磁场屏蔽片及其制造方法和无线充电器用接收装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及借助当以非接触(无线)方式将充电器功能实现在便携式终端设备等时所产生的交流磁场来防止对便携式终端设备等本体产生影响，且电力传输效率优秀的无线充电器用磁场屏蔽片及其制造方法和利用该无线充电器用磁场屏蔽片的无线充电器用接收装置。本发明的特征在于，包括：至少一层的薄板磁性片，由分离为多个细片的非晶带材形成，保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄板磁性片的一面，以及双面胶带，通过设置于一侧面的第二粘结层粘结于上述薄板磁性片的另一面；上述多个细片之间的缝隙由上述第一粘结层和第二粘结层的一部分填充，以使上述多个细片绝缘。
【专利说明】磁场屏蔽片及其制造方法和无线充电器用接收装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及无线充电器用磁场屏蔽片及其制造方法和利用该无线充电器用磁场屏蔽片的无线充电器用接收装置，尤其，涉及用于防止在便携式终端等设备，以非接触(无线)方式实现充电器功能时所产生的交流磁场对便携式终端设备等的本体产生影响，且电力传输效率优秀的无线充电器用磁场屏蔽片及其制造方法和利用该无线充电器用磁场屏蔽片的无线充电器用接收装置。
【背景技术】
[0002]便携式终端、摄像机等电子设备所搭载的二次电池的充电方法有两种，分别为接触式充电方式和非接触式充电方式。接触式充电方式是指，使受电装置的电极直接与供电装置的电极相接触，以此来进行充电的方式。
[0003]就接触式充电方式而言，由于其装置结构简单，因而通常在广泛的应用领域中使用，但随着电子设备趋于小型化及轻量化，各种电子设备的重量变轻，导致受电装置的电极与供电装置的电极之间的接触压不足，从而产生充电不良(充电出错)等问题。并且，由于二次电池的耐热性差，因而需要防止电池温度上升，且需要注意电路的设计，以防止过放电及过充电的产生。为了解决这种问题，最近正在研究非接触式充电方式。
[0004]非接触式充电方式是指，通过在受电装置和供电装置的两侧设置线圈来利用电磁感应的充电方式。
[0005]非接触式充电器以铁氧体磁芯为磁芯，在上述铁氧体磁芯的周围卷绕线圈，以此来实现小型化。并且，为了实现小型化及薄型化，提出了混合铁氧体粉末和无定形粉末来形成树脂基板，并在上述树脂基板封装线圈等的技术。但是，若将铁氧体加工成薄状，则容易断裂，且耐冲击性弱，从而存在因设备的下落或冲突等而使受电系统产生缺陷的问题。
[0006]并且，迎合电子设备的薄型化趋势，为了实现受电部分的薄型化，采用了在线圈印刷金属粉末糊剂而成的平面线圈。提出了使用平面线圈和磁性片来加强结合的结构。在这些被提出的结构中，将磁性体(磁性片)用作了用于加强第一线圈和第二线圈之间的结合的芯材。
[0007]另一方面，当送电速度变大时，除了相邻的变压器之间的结合之外，上述变压器的周边部件也容易产生因发热而引起的缺陷。即，使用平面线圈的情况下，通过平面线圈的磁通量与设备内部的基板等相连接，从而因电磁感应而产生的涡电流而导致装置的内部发热。其结果，存在因无法发送较大的电力而导致充电时间过长等问题。
[0008]为了解决这种问题，也将磁性体(磁性片)用作了相对于背面的屏蔽材料(shielding member)。就获得充分的屏蔽效果而言,磁性体(磁性片)的磁导率大且面积及厚度越大，越能够获得更有效的屏蔽效果。
[0009]通常，将非晶带材、铁氧体及包括磁粉的聚合物片等磁性体用作这种磁场屏蔽片。磁场聚焦效果表现为屏蔽磁场以及提高附加功能、性能，按磁场聚焦效果的优劣来排列，依次为磁导率高的非晶带材、铁氧体及包括磁粉的聚合物片。[0010]以往的非接触式充电系统的受电装置中，为了加强用于提高送电效率的结合，也为了提高用于抑制发热的屏蔽性，在与第一线圈一侧相反的一面，即在第二线圈的表面配置具有高磁导率及大体积的磁性体(磁性片)。根据这种配置，由于第一线圈的电感变动变大，且因磁性体和第一线圈之间的相对位置关系，存在谐振电路的工作条件不符合能够发挥充分效果的谐振条件的问题。
[0011]韩国公开特许第10-2010-31139号(专利文献I)中提出了如下技术:为了解决如上所述的问题，提供了能够提高谐振性且能够抑制发热的受电装置，由此能够将使用受电装置的电子设备及受电系统的送电电力变大，且能够缩短充电时间。
[0012]S卩，韩国公开特许第10-2010-31139号中提出了如下技术:在螺旋形线圈(受电一侧螺旋形线圈:第二线圈)和二次电池之间以及整流器和上述螺旋形线圈之间中的至少一处配置包括多个磁性片(磁性带)的复合磁性体，以防止从供电一侧螺旋形线圈(第一线圈)产生的磁通量与电路板及二次电池等互连，抑制由感应电动势(电磁感应)引起的噪声及发热，并控制基于第二线圈有无与否的第一线圈的电感变动量，来提高由第一线圈构成的谐振电路的谐振性，以此来有效控制振荡。
[0013]如下设定上述复合磁性体:S卩，与螺旋形线圈相邻的第一磁性片的第一磁阻小于或等于60，层叠于第一磁性片的第二磁性片的第二磁阻大于或等于100，(第二磁阻/第一磁阻)值大于或等于1.0。
[0014]利用粘结层将聚碳酸酯树脂分别粘结于第一非晶带材的两面来制成上述第一磁性片，并利用粘结层将聚碳酸酯树脂分别粘结于非磁导率相对更大的第二非晶带材的两面来制成第二磁性片之后，将粘结层介于第一磁性片和第二磁性片之间，来粘结成一体。
[0015]另一方面，铁氧体片或包括磁粉的聚合物片的情况下，与非晶带材相比，磁导率稍微低，想要改善这种低的磁导率的性能的情况下，与作为数十um厚度的薄板的非晶带材相t匕，厚度变厚，因而具有难以迎合终端的薄型化趋势的问题。
[0016]并且，磁导率高的非晶带材的情况下，由于带材本身为金属薄板，因而没有对厚度的负担，但若向非晶带材施加了用于电力传输的基于IOOkHz频率的交流磁场，则产生因带材表面的润电流(EddyCurrent)的影响而使应用功能下降,或者当进行无线充电时效率下降以及发热等问题。
[0017]Co类或Fe类非晶带材的情况下，能够通过热处理来稍微提高表面电阻，但为了更加减少涡电流的影响而进行减小带材的表面积的碎片化(Flake)等加工的情况下，磁导率明显下降，导致作为屏蔽片的功能大大降低。
