一种机械能与电能转换装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种机械能与电能转换装置，属于能量【技术领域】。该装置包括制有纳米级流体通道的半导体衬底，所述半导体衬底安置在充斥电解液的腔体中，所述腔体具有分别与半导体衬底两面相对且受压后可相对半导体衬底移动的第一表面和第二表面；所述半导体衬底的两面将腔体分隔所述第一表面和第二表面分别与连接电源正、负极的正、负外电极板固连。本实用新型不仅具有结构简单、转换效率高的显著优点，而且实现了清洁资源向电能的转换，有望为日趋紧张的电力供应提供了一种新兴的能源转换途径。同时电能向机械能的转换，可以有效去除、过滤溶液等有毒性污染性带电粒子，为净化水源等污水处理技术提供一种新思路。
【专利说明】一种机械能与电能转换装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种机械能与电能转换装置，尤其是一种基于固体纳米孔的机械能与电能相互转换装置，属于能量【技术领域】。
【背景技术】
[0002]据 申请人:了解，长期以来，机械能与电能的转换装置主要借助切割磁力线运动。
[0003]在日趋紧张的电力供应矛盾下，探索新能源的开发利用领域，寻求新的能源供电方式、方法受到了国内外专家、研究团队的广泛研究。通过电压与压强调制实现机械能与电能的转换是近些年来新兴的研究领域之一，然而由于缺乏直接的转换装置设计、工程应用，相关研究多为理论仿真为主，能量转换效率偏低。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于:提出一种可以直接通过电压与压强调制实现机械能与电能转换的装置，从而提高能量转换效率、工程的实际应用性。
[0005]为了达到以上目的，本实用新型的机械能与电能转换装置基本技术方案为:包括制有纳米级流体通道(纳米孔或纳米沟道)的片状半导体衬底，所述半导体衬底安置在充斥电解液的腔体中，所述腔体具有分别与半导体衬底两面相对且受压后可相对半导体衬底移动的第一表面和第二表面；所述半导体衬底的两面将腔体分隔，所述第一表面和第二表面分别与连接电源正、负极的正、负外电极板固连。
[0006]现有技术加工纳米级流体通道的方法已经成熟，申请号为010101381212.4、200910010025.9以及201110233453.5的中国专利分别公开了基于AFM的纳米沟道加工方法、聚合物平面纳米沟道制作方法和纳米流体通道及其制作方法。这些基于固体材料、尤其是半导体衬底的纳米级(尺度)流体通道，如纳米沟道(nanochannel)、纳米孔(nanopore),在通道内壁表面存在的电荷会吸引相反极性的电荷(或者离子)并排斥同种极性的电荷(或者离子)，从而吸引相反极性的电荷(或者离子)聚集。
[0007]本实用新型的原理为:当外部机械压强施压于第一表面或通道第二表面时，将驱使电解液流经纳米级的流体孔。纳米级流体通道内由于内在表面电荷的对同性电荷的屏蔽作用造成的聚集的电荷(或者离子)势必选择性地只允许电解液中相反极性的离子通过，从而使半导体衬底两侧腔体的电解液产生离子浓度梯度，结果在正、负外电极板之间的外回路产生电荷输运，形成电流，实现机械能向电能的转换。反之，当正、负外电极板之间施加电压时，同样由于纳米级(尺度)流体通道对离子的选择性，导致相反极性的离子通过纳米级(尺度)流体通道，这些离子导致电解液流体承受额外的电学力，从而产生流动趋势，实现了电能向机械能的转换。
[0008]本实用新型进一步的完善是
[0009]所述半导体衬底为厚度0.5-0.7mm片状娃基晶圆制成的娃基衬底。
[0010]所述硅基衬底上分布半径0.05-0.30mm的圆柱型微型凹腔，所述凹腔腔底的厚度为40nm-lum,间隔分布有纳米级流体通道。
[0011]所述纳米级流体通道为半径为5±2nm的纳米孔。
[0012]所述电解液为KCl或NaCl溶液。
[0013]所述电解液的浓度为0.5-1.3mol/L，PH值为7.5-8.1。
[0014]本实用新型不仅具有结构简单、转换效率高的显著优点，而且实现了清洁资源向电能的转换，有望为日趋紧张的电力供应提供了一种新兴的能源转换途径。同时电能向机械能的转换，可以有效去除、过滤溶液等有毒性污染性带电粒子，为净化水源等污水处理技术提供一种新思路，由此制成的纳米孔发电装置可提供应急充电。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
[0016]图1是本实用新型一个实施例的结构示意图。
[0017]图2是制作图1硅基衬底的硅晶结构示意图。
