一种漏电保护电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种漏电保护电路。本实用新型采用如下技术：一种漏电保护电路，其特征在于：还包括有倍压整流电路单元，所述倍压整流电路单元包括有电容C1、C3、二极管D3、D4，其中电容C1与二极管D3的负极连接后与可控硅D2的门极连接，二极管D3的正极与二极管D4的负极共同连接到滤波电路单元上，电容C1和电容C3相连后连接到滤波电路单元上，电容C3和二极管D4的正极相连后接地，所述电源电路单元D1为半波整流，二极管D1的正极连接在脱扣线圈Trip上，二极管D1的负极连接到可控硅D2的阳极上。通过采用上述方案，本实用新型克服现有技术存在的问题，提供一种使输入信号更稳定，判断更准确的新型的漏电保护电路。
【专利说明】-种漏电保护电路
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种漏电保护电路。
【背景技术】
[0002] 传统的与此相似的漏电保护电路，如图1所示，电源部分D2~D5采用全波整流，信 号处理部分D1、R1、R2、C1在阻容滤波后，直接输入到可控硅的门极，驱动可控硅动作。
[0003] 在传统电路中，可控娃门极的输入信号的波形近似于交流信号。触发可控娃的方 式也是在交流信号的峰值部分来触发。这样的触发方式不够稳定可靠。
[0004] 整流电路在高压部分，使电路的高压元件增多，进一步降低了整体的可靠性。
【发明内容】
[0005] 本实用新型克服现有技术存在的问题，提供一种使输入信号更稳定，判断更准确 的新型的漏电保护电路。
[0006] 实现上述目的，本实用新型采用如下技术：一种漏电保护电路，包括有零序互感器 ZCT、可控硅D2、电源电路单元D1、滤波电路单元和脱扣线圈Trip，其中零序互感器ZCT的 两根线连接到滤波电路单元，其特征在于：还包括有倍压整流电路单元，所述倍压整流电路 单元包括有电容C1、C3、二极管D3、D4,其中电容C1与二极管D3的负极连接后与可控硅D2 的门极连接，二极管D3的正极与二极管D4的负极共同连接到滤波电路单元上，电容C1和 电容C3相连后连接到滤波电路单元上，电容C3和二极管D4的正极相连后接地，所述电源 电路单元D1为半波整流，二极管D1的正极连接在脱扣线圈Trip上，二极管D1的负极连接 到可控硅D2的阳极上。
[0007] 通过采用上述方案，本发明电源部分采用半波整流；零序互感器ZCT采样取得的 漏电信号通过二极管D3、电容C1和电容C3组成倍压整流电路，将交流漏电输入信号整流放 大，转换成直流信号，输出给驱动电路的开关元件，使输入信号更稳定，判断更准确。本专利 在电源部分D1采用的是半波整流的方式，具有提高开关元件反向耐压的功能。
[0008] 本实用新型的进一步设置是：还包括有试验按钮回路电路单元，该试验按钮回路 电路单元包括有试验按钮和电阻R1，其中试验按钮一端连接到脱扣线圈Trip的正极上，另 一端穿过零序互感器ZCT后连接到电阻R1上，电阻R1的另一端接地，所述的二极管D3、D4 为肖特基二极管D3、D4。
[0009] 通过采用上述方案，使上述结构整体使用效果更好，使用更加方便，另外为了降低 倍压整流电路中的二极管D3管压降，电路中的二极管D3选用肖特基二极管。
[0010] 下面结合附图和实施方式对本实用新型做进一步描述。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1为【背景技术】的电路图；
[0012] 图2为本实用新型实施例的电路图。 具体实施例
[0013] 如图2所示，一种漏电保护电路，包括有零序互感器ZCT、可控硅D2、电源电路单元 D1、滤波电路单元和脱扣线圈Trip，其中零序互感器ZCT的两根线连接到滤波电路单元5， 在本实用新型实施例中，还包括有倍压整流电路单元7,所述倍压整流电路单元7包括有电 容C1、C3、二极管D3、D4,其中电容C1与二极管D3的负极连接后与可控硅D2的门极连接， 二极管D3的正极与二极管D4的负极共同连接到滤波电路单元5上，电容C1和电容C3相 连后连接到滤波电路单元5上，电容C3和二极管D4的正极相连后接地，所述电源电路单元 D1为半波整流，二极管D1的正极连接在脱扣线圈Trip上，二极管D1的负极连接到可控硅 D2的阳极上，通过采用上述方案，本发明电源部分采用半波整流；零序互感器ZCT采样取得 的漏电信号通过二极管D3、二极管D3、电容C1和电容C3组成倍压整流电路7,将交流漏电 输入信号整流放大，转换成直流信号，输出给驱动电路的开关元件，使输入信号更稳定，判 断更准确。本专利在电源部分D1采用的是半波整流的方式，具有提高开关元件反向耐压的 功能。
[0014] 在本实用新型实施例中，还包括有试验按钮回路电路单元6,该试验按钮回路电路 单元6包括有试验按钮61和电阻R1，其中试验按钮61 -端连接到脱扣线圈Trip的正极 上，另一端穿过零序互感器ZCT后连接到电阻R1上，电阻R1的另一端接地，所述的二极管 D3、D4为肖特基二极管D3、D4。通过采用上述方案，使上述结构整体使用效果更好，使用更 加方便，另外为了降低倍压整流电路7中的二极管管D3压降，电路中的二极管D3选用肖特 基-极管。
[0015] 本实用新型所揭示，乃较佳实施例的一种，举凡局部的变更或是修饰而源于本实 用新型的技术思想而为熟习该技术的人所易于推知者，俱不脱本实用新型的专利范畴。
【权利要求】
1. 一种漏电保护电路，包括有零序互感器ZCT、可控硅D2、电源电路单元D1、滤波电路 单元和脱扣线圈Trip，其中零序互感器ZCT的两根线连接到滤波电路单元，其特征在于：还 包括有倍压整流电路单元，所述倍压整流电路单元包括有电容Cl、C3、二极管D3、D4,其中 电容C1与二极管D3的负极连接后与可控硅D2的门极连接，二极管D3的正极与二极管D4 的负极共同连接到滤波电路单元上，电容C1和电容C3相连后连接到滤波电路单元上，电容 C3和二极管D4的正极相连后接地，所述电源电路单元D1为半波整流，二极管D1的正极连 接在脱扣线圈Trip上，二极管D1的负极连接到可控硅D2的阳极上。
2. 根据权利要求1所述的漏电保护电路，其特征在于：还包括有试验按钮回路电路单 元，该试验按钮回路电路单元包括有试验按钮和电阻R1，其中试验按钮一端连接到脱扣线 圈Trip的正极上，另一端穿过零序互感器ZCT后连接到电阻R1上，电阻R1的另一端接地， 所述的二极管D3、D4为肖特基二极管D3、D4。
【文档编号】H02H3/32GK203883451SQ201420313158
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年6月12日 优先权日:2014年6月12日
【发明者】王春成, 朱海民 申请人:德力西电气有限公司