[0018]并且，在无线充电器的情况下，为了最大限度地提高充电器的效率而使电力传输发送器采用有助于与接收部相匹配(align)的永久磁铁的结构较多，而较薄的屏蔽片借助永久磁铁的直流磁场而产生磁化(饱和)现象，导致性能下降，或者产生电力传输效率急剧下降的问题。
[0019]由此，以往，为了在不受永久磁铁影响的情况下呈现屏蔽特性，需要使屏蔽片的厚度成为0.5T以上，即只有厚度非常厚，才能够维持高的电力传输效率，因而在实现便携式终端薄型化的过程中成为了较大的障碍。
【发明内容】
[0020]技术问题
[0021]由于无线充电器的第二线圈诱导的电压根据法拉第定律(Faraday’s law)和楞次定律(Lenz’s law)来决定，因而要想获得高电压信号，与第二线圈互连的磁通量越多就越有利。第二线圈所包括的软磁材料的量越多，且材料的磁导率越高，磁通量就会越大。尤其，无线充电装置本质上是基于非接触的电力传输，因而要想使发送装置的第一线圈中形成的无线电波聚焦于接收装置的第二线圈，就需要使封装第二线圈的磁场屏蔽片由磁导率高的磁性材料形成。
[0022]根据以往技术，无线充电器用磁场屏蔽片为薄膜，且尚未提出解决因屏蔽而引起的发热问题以及能够提高无线充电效率的解决方案。对此，本发明人意识到在使用非晶带材的情况下，即使对带材进行碎片化，电感(磁导率)的减小量也少，且随着磁阻大大减小，第二线圈的品质因数(Q)将增加，由此实现本发明。
[0023]因此，本发明是为了解决如上所述的以往技术的问题而提出的，其目的在于，提供无线充电器用磁场屏蔽片及其制造方法和利用该无线充电器用磁场屏蔽片的无线充电器用接收装置，借助非晶带材的碎片化处理来大大减少由润电流(Eddy Current)引起的损失，由此屏蔽对便携式终端设备等的本体及电池产生的磁场影响，并增加第二线圈的品质因数(Q)，以此来确保优秀的电力传输效率。
[0024]本发明的再一目的在于，提供无线充电器用磁场屏蔽片及其制造方法，能够在非晶带材的碎片化处理后，借助压接层叠处理来将粘结剂填充于非晶带材的细片之间的缝隙，由此防止水分渗透，并用粘结剂(介电质)来包覆细片的所有面，来使细片相互绝缘(isolation),以减少润电流,从而防止屏蔽性能下降。
[0025]本发明的另一目的在于，提供无线充电器用磁场屏蔽片及利用该无线充电器用磁场屏蔽片的无线充电器用接收装置，通过将屏蔽片的形状设定为与无线充电器用接收装置的第二线圈类似的形状，来使用少量的纳米晶带材，并具有高的电力传输效率。
[0026]本发明的还一目的在于，提供无线充电器用磁场屏蔽片及其制造方法，能够以卷对卷方法依次执行碎片化和层叠处理，来实现薄片的成型，从而维持薄片的原有厚度，并确保闻生广率、低廉的制造费用。
[0027]解决问题的手段
[0028]为了达成如上所述的目的，本发明提供无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于，包括:至少一层的薄板磁性片，由分离为多个细片的非晶带材形成，保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄板磁性片的一面，以及双面胶带，通过设置于一侧面的第二粘结层粘结于上述薄板磁性片的另一面；上述多个细片之间的缝隙由上述第一粘结层和第二粘结层的一部分填充，以使上述多个细片相互绝缘(isolation)。
[0029]根据本发明的再一特征，本发明提供无线充电器用磁场屏蔽片的制造方法，其特征在于，包括:通过在由至少一层的非晶带材形成的薄膜磁性片的两侧面上附着保护膜和其露出面上形成有离型膜的双面胶带，来形成层叠片的步骤；通过对上述层叠片进行碎片化处理，来将上述薄膜磁性片分割为多个细片的步骤；以及通过对已进行碎片化处理的上述层叠片进行层压处理，来实现层叠片的平坦化及薄型化，同时将设置于上述保护膜的第一粘结层和设置于双面胶带的第二粘结层的一部分填充于上述多个细片的缝隙，以使上述多个细片相互绝缘(isolation)的步骤。[0030]根据本发明的另一特征，本发明提供无线充电器用接收装置，用于从无线充电器的发送装置以电磁感应方式对二次电池进行充电，上述无线充电器用接收装置的特征在于，包括:第二线圈，用于从上述发送装置接收以电磁感应方式传输的无线高频信号，以及磁场屏蔽片，配置于上述第二线圈和二次电池之间，用于屏蔽因上述无线高频信号而产生的磁场，同时引导上述第二线圈使其吸收用于执行无线充电功能所需的无线高频信号；上述磁场屏蔽片包括:至少一层的薄板磁性片，由分离为多个细片的非晶带材形成，保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄板磁性片的一面，以及双面胶带，通过设置于一侧面的第二粘结层粘结于上述薄板磁性片的另一面；上述多个细片之间的缝隙由上述第一粘结层和第二粘结层的一部分填充，以使上述多个细片相互绝缘(isolation)。
[0031]发明的效果
[0032]如上所述，在本发明中，借助非晶带材的碎片化处理，来大大减少由涡电流(EddyCurrent)引起的损失，由此屏蔽对便携式终端设备等的本体及电池产生的磁场影响，并增加第二线圈的品质因数(Q)，以此来确保优秀的电力传输效率。
[0033]并且，在本发明中，能够在非晶带材的碎片化处理后，借助压接层叠处理来将粘结剂填充于非晶带材的细片之间的缝隙，由此防止水分渗透，并用粘结剂(介电质)来包覆细片的所有面，来使细片相互绝缘(isolation)，以减少涡电流，从而防止屏蔽性能下降。其结果，能够用粘结剂(介电质)来包覆细片的所有面，以防止水分渗透而使非晶带材氧化，导致外观发生变化以及特性恶化。
[0034]尤其，在本发明中，能够将屏蔽片的形状设定为与接收器线圈类似的形状，来使用少量的纳米晶带材，具有高的电力传输效率，或者呈现等同的电力传输效率，并使薄片的厚度降低至0.3mm以下。
[0035]并且，在本发明中，能够以卷对卷方法依次执行碎片化和层叠处理，来实现薄片的成型，从而维持薄片的原有厚度，并确保高生产率、低廉的制造费用。
【专利附图】
【附图说明】
[0036]图1为表示本发明的无线充电器用磁场屏蔽片的分解立体图；
