专利名称：一种升压控制电路及升压系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种升压控制电路及升压系统。
背景技术：
一般的升压芯片具有Vin电源输入和EN使能两个管脚。在实际使用中，部分经典的升压芯片只有Vin管脚，没有单独的EN管脚。从功能上来说，Vin管脚达到芯片的识别水平后，升压芯片即开始工作，也就是两个管脚合二为一。在一般的升压电路中，升压芯片具有Vin和EN两个管脚。在实际使用中，部分经典的升压芯片只有Vin管脚，没有单独的EN管脚。从功能上来说，Vin达到芯片的识别水平后，升压芯片即开始工作，也就是两个管脚合二为一。在实际使用中升压电路输入电流的瞬间脉冲会非常大。电流脉冲大会严重影响电路系统工作的稳定性，降低电子元器件的工作寿命，电子元器件选型时需要选择工作电流更大的器件。
实用新型内容本实用新型的实施例提供一种升压控制电路及升压系统，能够降低升压芯片输入电流的瞬间脉冲，提高升压芯片所在电路系统的稳定性，同时保证器件的工作寿命。为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案:一方面，提供一种升压控制电路，包括:供电单元和补偿控制单元，其中，所述供电单兀，包括第一电压输入端和第一电压输出端，其中所述第一电压输入端连接升压芯片的电源输入管脚，所述第一电压输出端连接所述补偿单元，为所述补偿单兀提供稳定的输入电压；所述补偿控制单元，包括第二电压输入端和控制端，所述第二电压输入端连接所述第一电压输出端，为所述补偿控制单元提供稳定的输入电压，所述控制端连接所述升压芯片的补偿管脚，用于当所述供电单元向所述补偿控制单元输入电压后，向所述升压芯片的补偿端提供连续升高的控制电压。可选的，所述供电单元包括:第一电阻和第一二极管，所述第一电阻的第一极连接所述第一电压输入端；第一二极管，所述第一二极管的阴极连接所述第一电阻的第二极及所述第一电压输出端，所述第一二极管的阳极连接接地端。可选的，所述供电单元还包括:第一电容，所述第一电容的第一极连接所述第一二极管的阴极，所述第一电容的第二极连接所述接地端。可选的，所述第一二极管为稳压二极管。可选的，所述补偿控制单元包括:第二电阻、第二电容和晶体管；所述第二电阻的第一极连接所述第二电压输入端；所述第二电容的第一极连接所述第二电阻的第二极，所述第二电容的第二极连接所述接地端；[0017]所述晶体管的基极连接所述第二电容的第一极，所述晶体管的发射极连接所述升压芯片的补偿端，所述晶体管的集电极连接所述接地端。可选的，所述补偿控制单元还包括第二二极管，所述第二二极管的阴极连接所述第二电阻的第一极，所述第二二极管的阳极连接所述第二电阻的第二极。可选的，所述晶体管为PNP型晶体管。一方面，提供一种升压系统，包括:升压控制电路和升压芯片，其中:所述升压控制电路为权利要求1 7任一项所述的升压控制电路，所述升压芯片的电源输入管脚与所述升压控制电路的供电单元的第一电压输入端相连，所述升压芯片的补偿管脚与所述升压控制电路的补偿控制单元的控制端相连。本实用新型的实施例提供的升压控制电路及升压系统，能够通过控制升压芯片补偿端的输入电压，降低升压芯片输入电流的瞬间脉冲，提高升压芯片所在电路系统的稳定性，同时保证器件的工作寿命。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型的实施例提供的一种升压控制电路的结构示意图；图2为本实用新型的另一实施例提供的一种升压控制电路的结构示意图；图3为本实用新型的又一实施例提供的一种升压控制电路的结构示意图；图4为本实用新型的实施例提供的一种升压系统的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。参照图1所示，为本实用新型的实施例提供的一种升压控制电路10，包括:供电单元101和补偿控制单元102，其中，供电单兀101,包括第一电压输入端1011和第一电压输出端1012,其中，第一电压输入，1011连接升压芯片的的电源输入管脚VIN，第一电压输出端1012连接补偿单元102，为补偿单元102提供稳定的输入电压；补偿控制单元102，包括第二电压输入端1021和控制端1022，第二电压输入端1021连接第一电压输出端1011，为补偿控制单元102提供稳定的输入电压，控制端1022连接升压芯片的补偿管脚C0MP，用于当供电单元101向补偿控制单元102输入电压后，向升压芯片的补偿端COMP提供连续升高的控制电压。