新型漏电断路器的制作方法

文档序号:7300816阅读:148来源:国知局
专利名称:新型漏电断路器的制作方法
技术领域
本发明涉及漏电保护装置。
背景技术
电器供电用的两根导线会产生许多潜在的危险情况。在特定的环境下,导线中存在接地故障和中性线接地的危险。在火线和中性线之间的电流失调时将产生接地故障。中性线连接到负载的地线上时会产生中性线接地故障。
传统的接地故障断路器包括带一对反向初级线圈的微分变压器,一个初级线圈与电源关联,另一个与中性线关联。如果在GFCI的负载侧出现接地故障,两个初级线圈产生的磁通不再相抵消,并在微分变压器的中心产生磁通。这种磁通被绕在微分变压器中心的次级线圈探测到。作为响应,次级线圈产生一个跳闸信号,依次将电源和负载间的至少一根导线断开,这样就排除了危险。
但是,实际使用中,软导线可能经常弯曲或承受重压,特别是在很长时间内,导致火线和中性线周围的绝缘击穿。当绝缘击穿时,在火线与中性线间将产生漏电流和飞弧。即使电器软导线与一个接地故障断路器并用,或插入到接地故障断路器上,负载侧的飞弧不使微分变压器失去平衡,因此,不能被接地故障断路器探测到。另一方面,这种接地故障断路器制造成本相对较高。

发明内容
本发明的目的是提供一种产生成本相对较低、工作可靠性高的漏电断路器。
实现上述发明目的的技术解决方案是这样的1、新型漏电断路器,包括软导线,所述软导线包括火线L、中性线N、地线G和一个包裹火线L和中性线N外面的金属屏蔽网,其特征在于还包括中断器、过零触发光藕、双向可控硅及二极管;所述过零触发光藕IC1的光电管负极通过二极管D1连接中性线N,并通过二极管D2连接火线L光电管正极通过电阻R3连接到火线L和中性线N外面的金属屏蔽网;所述过零触发光藕IC1的输出端第4脚通过串联电阻R2连接着可控硅T1的输出端,可控硅T1的输入端连接着负载火线L;
所述中断器包括开关Q2和电磁线圈,开关Q2由双联开关K1、K2组成,并连接在电源与负载之间的火线L和中性线N上,电磁线圈的一端连接电源中性线N,另一端连接可控硅T1的输出端。
2、根据上述1所述的新型漏电断路器,其特征在于所述过零触发光藕IC1的型号为MOC3061。
3、根据上述1所述的漏电断路器,其特征在于所述可控硅T1的型号为BT134。
4、根据上述1所述的漏电断路器,其特征在于所述二极管D1、D2的型号为IN4007。
5、根据上述1所述的漏电断路器,其特征在于所述过零触发光藕IC1的光电管一侧并联着电容C1,所述电容C1为涤纶电容,其容量为0.01μF。
6、根据上述1所述的漏电断路器,其特征在于金属氧化膜电阻RV1的一端连接着火线L,另一端接中性线N,作用是消除浪涌电流。
7、根据上述1所述的漏电断路器,其特征在于所述可控硅T1的门极通过电容C3连接火线L,作用是消除高频干扰,容量为0.01μF。
8、根据上述1所述的漏电断路器,其特征在于所述可控硅输入端与输出端之间并联电容C2,作用是消除高频干扰,容量为0.1μF。
9、根据上述1所述的漏电断路器,其特征在于一个发光二极管与电阻R4串联后接在所述火线L和中性线N之间,用来显示工作状态。
本发明有益技术效果是由于采用过零触发光藕和可控硅电路取代了微分变压器电路,一方面减小了产品的体积,减少了产品的零部件,有利于生产装配,降低了产品的制造成本;另一方面,本装置在没有改变上述保护功能的前提下,仅使用一只光藕对漏电流进行检测,使产品的结构简化。