[0037]图2为表示根据第一实施例使用I张纳米晶带材片的例的剖视图；
[0038]图3为表示根据第二实施例使用6张纳米晶带材片的例的剖视图；
[0039]图4及图5分别为示出本发明中所使用的保护膜和双面胶带的结构的剖视图；
[0040]图6为表示本发明的第三实施例的无线充电器用磁场屏蔽片的分解立体图；
[0041]图7为用于说明本发明的无线充电器用磁场屏蔽片的制造工序的工序图；
[0042]图8及图9分别为表示本发明的层叠片的碎片化工序的剖视图；
[0043]图10为表示对本发明的层叠片进行碎片化处理的状态的剖视图；
[0044]图11及图12分别为表示本发明的经碎片化处理的层叠片的层压工序的剖视图；
[0045]图13为表示对本发明的第一实施例的无线充电器用磁场屏蔽片进行碎片化处理后层压的状态的剖视图；
[0046]图14a及图14b分别为进行碎片化处理后未经层压工序的磁场屏蔽片的经湿度测试的放大照片和本发明的进行碎片化处理后层压的磁场屏蔽片的经湿度测试后的放大照片；[0047]图15为表示本发明的第四实施例的无线充电器用磁场屏蔽片所使用的薄板磁性片的剖视图；
[0048]图16为表示本发明的磁场屏蔽片应用于无线充电器的接收装置的结构的分解立体图；
[0049]图17为表示图16的无线充电器用接收装置安装在电池盖内，并与便携式终端设备相结合的状态的分解立体图；
[0050]图18为示出近场通信天线和无线充电器用天线使用柔性印刷电路板来形成的双天线结构的俯视图；
[0051]图19为表示用于测试本发明的屏蔽片的效率及温度特性的测定结构的简图。【具体实施方式】
[0052]参照附图及后述的详细说明，能够使上述目的、特征及优点更加明确，由此本发明所属【技术领域】的普通技术人员能够容易地实施本发明的技术思想。
[0053]并且，在说明本发明的过程中，在判断为对本发明相关公知技术的具体说明有可能不必要地使本发明的要旨混淆的情况下，将省略其详细说明。
[0054]图1为表示本发明的无线充电器用磁场屏蔽片的分解立体图，图2为表示根据第一实施例使用I张纳米晶带材片的例的剖视图。
[0055]参照图1及图2，本发明的优选的第一实施例的无线充电器用磁场屏蔽片10包括:至少一层的多层薄板磁性片2，对非晶合金或纳米晶合金的带材进行热处理之后进行碎片化处理，并分离为多个细片20，和/或形成有裂纹；保护膜1，粘结于上述薄板磁性片2的上部；双面胶带3，粘结于上述薄板磁性片2的下部；以及离型膜4，以可分离的方式粘结于上述双面胶带3的下部。
[0056]例如，能够将由非晶合金或纳米晶合金形成的薄板的带材用作上述薄板磁性片2。
[0057]能够将Fe类或Co类磁性合金用作上述非晶合金，考虑到材料费用，优选地，使用Fe类磁性合金。
[0058]例如，能够将Fe-S1-B合金用作Fe类磁性合金，其中，Fe优选为70?90atomic%，Si和B之和优选为10?30atomic%。将Fe包括在内的金属的含量越高，饱和磁通量密度就越高，但在Fe元素的含量过多的情况下，难以形成非晶质，因此在本发明中，Fe的含量优选为70?90atomic%。并且，当Si和B之和在10?30atomic%的范围内时，合金的非晶质形性能最为优秀。能够在这种基本组成成分中添加20atomic%以内的Cr、Co等耐腐蚀性元素，以防止腐蚀，也能够根据需要包含少量的其他金属元素，以赋予其他特性。
[0059]例如，能够使用结晶温度为508°C，且居里温度(Tc)为399°C的上述Fe-S1-B合金。但是，这种结晶温度能够随着Si及B的含量或除了三元合金成分之外所添加的其他金属元素及其含量而变动。
[0060]在本发明中，根据需要，能够将Fe-S1-B-Co基合金用作Fe类非晶合金。
[0061]另一方面，能够将由Fe类纳米晶磁性合金形成的薄板的带材用作上述薄板磁性片2。
[0062]优选地，将满足以下数学式I的合金用作Fe类纳米晶磁性合金。
[0063]数学式I[0064]Feioo-c-d-e-f-g^cDdEeS i f BgZh
[0065]在上述数学式I中，A表示选自Cu及Au中的至少一种元素，D表示选自T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、N1、Co及稀土类元素中的至少一种元素，E表示选自Mn、Al、Ga、Ge、In、Sn及钼族元素中的至少一种元素，Z表示选自C、N及P中的至少一种元素，C、d、e、f> g及h为分别满足关系式0.01≤c≤8at%,0.01≤d≤IOat%、0≤e≤IOat%、10 ^ f ^ 25at%,3≤g≤12at%U5 ( f+g+h ( 35at%的数，作为上述合金结构的面积t匕，20%以上由粒径为50nm以下的微细结构形成。
[0066]在上述数学式I中，A元素用于提高合金的耐蚀性，防止结晶粒子的粗大化，并改善铁损或合金的磁导率等磁性。若A元素的含量过少，则难以获得抑制晶粒的粗大化的效果。相反，若A元素的含量过多，则会导致磁性劣化。因此，优选地，A元素的含量在0.01至8at%的范围内。D元素为对晶粒直径的均匀化及磁致伸缩的减少等有效的元素。优选地，D元素的含量在0.01至10at%的范围内。
[0067]E元素为对合金的软磁性及耐蚀性的改善有效的元素。E元素的含量优选为10at%以下。Si及B为组成制造磁性片时的合金的无定形化的元素。Si的含量优选在10至25&1:%的范围内，B的含量优选在3至12at%的范围内。并且,合金也能够包含Z元素，将其作为除了 Si及B之外的合金的无定形化组成元素。这种情况下，优选地，S1、B及Z元素的合计含量在15至35at%的范围内。优选地,微晶结构如下形成:即，使粒径为5至30nm的晶粒在合金结构中作为面积比以50至90%的范围存在的结构。
[0068]并且，能够将Fe-S1-B-Cu-Nb合金用作上述薄板磁性片2中所使用的Fe类纳米晶磁性合金，这种情况下，Fe优选为73~80at%、Si及B的和优选为15~26at%、Cu及Nb的和优选为I~5at%。这种组成范围能够使以带材形态制成的非晶合金借助后述的热处理来容易地析出为纳米状 的晶粒。