其中，附图中的升压芯片以LM3478为例进行说明，其中ISEN为电流检测输入管脚、COMP为补偿管脚、FB为反馈管脚、AGND为模拟接地管脚、PGND为电源接地管脚、DR为驱动管脚、FA/SD为频率调整和关机管脚及VIN为电源输入管脚，其中LM3478为典型的升压芯片其工作原理为现有技术这里不再详述，本实用新型提供的电路，由于可以向升压芯片的补偿端COMP提供连续升高的控制电压，因此可以控制升压芯片在上电过程中输入电流连续升高，避免上电过程中输入电流脉冲瞬时较大对电路系统稳定系造成的影响。本实用新型的实施例提供的升压控制电路，能够通过控制升压芯片补偿端的输入电压，降低升压芯片输入电流的瞬间脉冲，提高升压芯片所在电路系统的稳定性，同时保证器件的工作寿命。具体的参照图2所示，本实用新型的另一实施例提供的一种升压控制电路20，包括:供电单元21和补偿控制单元22 ；其中供电单元21包括:第一电阻Rl和第一二极管Dl，第一电阻Rl的第一极连接第一电压输入端(即升压芯片的VIN管脚)；第一二极管D1，第一二极管Dl的阴极连接第一电阻Rl的第二极及第一电压输出端，第一二极管D2的阳极连接接地端AGND(即与升压芯片的AGND模拟接地管脚)。可选的，参照图3所示，供电单元21还包括:第一电容Cl，所述第一电容Cl的第一极连接第一二极管Dl的阴极，第一电容Cl的第二极连接接地端AGND。其中，第一二极管Dl为稳压二极管。第一电容Cl用于维持第一二极管Dl所稳定的电压值,避免第一二极管Dl由于电流过大发生击穿。其中，补偿控制单元22包括:第二电阻R2、第二电容C2和晶体管Tl ；第二电阻D2的第一极连接第二电压输入端，即与第一电阻Rl的第二极相连；第二电容C2的第一极连接第二电容C2的第一极，第二电容R2的第二极连接接地端AGND (即与升压芯片的AGND模拟接地管脚)；晶体管Tl的基极连接第二电阻R2的第二极，晶体管Tl的发射极连接升压芯片的补偿端C0MP，晶体管Tl的集电极连接接地端AGND (即与升压芯片的AGND模拟接地管脚)。可选的，参照图3所示，补偿控制单元22还包括第二二极管D2，第二二极管D2的阴极连接第二电阻R2的第一极，第二二极管D2的阳极连接第二电阻R2的第二极。其中，晶体管为PNP型晶体管。具体的，参照图2所示的电路，该电路的工作原理为，以第一二极管Dl为4.3V稳压管为例，即在电路中第一二极管Dl的阴极电压可以稳定到4.3V，为配合稳压二极管将Dl阴极电压稳定在4.3V，这里第一电阻Rl的阻值设置为4.5ΚΩ，第二电阻的阻值设置为
1.5ΜΩ，当然这里只是根据实际的实验数据举例说明，这里Dl阴极的电压值是与晶体管的开启电压相关的，因此第一电阻、第二电阻的阻值及第一二极管Dl的稳压值也可以根据实际需求配置，这里不再限制，Dl稳压得到的电压通过第二电阻R2给第二电容C2充电，使得Tl的基极电压随着第二电容C2的充电升高，由于第一二极管的稳压作用可将阴极电压稳定在4.3V，因此通常的做法是采用存储电容C2的耐压值应该高于4.3V，这里在实际电路中采用耐压值为6.3V容量为I μ F，当然采用其他耐压值高于4.3V的电容亦可，根据晶体管Tl的发射极电压与基极电压的跟随关系，晶体管Tl的发射极电压随基极电压从零开始逐渐升高，由于Tl的发射极连接到升压芯片的补偿端，因此补偿端的电压随电容C2的充电而逐步升高，从而使得升压芯片上电时输入电流启动脉冲变小，延长启动时间，保证了电路系统的稳定性，图中的晶体管以2Ν8550为例；进一步可选的，当电路还包括第二二极管D2时，参照图3所示的电路，由于第二二极管D2的存在，在以此升压过程结束后，即升压芯片的VIN电压为零时，电容C2存储的电压可通过D2释放，进而保证下一次升压芯片开始工作时，补偿端电压仍能从零开始逐步升高，第一电容Cl用于维持第一二极管Dl所稳定的电压值，避免第一二极管Dl由于电流过大发生击穿，第一电容Cl可以设置为耐压值6.3V，容量为IOnF的电容。本实用新型的实施例提供的升压控制电路，能够通过控制升压芯片补偿端的输入电压，降低升压芯片输入电流的瞬间脉冲，提高升压芯片所在电路系统的稳定性，同时保证器件的工作寿命。参照图4所示，本实用新型的实施例一种升压系统，包括:升压控制电路30和升压芯片LM，其中:升压控制电路30为上述实施例中所提供的任一升压控制电路，升压芯片LM的电源输入管脚VIN与升压控制电路LM的供电单元的第一电压输入端IN相连，升压芯片LM的补偿管脚COMP与升压控制电路30的补偿控制单元的控制端CO相连。