[0018]图3为图2的局部放大结构示意图。
[0019]其中，I为娃基衬底；2为纳米孔；3为电解液；4为上表面；5为上外电极板；6为下表面；7为下外电极板；8为机械压强的施加位置和方向；9为微弱电流测量设备；10为电源。
【具体实施方式】
[0020]本实施例为一种基于纳米孔的机械能与电能的转换装置，其基本的单元结构如图1所示，包括制有纳米级流体通道——纳米孔2的半导体硅基衬底I。该硅基衬底I安置在充斥电解液3的腔体中。腔体3具有分别与硅基衬底I两面相对且受压后可相对硅基衬底
I移动的第一表面-下表面6和第二表面-上表面4。娃基衬底I的两面将腔体分隔
上、下两腔。下表面6和上表面4分别与连接电源10正、负极的正、负外电极板7、5固连。
[0021]硅基衬底I采用厚度0.5-0.7mm的片状硅基晶圆制成，如图2所示，硅基晶圆的表面分布半径0.05-0.30mm的圆柱型微型凹腔1_1，腔底的厚度控制在40nm-lum,如图3所示，腔底上分别制有间隔分布的纳米孔2。
[0022]其主要制作工艺步骤为:
[0023]步骤一:清洗硅基晶圆，采用微电子刻蚀工艺刻蚀成整齐排列的微型凹腔，并将腔底厚度控制在40nm-lum,,在采用微电子工艺刻蚀或高能重离子福照半导体娃基衬底I,使微型凹腔的腔底分布圆柱状的纳米孔2阵列；纳米孔2半径为5nm (直径10nm)，轴向长度即硅基衬底I的腔底厚度为40nm-lum ；
[0024]步骤二:将制成圆柱状纳米孔2的硅基衬底进行清洗处理后，安置于盛放电解液3的腔体中；
[0025]步骤三:固定好腔体的下表面6 ；
[0026]步骤四:向腔体注入电解液3，如KCl、NaCl等溶液，其浓度为0.5-1.3mol/L，PH值为7.5-8.1，硅基衬底I与纳米孔2将电解液分层上、下两个腔体；
[0027]步骤五:制备上、下外电极板5、7 ;
[0028]步骤六:在腔体上外电极板5、腔体下外电极板7之间加装微弱电流测量设备9、电源10。
[0029]因电荷具有“同性相斥、异性相吸”的特点，与硅基衬底I表面相同极性的电荷(或者离子)会被排斥远离纳米孔区域，而与硅基衬底I表面电荷异性的电荷(或者离子)则会被吸引在纳米孔2内表面等处并积累。当在腔体上表面4或下表面7施加外部机械压强(10bar-200bar)，即可因电解液流动时，同性电荷(或者离子)无法通过纳米孔2而形成硅基衬底I两侧上、下腔的离子浓度梯度，产生电流，实现机械能向电能的转换；当在上、下外电极板5、7之间外加电压(通常0.21-0.5V)时，硅基衬底I两侧上、下腔逐渐形成的离子浓度梯度将产生使电解液朝使离子浓度梯度减小方向流动的趋势，从而导致上表面4或下表面7相对娃基衬底I的位移，实现电能向流体机械能的转换。
[0030]理论和试验都证明，本实施例的装置可以通过纳米孔两边的腔体边界，通过施加外部机械压强，实现机械能向电能的转换；或通过在腔体边界外部施加一定电压，实现电能向机械能的转换。由于外部的压强就可以快捷实现向电能的简易转换，因此本实施例的装置可用于手机等新型智能设备、微型移动设备的意外紧急情况下充电，解决无电源场合的充电困难。
【权利要求】
1.一种机械能与电能转换装置，包括制有纳米级流体通道的片状半导体衬底，其特征在于:所述半导体衬底安置在充斥电解液的腔体中，所述腔体具有分别与半导体衬底两面相对且受压后可相对半导体衬底移动的第一表面和第二表面；所述半导体衬底的两面将腔体分隔，所述第一表面和第二表面分别与连接电源正、负极的正、负外电极板固连。
2.根据权利要求1所述的机械能与电能转换装置，其特征在于:所述半导体衬底为厚度0.5-0.7mm片状硅基晶圆制成的硅基衬底。
3.根据权利要求2所述的机械能与电能转换装置，其特征在于:所述硅基衬底上分布半径0.05-0.30mm的圆柱型微型凹腔,所述凹腔腔底的厚度为40nm-lum,间隔分布有纳米级流体通道。
4.根据权利要求3所述的机械能与电能转换装置，其特征在于:所述纳米级流体通道为半径为5±2nm的纳米孔。
5.根据权利要求4所述的机械能与电能转换装置，其特征在于:所述电解液为KCl或NaCl溶液。
6.根据权利要求5所述的机械能与电能转换装置，其特征在于:所述电解液的浓度为.0.5-1.3mol/L, PH 值为 7.5-8.1。
【文档编号】H02N11/00GK203827222SQ201420212608
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年4月28日 优先权日:2014年4月28日
【发明者】许洪华, 李凯, 王春宁, 凃俊, 延巧娜 申请人:国家电网公司, 江苏省电力公司南京供电公司, 江苏省电力公司