[0069]如图4所示，例如，能够将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚苯硫醚(PPS)膜、聚丙烯(PP)膜、聚四氟乙烯(PTFE)等氟树脂类膜等树脂膜11用作上述保护膜1，上述保护膜I通过第一粘结层12附着于薄板磁性片2的一侧面。
[0070]并且，使用I至100μπι的保护膜1，优选地，能够使用10~30um范围内的保护膜1，更优选地，使用20um厚度的保护膜I。
[0071]本发明中所使用的保护膜I当附着于非晶带材片2的一侧面时，在第一粘结层12的另一面去除为了保护第一粘结层12而附着的离型膜4a并附着。
[0072]并且，如图5所示，例如，作为双面胶带3，使用由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，Polyethylene Terephthalate)膜等氟树脂类膜形成的基材32,并在上述双面胶带3的两侧面形成第二粘结层31及第三粘结层33，在第二粘结层31及第三粘结层33的外侧面附着有离型膜4。上述离型膜4在制造双面胶带3时形成为一体，且当将屏蔽片10附着于电子设备时被剥尚并去除。
[0073]为了将图3所示的多个非晶带材片21~26相互接合，插入于非晶带材片21~26之间的双面胶带3a~3f在均去除两侧面的离型膜4、4b之后使用。
[0074]双面胶带3、3a~3f能够适用于如上所述的具有基材的类型，也能够适用于没有基材而仅由粘结层形成的无基材类型。插入于非晶带材片21~26之间的双面胶带3a~3f的情况下，从薄膜化层面考虑，优选使用无基材类型。[0075]上述第一粘结层12、第二粘结层31及第三粘结层33能够使用例如丙烯酸类粘结齐U，当然也能够使用其他种类的粘结剂。
[0076]能够使用厚度为10um、20um、30um的双面胶带3，上述双面胶带3的厚度优选为IOum0
[0077]上述屏蔽片10中所使用的薄板磁性片2能够使用例如每张厚度为15至35um的磁性片。这种情况下,若考虑薄板磁性片2的热处理之后的处理工序，则优选地，将薄板磁性片2的厚度设定为25至30um。带材的厚度越薄，在热处理之后进行处理时因轻微的冲击而产生带材的裂痕现象。
[0078]另一方面，当无线充电器的接收装置设置于便携式终端设备100的电池盖5而使用时，如图16及图17所示，无线充电器用磁场屏蔽片10通过第二线圈(接收线圈)6来附着于屏蔽片10而使用。这种情况下，第二线圈6不形成谐振电路，因而屏蔽片10将会对第二线圈(接收线圈)6所形成的谐振电路的电感产生影响。
[0079]这种情况下，磁场屏蔽片10起到用于阻断来自发送装置的无线电力信号对便携式终端设备100产生的影响的磁场屏蔽作用，并起到诱导无线电力信号，使其以高效率被接收装置的第二线圈6所接收的电感器的作用。
[0080]薄板磁性片2借助碎片化处理来分离为多个细片20，多个细片20的大小优选为数十um?3mm以下。
[0081]在薄板磁性片2经碎片化处理而分离为多个细片20的情况下，磁性片的电感L值的减少量大于磁阻R的减少量。其结果，若对薄板磁性片2进行碎片化处理，则接收装置的第二线圈6形成的谐振电路的品质因数(Q)会增加，以使电力传输效率增加。
[0082]并且，薄板磁性片2分离为多个细片20的情况下，能够通过减少因涡电流而引起的损失，以此来防止电池的发热问题。
[0083]尤其，在本发明中，如图10所示，在对薄板磁性片2进行碎片化处理之后，通过如图13所示的方式进行层压处理，第一粘结层12及第二粘结层31的一部分向多个细片20之间的缝隙20a渗透，以使多个细片20分离(isolation)为起到介电质作用的粘结剂。
[0084]其结果，在仅进行碎片化处理的情况下，细片20随着移动而相互接触，细片20的大小随之增加，由此产生涡电流损失增加的问题，但由于借助层压处理来使细片20的前面由介电质包覆，因而能够防止这种问题。
[0085]如图2所示，本发明的第一实施例的无线充电器用磁场屏蔽片IOa具有如下结构:将I张非晶带材片21用作薄板磁性片，在上述薄板磁性片的一侧面粘结保护膜1，并在上述薄板磁性片的另一侧面通过双面胶带3粘结离型膜4。
[0086]并且，如图3的第二实施例所示，本发明的磁场屏蔽片中，为了提高第二线圈6的品质因数(Q)和电力传输效率，能够层叠多个非晶带材片21?26来用作薄板磁性片。
[0087]在无线充电器中，为了最大限度地提高充电器的效率，能够使电力传输发送装置采用有助于与接收装置的相匹配(align)的永久磁铁。即，与随着在发送装置的第一线圈(发送线圈)的内部设置圆形的永久磁铁而设置的，放置于发送装置上的接收装置进行准确的位置整列，并把持接收装置使其不动。
[0088]因此，无线充电器用磁场屏蔽片不仅需要屏蔽随着从发送装置传输100至150KHZ频率的电力所生成的交流(AC)磁场，还需要屏蔽由上述永久磁铁生成的直流(DC)磁场。[0089]但是,上述直流(DC)磁场对磁场屏蔽片10产生的影响更大于交流(AC)磁场对磁场屏蔽片10产生的影响，因而产生使薄的屏蔽片磁饱和，由此降低其作为屏蔽片的性能，或者使电力传输效率急剧下降的问题。
[0090]由此，在无线充电器的发送装置采用永久磁铁的情况下，考虑到借助永久磁铁来进行磁饱和的层数，需要决定进行层叠的非晶带材片21?26。
[0091]并且，Fe类非晶合金的饱和磁场大于纳米晶合金的饱和磁场。由此，在使用由Fe类非晶合金形成的非晶带材片21?26的情况下，能够层叠2至8层来使用，例如，优选地，使用3至5层，以获得高磁导率。这种情况下，层叠片的电感(即，磁导率)优选为约13至19uH。
[0092]并且，在使用由纳米晶合金形成的非晶带材片21?26的情况下，能够层叠4至12层来使用，例如，优选地，使用7至9层，以获得高磁导率。这种情况下，层叠片的电感(即，磁导率)优选为约13至21uH。
[0093]另一方面，在无线充电器的发送装置未采用永久磁铁的情况下，也能够使用与采用永久磁铁的情况相比相对少量的非晶带材片。
[0094]这种情况下，若使用由Fe类非晶合金或纳米晶合金形成的非晶带材片，则能够层叠I至4层来使用，层叠片的电感(即，磁导率)优选为约13至21uH。
[0095]图3示出了作为薄板磁性片层叠多个，例如层叠6层的非晶带材片21?26来使用的情况，在多个非晶带材片21?26之间插入有多个粘结层或双面胶带3a?3f。
