一种漏电断路器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种漏电断路器，包括断路器QF和漏电脱扣器，漏电脱扣器由断路器QF的负载侧取电，经脱扣线圈L，接至整流桥的输入端，整流桥的两个输出端分别连接可控硅SCR的阳极和阴极，整流桥的两个输出端还与RC串联电路连接，零序互感器TA的输出端经整流桥、可控硅SCR的阳极、可控硅SCR的触发极与第一限流电阻R2串接成漏电保护触发回路，自整流桥的一个输入端取电，经第二限流电阻R3，二极管D5接至整流桥的输出负极端，二极管D5串接于漏电保护触发回路。零序互感器感应后的整定电压与二极管的管压降叠加，增强了可控硅的触发能量，零序互感器无需二次穿芯，即能可靠地触发漏电保护电路，电路结构简单，成本低，漏电特性一致性好，适于扩大生产。
【专利说明】一种漏电断路器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种漏电断路器。
【背景技术】
[0002]如图1所示，现有的一种漏电断路器的结构，包括断路器QF和漏电脱扣器，将供电线路L，N穿入零序互感器TA，当供电线路出现漏电故障，零序互感器TA的输出端感应出剩余电流信号，由漏电保护触发电路将其转换成直流电压，以此触发可控硅SCR的门极，可控硅SCR导通后，可使脱扣线圈L得电，由脱扣线圈L控制的断路器QF分断，断开故障供电线路。在现有技术中，为了使可控硅获得足够的触发能量，零序互感器需二次穿芯，不仅增加的主导线的消耗，工人的装配速度也降低了。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种采用现有零序互感器，仅需一次穿芯即可满足可控硅的触发能量需求的漏电断路器。
[0004]为实现上述目的，本实用新型采用这样一种漏电断路器，包括断路器QF和漏电脱扣器，所述的漏电脱扣器由所述的断路器QF的负载侧取电，经脱扣线圈L，接至整流桥的输入端，所述的整流桥的两个输出端分别连接可控硅SCR的阳极和阴极，所述的整流桥的两个输出端还与RC串联电路连接，零序互感器TA的输出端经所述的整流桥、所述的可控硅SCR的阳极、所述的可控硅SCR的触发极与第一限流电阻R2串接成漏电保护触发回路，自所述的整流桥的一个输入端取电，经第二限流电阻R3，二极管D5接至所述的整流桥的输出负极端，所述的二极管D5串接于所述的漏电保护触发回路。与已有技术相比，本实用新型的有益效果体现于:通过以上电路结构的设计，零序互感器感应后的整定电压与二极管的管压降叠加，增强了可控硅的触发能量，零序互感器无需二次穿芯，即能可靠地触发漏电保护电路，电路结构简单，成本低，漏电特性一致性好，适于扩大生产。
[0005]特别的，测试按钮TK经第三限流电阻R5、所述的整流桥、所述的RC串联电路、所述的脱扣线圈L与所述的断路器QF的负载端形成测试通路。通过测试按钮的设置，便于生产维护人员调试产品，验证漏电保护动作机构的正常与否。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1是本实用新型实施例漏电断路器的电路原理图。
【具体实施方式】
[0007]如图1所示，一种漏电断路器，包括断路器QF和漏电脱扣器，漏电脱扣器由断路器QF的负载侧取电，经脱扣线圈L，接至整流桥的输入端，整流桥的两个输出端分别连接可控硅SCR的阳极和阴极，整流桥的两个输出端还与RC串联电路连接，零序互感器TA的输出端经整流桥、可控硅SCR的阳极、可控硅SCR的触发极与第一限流电阻R2串接成漏电保护触发回路，自整流桥的一个输入端取电，经第二限流电阻R3，二极管D5接至整流桥的输出负极端，二极管D5串接于漏电保护触发回路。
[0008]测试按钮TK经第三限流电阻R5、整流桥、RC串联电路、脱扣线圈L与断路器QF的负载端形成测试通路。
【权利要求】
1.一种漏电断路器，包括断路器(QF)和漏电脱扣器，所述的漏电脱扣器由所述的断路器(QF)的负载侧取电，经脱扣线圈(L)，接至整流桥的输入端，所述的整流桥的两个输出端分别连接可控硅(SCR)的阳极和阴极，所述的整流桥的两个输出端还与RC串联电路连接，零序互感器(TA)的输出端经所述的整流桥、所述的可控硅(SCR)的阳极、所述的可控硅(SCR)的触发极与第一限流电阻(R2)串接成漏电保护触发回路，其特征在于:自所述的整流桥的一个输入端取电，经第二限流电阻(R3)，二极管(D5)接至所述的整流桥的输出负极端，所述的二极管(D5)串接于所述的漏电保护触发回路。
2.根据权利要求1所述的漏电断路器，其特征在于:测试按钮(TK)经第三限流电阻(R5)、所述的整流桥、所述的RC串联电路、所述的脱扣线圈(L)与所述的断路器(QF)的负载端形成测试通路。
【文档编号】H02H3/32GK204179638SQ201420458920
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年8月10日 优先权日:2014年8月10日
【发明者】刘德胜, 吴立珠 申请人:常安集团有限公司