其中附图4中还给出了升压芯片的一种供电模块31的电路连接关系，包括电阻R3、R4、R5及二极管D3、D4，电容C，及晶体管Ml、M2，当然这只是一种升压芯片VIN管脚的供电形式，其中该供电电路通过EN端的控制线号控制电源VDD为VIN提供输入电压，其中在采用LM3478作为升压芯片时，电源VDD的电压一般采用12V，其具体工作原理这里不再赘述，当然在本实用新型中采用其他的供电模式对VIN管脚供电亦可，这里不做具体限制。本实用新型的实施例提供的升压系统，能够通过控制升压芯片补偿端的输入电压，降低升压芯片输入电流的瞬间脉冲，提高升压芯片所在电路系统的稳定性，同时保证器件的工作寿命。以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
权利要求1.一种升压控制电路，其特征在于，包括:供电单元和补偿控制单元，其中， 所述供电单兀，包括第一电压输入端和第一电压输出端，其中所述第一电压输入端连接升压芯片的电源输入管脚，所述第一电压输出端连接所述补偿单元，为所述补偿单元提供稳定的输入电压； 所述补偿控制单元，包括第二电压输入端和控制端，所述第二电压输入端连接所述第一电压输出端，为所述补偿控制单元提供稳定的输入电压，所述控制端连接所述升压芯片的补偿管脚，用于当所述供电单元向所述补偿控制单元输入电压后，向所述升压芯片的补偿端提供连续升高的控制电压。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述供电单元包括:第一电阻和第一二极管， 所述第一电阻的第一极连接所述第一电压输入端； 第一二极管，所述第一二极管的阴极连接所述第一电阻的第二极及所述第一电压输出端，所述第一二极管的阳极连接接地端。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述供电单元还包括:第一电容，所述第一电容的第一极连接所述第一二极管的阴极，所述第一电容的第二极连接所述接地端。
4.根据权利要求2或3所述的电路，其特征在于，所述第一二极管为稳压二极管。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述补偿控制单元包括:第二电阻、第二电容和晶体管， 所述第二电阻的第一极连接所述第二电压输入端； 所述第二电容的第一极连接所述第二电阻的第二极，所述第二电容的第二极连接所述接地端； 所述晶体管的基极连接所述第二电容的第一极，所述晶体管的发射极连接所述升压芯片的补偿端，所述晶体管的集电极连接所述接地端。
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述补偿控制单元还包括第二二极管，所述第二二极管的阴极连接所述第二电阻的第一极，所述第二二极管的阳极连接所述第二电阻的第二极。
7.根据权利要求5或6所述的电路，其特征在于，所述晶体管为PNP型晶体管。
8.一种升压系统，其特征在于，包括:升压控制电路和升压芯片，其中: 所述升压控制电路为权利要求1 7任一项所述的升压控制电路； 所述升压芯片的电源输入管脚与所述升压控制电路的供电单元的第一电压输入端相连，所述升压芯片的补偿管脚与所述升压控制电路的补偿控制单元的控制端相连。
专利摘要本实用新型的实施例提供一种升压控制电路及升压系统，涉及电子技术领域，能够能够降低升压芯片输入电流的瞬间脉冲，提高升压芯片所在电路系统的稳定性，同时保证器件的工作寿命。该电路包括供电单元和补偿控制单元，供电单元，包括第一电压输入端和第一电压输出端，第一电压输入端连接升压芯片的电源输入管脚，第一电压输出端连接补偿单元，为补偿单元提供稳定的输入电压；补偿控制单元，包括第二电压输入端和控制端，第二电压输入端连接第一电压输出端，为补偿控制单元提供稳定的输入电压，控制端连接升压芯片的补偿管脚，用于当供电单元向补偿控制单元输入电压后，向升压芯片的补偿端提供连续升高的控制电压。本实用新型的实施例应用于升压控制。
文档编号H02M3/156GK203027144SQ20132003949
公开日2013年6月26日 申请日期2013年1月24日 优先权日2013年1月24日
发明者王立岩 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司