[0096]S卩，需要使碎片化及层压处理时所分离的细片20维持分离的位置，并以填充于细片20之间的缝隙20a的方式将粘结层或双面胶带3a?3f插入于非晶带材片21?26之间来进行层叠。
[0097]本发明的磁场屏蔽片10?IOb通常呈与电池相对应的矩形或正四边形的四边形形状，但此外也能够呈五角形等多角形或圆形或椭圆形以及局部地组合矩形形状和圆形而成的形状，优选地，根据需要磁场屏蔽的部位的形状，来具有与其相对应的形状。
[0098]并且，本发明的磁场屏蔽片中，无线充电器在发送装置的第一线圈的中央部包括永久磁铁的情况下，为了防止屏蔽片借助永久磁铁的磁场来磁化(饱和)的现象，如图6所示的第三实施例的磁场屏蔽片10c，能够以与接收装置的第二线圈相对应的环形形态成型。
[0099]第三实施例的磁场屏蔽片IOc在第二线圈呈四边形、圆形、椭圆形中的某一种形状时，与其相对应地，呈四边形、圆形、椭圆形中的某一种形状。这种情况下，优选地，磁场屏蔽片IOc的宽度大于第二线圈6的宽度约I?2mm。
[0100]第三实施例的磁场屏蔽片IOc能够具有上部面附着有环形的保护膜Ia的环形的薄板磁性片2b通过环形的双面胶带30附着于离型膜4的结构。
[0101]优选地，环形的上述磁场屏蔽片10使用具有大于磁场屏蔽片IOc的面积的四边形形状的离型膜4，以便能够容易地从离型膜4剥离。
[0102]以下，参照图7，对本发明的磁场屏蔽片的制造方法进行说明。
[0103]首先，利用借助熔融纺丝的快速凝固法(RSP)来制造由非晶合金或纳米晶合金形成的非晶带材2a之后(步骤Sll)，以规定的长度进行切割，并层叠成薄片形态，以便能够容易地进行热处理之后的后处理(步骤S12)。
[0104]非晶带材2a为非晶合金的情况下，利用借助熔融纺丝的快速凝固法(RSP)来制造由Fe类非晶带材,例如由Fe-S1-B或Fe-S1-B-Co合金形成的30um以下的超薄型非晶带材，并在300°C至600°C的温度范围内对层叠的非晶带材进行30分钟至2小时的无磁场热处理，以便获得所需的磁导率(步骤S13)。
[0105]这种情况下，就热处理气氛而言，即使非晶带材2a的Fe含量高，也在不发生氧化的温度范围内进行，因而无需在气氛炉中进行，也能够在大气中进行热处理。并且，即使在氧化气氛或氮气氛中进行热处理，只要是相同的温度条件，那么非晶带材的磁导率也就没有实质上的差异。
[0106]如上所述的热处理温度小于300°C的情况下，呈现高于所需的磁导率的磁导率，并存在需要较长的热处理时间的问题，如上所述的热处理温度大于600°C的情况下，由于过热处理，使得磁导率明显下降，导致存在无法呈现所需的磁导率的问题。通常，当热处理温度低时，需要较长的处理时间，相反，当热处理温度高时，处理时间将被缩短。
[0107]并且，非晶带材2a由纳米晶合金形成的情况下，利用借助熔融纺丝的快速凝固法(RSP)来制造由Fe类非晶带材,例如由Fe-S1-B-Cu-Nb合金形成的30um以下的超薄型非晶带材，并在400°C至700°C的温度范围内对层叠的带材片进行30分钟至2小时的无磁场热处理，以便获得所需的磁导率，由此成型成有纳米晶的纳米晶带(步骤S13)。
[0108]这种情况下，热处理气氛的Fe的含量为70at%以上，因此若在大气中进行热处理，则会发生氧化，这在视觉方面不优选，因此，优选地在氮气氛中进行。但是，即使在氧化气氛中进行热处理，只要是相同的温度条件，那么薄片的磁导率也就没有实质上的差异。
[0109]这种情况下，热处理温度小于400°C的情况下，不生成充分的纳米晶，导致无法获得所需的磁导率，且存在需要较长的热处理时间的问题，热处理温度大于700°C的情况下，存在由于过热处理，磁导率明显下降的问题。优选地，当热处理温度低时，需要较长的处理时间，相反，当热处理温度高时，处理时间将被缩短。
[0110]并且，本发明的非晶带材2a使用厚度在15?35um范围内，非晶带材2a的磁导率与带材的厚度成正比地增加。
[0111]尤其，就上述非晶带材而言，当进行热处理时，脆性变强，从而在后续工序中进行碎片化处理时能够容易形成碎片化。
[0112]接着，使用I张或所需的层数的多层的已进行热处理的非晶带材2a，来附着在双面胶带3的状态下实施碎片化处理，上述双面胶带3的一侧附着有保护膜1，上述双面胶带3的另一侧附着有离型膜4 (步骤S14)。
[0113]上述碎片化处理中，例如使保护膜1、非晶带材2a、双面胶带3和离型膜4依次层叠的层叠片100通过第一碎片化装置110及第二碎片化装置120，来将非晶带材2a分离为多个细片20。这种情况下，分离的多个细片20将维持借助粘结于两侧面的第一粘结层12及第二粘结层31来分离的状态。
[0114]如图8所示，例如，可使用的第一碎片化装置110能够包括:金属辊112，外面形成有多个凹凸116 ;以及胶辊114，与金属辊112相向地配置。如图9所示，第二碎片化装置120能够包括:金属辊122，外面安装有多个球形球126 ；以及胶辊124，以与金属辊122相向的方式配置。
[0115]像这样，若使层叠片100通过第一碎片化装置110及第二碎片化装置120，则如图10所示，非晶带材2a分离为多个细片20，且在细片20之间产生缝隙20a。[0116]非晶带材2a的多个细片20以数十um?3mm范围内的大小来形成，因而通过使退磁场增加来去除磁滞损耗，以提高薄片的磁导率的均匀性。
[0117]并且，非晶带材2a能够借助碎片化处理来减小细片20的表面积，由此防止因交流磁场而生成的润电流(EddyCurrent)引起的发热问题。
[0118]经碎片化处理的层叠片200在细片20之间存在有缝隙20a，若水分向上述缝隙20a渗透，则非晶带材将被氧化，导致非晶带材的外观变差，并使屏蔽性能下降。
[0119]并且，仅进行碎片化处理的情况下，细片20随着移动而相互接触，以增加细片20的大小，从而有可能产生涡电流损失增加的问题。
[0120]尤其，经碎片化处理的上述层叠片200在进行碎片化处理时，有可能发生薄片的表面不均匀的现象，需要经碎片化处理的带材的稳定化。
[0121]因此，经碎片化处理的层叠片200中，用粘结剂来填充细片20之间的缝隙20a，并实施用于平坦化、薄型化及稳定化的层压工序(步骤S15)。其结果，能够防止水分渗透，并通过用粘结剂来包覆细片20的所有面来使细片20相互分离，以减少涡电流。
