微米，宽度为550毫米。高分子膜表面磁控溅射的面积为500mmX500mm。高分子膜表面磁控溅射的面积比产品所需要的尺寸大，便于之后根据产品尺寸不同，按需求裁剪，然后把按需求裁剪好的具有电磁屏蔽层3的高分子膜通过胶粘剂复合到碳纤维板1表面。所述胶粘剂为压敏胶或AB胶。其它实施例中，也可以采用其他胶粘剂或粘连方式。
[0041]其中，电磁屏蔽层3的材料为能够防护电磁干扰的坡莫合金。本实施例中，坡莫合金指铁镍合金，其含镍量的范围很广，在35%?90%之间。坡莫合金的最大特点是具有很高的弱磁场导磁率。本实施例中使用市场上能购买到的坡莫合金靶材。其他实施例中，还可以使用其他具有抗电磁干扰功能的金属作为电磁屏蔽层3,例如金属镍，不局限于本实施例中的材料。[〇〇42] 实施例二
[0043]如图2所示，本实用新型提供一种具有电磁屏蔽结构的X射线平板探测器。
[0044]本实施例中的X射线平板探测器至少包括:包括金属机壳8内的探测器电路板7，位于该探测器电路板7上的金属结构件6,位于金属结构件6上的TFT非晶硅面板5;形成于该 TFT非晶硅面板5上表面的闪烁体层4;形成于所述闪烁体层4上的碳纤维板1，形成于所述碳纤维板1下表面的高分子膜层2及形成于高分子膜层下表面的电磁屏蔽层3;形成于所述碳纤维板1上的平板区域标识板0。
[0045]具体的讲，先在高分子膜层2上形成电磁屏蔽层3,再将具有电磁屏蔽层3的高分子膜层2通过胶粘剂复合在碳纤维板1下表面，并形成于所述闪烁体层4上。其它实施例也可以先将高分子膜层2通过胶粘剂复合在碳纤维板1下表面，再在高分子膜上形成电磁屏蔽层3。
[0046]其中，电磁屏蔽层3可以使用下面的方法获得:使用真空镀膜的方式在高分子膜上镀上厚度3?10微米的电磁屏蔽层3。真空镀膜方式，包括热蒸发、磁控溅射、电子枪等各种 PVD、CVD成膜方法。
[0047]其他实施例中，所述电磁屏蔽层3可以包括多个电磁屏蔽层3,也可以根据需要藉由粘合材料以及多个高分子膜层2分别结合于所述碳纤维板1的上表面或者下表面。本实施例不限制电磁屏蔽层3和高分子膜层2的数量，以及放置位置和放置方式。
[0048]综上所述，本实用新型的一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构，具有以下有益效果:
[0049]1)本实用新型提高了平板探测器中场效应晶体管(TFT)电路正面的抗电磁干扰能力。
[0050]2)解决了大面积薄膜材料的成型和加工问题，解决薄膜材料支撑体强度和韧性。
[0051]3)适当的电磁屏蔽层厚度在具有电磁屏蔽的效果的同时，也尽可能减少了对X射线的吸收。[〇〇52]4)成本增加有限，可以使图像质量好，提升公司产品的市场竞争力。
[0053]所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。 [〇〇54]上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述电磁屏蔽结构包括:至少一碳纤维板；至少一通过形成于所述碳纤维板表面的高分子膜层，至少一形成于所述高分子膜层表面的电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层的厚度为3?10微 米。2.根据权利要求1所述的用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构，其特征在于:所述电 磁屏蔽层的材料为坡莫合金。3.根据权利要求1所述的用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构，其特征在于:至少一 通过胶粘剂形成于所述碳纤维板表面的高分子膜层，所述胶粘剂为压敏胶或AB胶。4.根据权利要求1所述的用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构，其特征在于:所述高 分子膜层的材料为PET或PP。5.根据权利要求1所述的用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构，其特征在于:所述高 分子膜层厚度为45?55微米。6.根据权利要求1所述的用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构，其特征在于:所述用 于形成高分子膜层的高分子膜宽度为500?550微米。7.根据权利要求6所述的用于X射线平板探测器的电磁屏蔽结构，其特征在于:所述高 分子膜表面磁控溅射的面积为500 X 500微米。
【文档编号】H01L27/146GK205645812SQ201620387886
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月3日
【发明人】周作兴, 程丙勋, 崔亚辉
【申请人】奕瑞影像科技（太仓）有限公司