一种igbt缓冲电路安装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种IGBT缓冲电路安装结构，包括IGBT模块、缓冲电路板、保护上盖；所述IGBT模块、缓冲电路板、保护上盖由下至上依次设置；所述保护上盖可完全将缓冲电路板包覆；所述缓冲电路板上印制缓冲电路，其安装孔与所述IGBT模块上的接线端对应设置；所述保护上盖上对应缓冲电路板上安装孔或IGBT模块上接线端的位置设置有接线孔。所述IGBT模块底部还安装有散热器。本实用新型保证了缓冲电路集成化，节省了安装空间，减少了电气连接线路。
【专利说明】一种IGBT缓冲电路安装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电子元件领域，具体涉及一种IGBT缓冲电路安装结构。
【背景技术】
[0002]IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(Bipolar Junct1n Transistor,双极型三极管)和MOS(metal-oxide-semiconductor,绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorFieId-EffectTransistor,金属-氧化层半导体场效晶体管)的高输入阻抗和GTR(Giant Transistor,电力晶体管)的低导通压降两方面的优点，驱动功率小而饱和压降低，被广泛使用在变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
[0003]在电力电子电路中，IGBT导通和关断时刻都要承受很大的电压、电流，通常IGBT都工作于通断状态，IGBT的导通和关断都不是瞬时完成的。IGBT刚刚导通时，IGBT的等效阻抗大，如果IGBT电流很快上升，就会造成很大的导通损耗；同样器件接近完全关断时，器件的电流还比较大，如果IGBT器件承受的电压迅速上升，也会造成很大的关断损耗。开关损耗会导致IGBT的发热甚至损坏，实际电力电子电路中，还常由于二极管的反向恢复电流而增加电力电子器件的开通电流，由于感性负载或导线的分布电感等原因造成器件关断时承受很高的感应电压，采用缓冲电路可以改善IGBT的开关工作条件。
[0004]但在实践中，IGBT的缓冲电路需要根据具体使用情况不同而采用设计，如此一来，就难以在IGBT内集成通用化的缓冲电路，而需要外接缓冲电路，而外接的缓冲电路往往由于接线繁杂而增加了电路出现物理故障的可能，而且极大的浪费安装空间。
实用新型内容
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种IGBT缓冲电路安装结构，该IGBT缓冲电路安装结构通过在IGBT接线端外加装缓冲电路电路板并设置保护上盖的结构，很好的保证了 IGBT外接缓冲缓冲电路的空间节约，也极大的避免了因其他原因导致电路出现物理故障的可能。
[0006]本实用新型通过以下技术方案得以实现。
[0007]本实用新型提供的一种IGBT缓冲电路安装结构，包括IGBT模块、缓冲电路板、保护上盖；所述IGBT模块、缓冲电路板、保护上盖由下至上依次设置；所述保护上盖可完全将缓冲电路板包覆；所述缓冲电路板上印制缓冲电路，其安装孔与所述IGBT模块上的接线端对应设置；所述保护上盖上对应缓冲电路板上安装孔或IGBT模块上接线端的位置设置有接线孔。
[0008]所述IGBT模块底部还安装有散热器。
[0009]本实用新型的有益效果在于:保证了缓冲电路集成化，节省了安装空间，减少了电气连接线路。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型的结构示意图；
[0011]图2是图1安装状态下的结构示意图；
[0012]图中=1-1GBT模块，11-接线端，2-缓冲电路板，3-保护上盖，4-散热器。
【具体实施方式】
[0013]下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
[0014]如图1、图2所示的一种IGBT缓冲电路安装结构，包括IGBT模块1、缓冲电路板2、保护上盖3 ;所述IGBT模块1、缓冲电路板2、保护上盖3由下至上依次设置；所述保护上盖3可完全将缓冲电路板2包覆；所述缓冲电路板2上印制缓冲电路，其安装孔与所述IGBT模块I上的接线端11对应设置；所述保护上盖3上对应缓冲电路板2上安装孔或IGBT模块I上接线端11的位置设置有接线孔。
[0015]所述IGBT模块I底部还安装有散热器4。
[0016]缓冲电路板2 —般为印刷电路板，其上设置缓冲电路并安装有二极管、电容等元器件，由于缓冲电路绝大多数情况下很简单，因此缓冲电路板2的体积可以很小，设置在IGBT顶部不会对IGBT整件体积有多大影响，加装保护上盖3后和IGBT加装前的体积变化不大，但其集成化效果相对于电线连接额外的缓冲电路而言很明显。
【权利要求】
1.一种IGBT缓冲电路安装结构，包括IGBT模块(I)、缓冲电路板(2)、保护上盖(3)，其特征在于:所述IGBT模块(I)、缓冲电路板(2)、保护上盖(3)由下至上依次设置；所述保护上盖(3)可完全将缓冲电路板(2)包覆；所述缓冲电路板(2)上印制缓冲电路，其安装孔与所述IGBT模块(I)上的接线端(11)对应设置；所述保护上盖(3)上对应缓冲电路板(2)上安装孔或IGBT模块(I)上接线端(11)的位置设置有接线孔。
2.如权利要求1所述的IGBT缓冲电路安装结构，其特征在于:所述IGBT模块(I)底部还安装有散热器(4)。
【文档编号】H02M1/34GK204131386SQ201420555676
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年9月25日 优先权日:2014年9月25日
【发明者】李志文, 李劲平, 庞桂蓉, 向迎春 申请人:贵州航天天马机电科技有限公司