[0122]如图11所示，用于上述层压工序的层压装置400、500能够采用辊压类型，上述辊压类型由第一压辊210和第二压辊220构成，上述第一压辊210使碎片化处理的层叠片200通过，上述第二压辊220以与第一压辊210分隔规定间隔的方式配置，如图12所示，能够采用由下部加压部件240和上部加压部件250构成的液压类型，上述上部加压部件250以沿着垂直方向可移动的方式配置于下部加压部件240的上侧。
[0123]若在常温条件或50至80°C温度下，加热碎片化处理的层叠片200之后，使其通过层压装置400、500，则随着保护膜I的第一粘结层12被加压，第一粘结层12的一部分粘结剂流入于缝隙20a，同时随着双面胶带30被加压，第二粘结层31的一部分粘结剂流入于缝隙20a而密封缝隙20a。
[0124]在此情况下，能够将在常温条件下加压时可变形的粘结剂或加热时变形的热塑性粘结剂用作第一粘结层12和第二粘结层31。
[0125]并且，第一粘结层12和第二粘结层31的厚度优选为非晶带材厚度的50%以上，以便充分填充多个细片之间的缝隙20a。
[0126]并且，第一压辊210和第二压辊220之间的间隔以及当上部加压部件处于下降的状态时的上部加压部件250和下部加压部件240之间的间隔优选为层叠片200厚度的50%以下，以使第一粘结层12和第二粘结层31的粘结剂能够流入缝隙20a。
[0127]本发明中，只要是能够进行层叠片100、200的压接和碎片化处理，那么就能够使
用任何装置。
[0128]若上述层叠工序结束，则如图13所示，本发明的电磁波吸收片10具有如下结构:在非晶带材2a分离为多个细片20的状态下，第一粘结层12和第二粘结层31分别局部地填充细片20之间的缝隙20a，以防止非晶带材2a的氧化及移动。
[0129]最后，进行了层叠的上述磁场屏蔽片10以用于电子设备的场所和用途所需的大小和形状被压印加工，从而实现产品化(步骤S16)。
[0130]本发明中，如图3所示，层叠6张非晶带材片21?26来作为薄膜磁性片的情况下，在进行层压之前，包括保护膜I及离型膜4来具有212um的厚度，若进行层压，则以200um进行薄型化。[0131]上述实施例中，例示了将I个保护膜I附着于磁性片2的一侧，来进行碎片化及层压处理的情况，但如果经过碎片化处理工序，就有可能使保护膜I受损。因此，优选地，在保护膜I的上部附着用于保护保护膜I的另一保护膜，来进行处理工序之后，当处理结束时，对表面的保护膜进行剥离并去除。
[0132](湿度测试)
[0133]在85°C温度及85%湿度条件下，对以如上方式获得的本发明的磁场屏蔽片10和碎片化处理后未经过层压工序的层叠片200进行120小时的湿度测试。
[0134]其结果，如图14a所示，仅进行了碎片化处理的层叠片200的情况下，可知当非晶带材处于分离为多个细片的状态时，水分向细片之间的缝隙渗透，以使非晶带材氧化，由此外观发生变化，而图14b所示，可知本发明的磁场屏蔽片10的外观没有发生变化。
[0135]本发明的磁场屏蔽片中，能够将如图15a及图15b所示的异种材料作为薄膜磁性片。
[0136]如图15a所不,薄膜磁性片35能够呈将粘结层35c插入于第一磁性片35a和第二磁性片35b之间来组合的混合形态，上述第一磁性片35a具有高磁导率，上述第二磁性片35b具有低于上述第一磁性片的磁导率的低磁导率。
[0137]能够适用由非晶合金或纳米晶合金形成的上述非晶带材片、软磁性特性优秀的坡莫合金(permalloy)片或钥坡莫合金粉(MPP,Moly Permalloy Powder)片等,来作为上述第一磁性片35a。
[0138]能够将由非晶合金粉末、软磁性粉末、铁硅铝磁性合金等高磁导率的磁粉和树脂形成的聚合物片用作第二磁性片35b。
[0139]这种情况下，优选地，非晶合金粉末具有例如选自包含Fe-S1-B、Fe-S1-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及Co-Fe-S1-B的组中的组成成分，并使用包含一种以上的作为非晶质的合金的非晶合金粉末。
[0140]并且，便携式终端同时采用近场通信(NFC)和无线充电功能的情况下，混合型薄膜磁性片35中，层叠非晶带材片和频率依赖性低的铁氧体片来用作第一磁性片及第二磁性片35b，由此在近场通信用磁场屏蔽使用铁氧体片，而作为无线充电器用，使用非晶带材片，来能够同时解决。
[0141]尤其，便携式终端同时采用近场通信和无线充电功能的情况下，如图15b所示，混合型薄膜磁性片35中，也能够在中央部将规定面积的非晶带材片用作第一磁性片35a，并且，将在上述第一磁性片35a的整个外部包覆第一磁性片35a的环形的第二磁性片35b与铁氧体环进行组合。即，以环形态形成相对于非晶质片磁导率小的铁氧体，来配置于非晶质片的外围。
[0142]另一方面，以下，参照图16及图17，对如上所述的本发明的磁场屏蔽片适用于无线充电器的接收装置的结构进行说明。
[0143]图16为表示本发明的磁场屏蔽片适用于无线充电器的接收装置的结构的分解立体图，图17为表示图16的无线充电器用接收装置安装在电池盖而与便携式终端设备相结合的状态的分解立体图。
[0144]参照图16，若本发明的磁场屏蔽片适用于无线充电器的接收装置，则在磁场屏蔽片10的保护膜的上部，使用双面胶带30b来附着无线充电器的接收侧的第二线圈6，在磁场屏蔽片10的下部，在去除离型膜4而露出的双面胶带的粘结层33附着涂敷材料。
[0145]并且，也能够去除磁场屏蔽片10的离型膜4，并在双面胶带3附着无线充电器的第二线圈6，以此代替上述天线的组装方法。
[0146]如图17所示，如上所述的第二线圈6和磁场屏蔽片10的组装体中，若在便携式终端设备100的电池盖5使用双面胶带30a来附着之后，电池盖5与便携式终端设备100相结合，则磁场屏蔽片10以覆盖电池7的形态使用。
[0147]如上所述的磁场屏蔽片10的安装位置除了能够配置于电池的外部之外，还能够以众所周知的其他方法配置。
[0148]上述第二线圈6能够使用具有众所周知的任何结构的线圈。例如，如图16所示，第二线圈6也能够在由聚酰亚胺(PI)等合成树脂形成的基板6b，由呈四边形、圆形、椭圆形中的某一个形状的螺旋形线圈6a来形成。