图1为本发明电路原理图。
图2为中断器电原理图。
具体实施例方式
下面结合附图,通过实施例对本发明作进一步地说明。
实施例参见图1,漏电断路器,包括软导线,软导线包括火线L、中性线N、地线G和一个包裹火线L和中性线N的金属屏蔽网11。还包括中断器、一个过零触发光藕IC1、双向可控硅T1及二极管,见图1。
中断器KG-1包括双联开关Q2和电磁线圈见图.2,双联开关Q2包括开关K1、K2,双联开关Q2连接在电源与负载之间的火线L和中性线N上,电磁线圈的一端连接电源中性线N,另一端连接可控硅T1的输出端,可控硅T1的型号为BT134。
过零触发光藕IC1的型号为MOC3061。过零触发光藕IC1的光电管负极通过二极管D1连接中性线N,并通过二极管D2连接火线L;光电管正极通过电阻R3连接到火线L和中性线N外面的金属屏蔽网;过零触发光藕IC1的输出端第4脚通过串联电阻R2连接着可控硅T1的输出端,可控硅T1的输入端连接着负载火线L。过零触发光藕IC1的光电管一侧并联着电容C1,所述电容C1为涤纶电容,其容量为0.01μF。
二极管D1、D2的型号为IN4007。
金属氧化膜电阻RV1的一端连接着火线L,另一端接中性线N,作用是消除浪涌电流。
一个发光二极管与电阻R4串联后接在所述火线L和中性线N之间,用来显示工作状态。
一个电容C2连接在所述可控硅T1的输入端与输出端之间,其容量为0.1μF,一个电容C3连接在可控硅T1的门极与火线L之间,其容量为0.01μF,电容C2和C3的作用均为消除高频干扰。
其工作原理是电流经二极管D1流到光藕IC1。当火线L和金属屏蔽网11间存在飞弧时,产生的漏电流负半周流过光藕IC1的光电管的正极2、二极管D1流向中性线N,并使光电管发光,从而触发可控硅T1导通,中断器KG-1内的电磁线圈得电,作为响应,断开开关Q2,切断负载的电源,从而实现消除飞弧。当中性线N和金属屏蔽网11间存在飞弧时,产生的漏电流负半周流过光藕IC1的光电管的正极2、二极管D2流向火线L,并使光电管发光,从而触发可控硅T1导通,中断器KG-1内的电磁线圈得电,作为响应,断开开关Q2,切断负载的电源,从而实现消除飞弧。断开电源时的漏电流大小通过改变电阻R3的阻值来实现。电容C1、C2、C3的作用为抑制高频干扰。
权利要求
1.新型漏电断路器,包括软导线,所述软导线包括火线L、中性线N、地线G和一个包裹火线L和中性线N外面的金属屏蔽网,其特征在于还包括中断器、过零触发光藕、双向可控硅及二极管;所述过零触发光藕IC1的光电管负极通过二极管D1连接中性线N,并通过二极管D2连接火线L光电管正极通过电阻R3连接到火线L和中性线N外面的金属屏蔽网;所述过零触发光藕IC1的输出端第4脚通过串联电阻R2连接着可控硅T1的输出端,可控硅T1的输入端连接着负载火线L;所述中断器包括开关Q2和电磁线圈,开关Q2由双联开关K1、K2组成,并连接在电源与负载之间的火线L和中性线N上,电磁线圈的一端连接电源中性线N,另一端连接可控硅T1的输出端。
2.根据权利要求1所述的新型漏电断路器,其特征在于所述过零触发光藕IC1的型号为MOC3061。
3.根据权利要求1所述的漏电断路器,其特征在于所述可控硅T1的型号为BT134。
4.根据权利要求1所述的漏电断路器,其特征在于所述二极管D1、D2的型号为IN4007。
5.根据权利要求1所述的漏电断路器,其特征在于所述过零触发光藕IC1的光电管一侧并联着电容C1,所述电容C1为涤纶电容,其容量为0.01μF。
6.根据权利要求1所述的漏电断路器,其特征在于金属氧化膜电阻RV1的一端连接着火线L,另一端接中性线N。
7.根据权利要求1所述的漏电断路器,其特征在于所述可控硅T1的门极通过电容C3连接火线L,电容C3的容量为0.01μF。
8.根据权利要求1所述的漏电断路器,其特征在于所述可控硅输入端与输出端之间并联电容C2,电容C2的容量为0.1μF。
9.根据权利要求1所述的漏电断路器,其特征在于一个发光二极管与电阻R4串联后接在所述火线L和中性线N之间。
全文摘要
本发明涉及漏电保护装置。所要解决的问题是提供一种产生成本相对较低、工作可靠性高的漏电断路器。特点是采用过零触发光藕检测相线或中性线与外面金属屏蔽网之间的漏电流。当金属屏蔽网与相线和中性线之间存在飞弧时,光藕内部输出过零,触发脉冲,使得双向可控硅导通,使中断器得电动作,从而断开装置达到漏电保护的目的。该装置制造成本低。
文档编号H02H3/14GK1885473SQ20051004079
公开日2006年12月27日 申请日期2005年6月24日 优先权日2005年6月24日
发明者杨志成, 柯洪涛 申请人:安徽飞达实业股份有限公司
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