[0149]上述第二线圈6中，例如，以转移方式直接将螺旋形线圈6a形成于双面胶带，来将起到绝缘层作用的一个粘结片安装成薄膜结构，以此代替合成树脂基板6b和双面胶带30b。
[0150]这种情况下，螺旋形线圈6a以无线方式接收电力，因而也能够将普通线圈卷绕成平面电感器形态，并附着于基板而使用。
[0151]另一方面，便携式终端设备100中，本体的内部包括将第二线圈6的螺旋形线圈6a产生的交流电压整流为直流电压的整流器(未图示)，并将整流的直流电压填充于电池(二次电池)7。
[0152]如上所述，第二线圈6和磁场屏蔽片10的组装体设置于便携式终端设备100的电池盖5的情况下，能够借助以非接触(无线)方式使便携式终端设备实现无线充电功能时所产生的交流磁场，来防止对便携式终端设备100产生影响，并吸收执行无线充电功能时所需的电磁波。
[0153]S卩，本发明的磁场屏蔽片10设有经碎片化处理而分离为多个细片20的多层的磁性片2，以便使Q值上升，使电力传输效率增加，并借助碎片化处理来减小带材的表面积，以防止因交流磁场而生成的润电流(EddyCurrent)引起的发热问题。
[0154]其结果，阻断从发送装置的第一线圈产生的磁通量与便携式终端的电路板及电池(二次电池)7等互连，来抑制发热。
[0155]另一方面，图18为示出近场通信(NFC,Near field communications)天线和无线充电器用天线使用柔性印刷电路板(FPCB)来形成为一体的双天线结构的俯视图。
[0156]优选地，用于同时执行近场通信和无线充电功能的双天线40使用具有两面基板结构的柔性印刷电路板来实现。但是，本发明的双天线并不局限于此，能够具有其他形态的结构。
[0157]参照图18，双天线40中，例如，在基板49的上部同时形成有近场通信天线线圈41和无线充电器用天线线圈43。上述基板49能够使用例如双面胶带等，近场通信天线线圈41和无线充电器用天线线圈43以转移方式形成于粘结基板29。
[0158]由于近场通信天线线圈41的频带高于无线充电器用天线线圈43的频带，因而沿着基板49的外围，以微细的线宽的矩形形状形成有导电图案，而无线充电器用天线线圈43需要传输电力，并使用低于近场通信的频带，因而在近场通信天线线圈41的内侧形成有由宽于近场通信天线线圈41的线宽的线宽形成且呈大致椭圆形状的导电图案。
[0159]上述双天线40中，在近场通信天线线圈41和无线充电器用天线线圈43的一侧延伸形成的基板49的突出部分别配置有一对端子41a、41b、43a、43b。
[0160]上述近场通信天线线圈41的外侧线直接与第一端子41a相连接，上述近场通信天线线圈41的内侧线通过端子连接用图案(未图示)与第二端子41b相连接，上述端子连接用图案通过导电通孔45a、45b形成于基板49的背面。
[0161]类似地，无线充电器用天线线圈43的外侧线通过端子连接用图案(未图示)与第三端子43a相连接，上述端子连接用图案通过导电通孔47a、47b形成于粘结基板29的背面，无线充电器用天线线圈43的内侧线通过端子连接用图案(未图示)与第四端子43b相连接，上述端子连接用图案通过导电通孔47c、47d形成于基板49的背面。
[0162]优选地，例如，在上述基板49的表面形成光敏成像阻焊(PSR，Photo SolderResist)等用于保护天线线圈图案的保护膜。
[0163]同时采用近场通信和无线充电功能的情况下，如上所述，能够使用采用图15a及图15b的混合型磁性片的屏蔽片。
[0164]以下，通过实施例对本发明进行更为详细的说明。但是，以下的实施例仅属于本发明的例示，本发明的范围并不限定于此。
[0165](实施例1?实施例4、比较例I?比较例3)
[0166](磁场屏蔽片的电特性)
[0167]未使用磁场屏蔽片的情况(比较例I)下，分别制作了使用未进行热处理的I张非晶带材片的磁场屏蔽片(比较例2)、使用进行热处理的I张纳米晶带材片的磁场屏蔽片(比较例3)、进行热处理的I张纳米晶带材片、进行碎片化处理的磁场屏蔽片(实施例1)、进行热处理的2张纳米晶带材片、进行碎片化处理的磁场屏蔽片(实施例2)、进行热处理的3张纳米晶带材片、进行碎片化处理的磁场屏蔽片(实施例3)、进行热处理的4张纳米晶带材片、进行碎片化处理的磁场屏蔽片(实施例4)。
[0168]适用于屏蔽片的非晶带材利用基于熔融纺丝的快速凝固法(RSP)来制成厚度为25um的由Fe73.5CUlNb3Si13.5B9合金形成的非晶带材之后，切割成薄片的形态，将在580°C温度、N2气氛条件下进行I小时的无磁场热处理来获得的非晶带材片插入于使用聚对苯二甲酸乙二醇酯基材的厚度为IOum的保护膜和使用聚对苯二甲酸乙二醇酯基材的厚度为IOum的双面胶带(除了离型膜之外)之间来准备层叠片，并使用图8的碎片化处理装置和图11的层压装置来实施了碎片化和层压处理。当层叠2张以上的纳米晶带材片时，插入于薄片之间的双面胶带作为在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的两面形成丙烯酸类粘结剂层的，使用了厚度为12um的。
[0169]当将制成的屏蔽片用于无线充电器时，为了 了解对第二线圈产生的影响，作为与屏蔽片相结合的第二线圈，即作为测定线圈，使用了电感为12.2uH且电阻为237πιΩ的圆形的平面线圈。将电感电容电阻测试仪(LCRmeter)与测定线圈相连接之后，使测定线圈位于屏蔽片上，并将具有约500g的重量的正六面体放置在测定线圈上，从而在施加规定的压力的状态下，将电感电容电阻测试仪的设定值设定为IOOkHzUV之后，测定电感(Ls)、磁阻(Rs)、阻抗(Z)、线圈的品质因数(Q)，并呈现在下列表I中。
[0170]表I
【权利要求】
1.一种无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于， 包括: 至少一层的薄板磁性片，由分离为多个细片的非晶带材形成， 保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄板磁性片的一面，以及 双面胶带，通过设置于一侧面的第二粘结层粘结于上述薄板磁性片的另一面； 上述多个细片之间的缝隙由上述第一粘结层和第二粘结层的一部分填充，以使上述多个细片相互绝缘。
2.根据权利要求1所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于， 上述薄板磁性片包括: 第一磁性片，具有第一磁导率； 第二磁性片，层叠于上述第一磁性片，具有低于第一磁导率的第二磁导率；以及 粘结层，使上述第一磁性片与第二磁性片相互粘结，用于填充上述多个细片之间的缝隙。
3.根据权利 要求2所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于， 上述第一磁性片使用非晶质片、铁氧体片、坡莫合金片、钥坡莫合金粉片中的一种； 上述第二磁性片使用由磁粉和树脂形成的聚合物片。
4.根据权利要求2所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于，上述第一磁性片由非晶质片形成，上述第二磁性片由铁氧体片形成。
5.根据权利要求1所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于， 上述无线充电器用磁场屏蔽片适用于发送装置中包括永久磁铁的无线充电器的接收装置； 上述薄板磁性片由Fe类非晶合金或纳米晶合金形成，并由层叠为2层至12层的非晶带材和插入于所层叠的非晶带材之间的粘结层形成。
6.根据权利要求1所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于， 上述无线充电器用磁场屏蔽片适用于发送装置中不包括永久磁铁的无线充电器的接收装置； 上述薄板磁性片由层叠为I层至4层的非晶带材和插入于所层叠的非晶带材之间的粘结层形成。
7.根据权利要求1所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于， 上述双面胶带包括: 基材， 第二粘结层，形成于上述基材的一侧面，粘结于薄板磁性片的另一侧面，以及 第三粘结层，形成于基材的另一侧面； 上述第二粘结层填充于上述多个细片之间的缝隙，与上述第一粘结层形成一体化。
8.根据权利要求1所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于，无线充电器用磁场屏蔽片呈与设置于无线充电器的接收装置的第二线圈相对应的形状。
9.根据权利要求1所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于，上述薄板磁性片由Fe类非晶合金形成，在300°C至600°C的温度下进行30分钟~2小时的无磁场热处理。
10.根据权利要求1所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于，上述薄板磁性片由纳米晶合金形成，在600°C至700°C的温度下进行30分钟~2小时的无磁场热处理。
11.根据权利要求1所述的无线充电器用磁场屏蔽片，其特征在于，上述多个细片的大小为数十um至3mm。
12.一种无线充电器用磁场屏蔽片的制造方法，其特征在于，包括: 通过在由至少一层的非晶带材形成的薄膜磁性片的两侧面上附着保护膜和其露出面上形成有离型膜的双面胶带，来形成层叠片的步骤； 通过对上述层叠片进行碎片化处理，来将上述薄膜磁性片分割为多个细片的步骤；以及 通过对已进行碎片化处理的上述层叠片进行层压处理，来实现层叠片的平坦化及薄型化，同时将设置于上述保护膜的第一粘结层和设置于双面胶带的第二粘结层的一部分填充于上述多个细片的缝隙，以使上述多个细片相互绝缘的步骤。
13.根据权利要 求12所述的无线充电器用磁场屏蔽片的制造方法，其特征在于，还包括在形成上述层叠片之前，对非晶带材进行热处理的步骤。
14.根据权利要求12所述的无线充电器用磁场屏蔽片的制造方法，其特征在于，上述第一粘结层及第二粘结层的厚度大于上述非晶带材的厚度50%以上。
15.根据权利要求12所述的无线充电器用磁场屏蔽片的制造方法，其特征在于，上述薄板磁性片为第一磁性片和第二磁性片通过粘结层层叠的混合磁性片，上述第一磁性片具有第一磁导率，上述第二磁性片具有低于第一磁导率的第二磁导率。
16.根据权利要求12所述的无线充电器用磁场屏蔽片的制造方法，其特征在于，上述第一磁性片由非晶质片形成，上述第二磁性片由铁氧体片或聚合物片形成。
17.一种无线充电器用接收装置，用于从无线充电器的发送装置以电磁感应方式对二次电池进行充电，上述无线充电器用接收装置的特征在于， 包括: 第二线圈，用于从上述发送装置接收以电磁感应方式传输的无线高频信号，以及 磁场屏蔽片，配置于上述第二线圈和二次电池之间，用于屏蔽因上述无线高频信号而产生的磁场，同时引导上述第二线圈使其吸收用于执行无线充电功能所需的无线高频信号; 上述磁场屏蔽片包括: 至少一层的薄板磁性片，由分离为多个细片的非晶带材形成， 保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄板磁性片的一面，以及 双面胶带，通过设置于一侧面的第二粘结层粘结于上述薄板磁性片的另一面； 上述多个细片之间的缝隙由上述第一粘结层和第二粘结层的一部分填充，以使上述多个细片相互绝缘。
18.根据权利要求17所述的无线充电器用接收装置，其特征在于，在上述无线充电器用接收装置中，上述第二线圈和近场通信用天线线圈同时形成于一个绝缘基板的上部。
19.根据权利要求18所述的无线充电器用接收装置，其特征在于，上述磁场屏蔽片的薄板磁性片为非晶带材片和铁氧体片或聚合物片通过粘结层粘结而成的薄片。
20.根据权利要求18所述的无线充电器用接收装置，其特征在于，上述磁场屏蔽片的薄板磁性片包括:非晶带材片，以规定面积配置于上述薄板磁性片的中央部；以及环形的铁氧体环，在 上述非晶带材片的外部包覆非晶带材片。
【文档编号】H02J7/00GK104011814SQ201280062847
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2012年12月21日 优先权日:2011年12月21日
【发明者】李东勋, 张吉在 申请人:阿莫先恩电子电器有限公司