光模块的制作方法

本发明涉及一种具有APD(Avalanche Photodiode)的用于光通信的光模块。

背景技术：

在现有的光模块中，在电源端子与APD的阴极之间连接有电阻，在电阻与APD的阴极的连接点连接有用于浪涌对策的齐纳二极管的阴极(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平11-275755号公报

在被输入了浪涌的情况下，如果APD的阴极电压小于齐纳二极管的击穿电压，则浪涌电流流过APD而不流过齐纳二极管。并且，在强光射入至APD的情况下存在如下问题，即，由于电阻的电压降而引起APD的阴极电压降低，因此与齐纳二极管的击穿电压之差扩大而容易在APD流过浪涌电流。

技术实现要素：

本发明就是为了解决上述的课题而提出的，其目的在于得到一种光模块，该光模块能够实现稳定的浪涌耐受性而不依赖于有无光的射入。

本发明涉及的光模块的特征在于，具有：APD(Avalanche Photodiode)；电源端子；自偏置电阻，其连接于所述APD的阴极与所述电源端子之间；接地端子；以及用于浪涌对策的齐纳二极管，其阴极连接于所述电源端子与所述自偏置电阻的连接点，阳极与所述接地端子直接连接。

发明的效果

在本发明中，齐纳二极管与电源端子直接连接，不受自偏置电阻的影响，因此能够实现稳定的浪涌耐受性而不依赖于有无光的射入。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的光模块的图。

图2是表示本发明的实施方式2涉及的光模块的图。

图3是表示本发明的实施方式3涉及的光模块的图。

图4是表示本发明的实施方式4涉及的光模块的图。

标号的说明

APD雪崩光电二极管，C1电容器，D1、D_1～D_n齐纳二极管，R1自偏置电阻，T_GND接地端子，T_V1电源端子

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式涉及的光模块进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复的说明。

实施方式1.

图1是表示本发明的实施方式1涉及的光模块的图。在雪崩光电二极管APD(Avalanche Photodiode)的阴极与电源端子T_V1之间连接有自偏置电阻R1。因此，APD与自偏置电阻R1串联连接，从电源端子T_V1经由自偏置电阻R1而将电压供给至APD。

在APD的阳极连接有跨阻放大器TIA。如果光射入至APD，则光电流流过APD。TIA将其放大而将差动输出从输出端子T_OUTP、T_OUTN输出。

用于去除噪声的电容器C1的一端连接于APD与自偏置电阻R1的连接点，另一端与接地端子T_GND连接。电容器C2的一端连接于TIA与电源端子T_V2的连接点，另一端与接地端子T_GND连接。

用于浪涌对策的齐纳二极管D1的阴极连接于电源端子T_V1与自偏置电阻R1的连接点，阳极与接地端子T_GND直接连接。即，在齐纳二极管D1的阳极与接地端子T_GND之间未连接开关等其他的电路元件，两者仅通过配线而电连接。

接地端子T_GND经由光模块外部的配线而接地。由光模块外部的电源将电源电压V_apd(85V)施加于电源端子T_V1。由光模块外部的电源将电源电压V_cc施加于电源端子T_V2。以齐纳二极管D1的击穿电压V_z比电源电压V_apd大的方式而设定击穿电压V_z和电源电压V_apd(V_z＞V_apd)。

由此，在本实施方式中，在光模块被施加了超过齐纳二极管D1的击穿电压V_z的浪涌的情况下，浪涌电流从电源端子T_V1流至齐纳二极管D1侧，能够保护APD。另外，由于齐纳二极管D1与电源端子T_V1直接连接，因此不受自偏置电阻R1的影响，即使光电流流过APD，V_apd－V_z也保持固定。因此，即使在光电流流过APD的情况下，也能够实现与未流过光电流的情况相同的浪涌耐受性。即，能够实现稳定的浪涌耐受性而不依赖于有无光的射入。另外，由于将自偏置电阻R1内置于光模块，因此能够使光收发机侧的电路小型化。

此外，在来自光模块外部的浪涌电压大于或等于V_apd而小于V_z的情况下，电流不流至齐纳二极管D1侧，浪涌电流流过APD，因此V_apd和V_z优选设为尽可能相近的值。

实施方式2.

图2是表示本发明的实施方式2涉及的光模块的图。在本实施方式中，用于去除噪声的电容器C1的一端连接于电源端子T_V1与自偏置电阻R1的连接点，另一端与接地端子T_GND连接，该电容器C1与齐纳二极管D1并联连接。其他的结构与实施方式1相同，能够得到与实施方式1相同的效果。

在这里，在实施方式1中，在输入了上升沿时间短的光时，光电流急剧地变动，自偏置电阻R1处的电压降的值也急剧地变动。由此，由于电容器C1与自偏置电阻R1的连接部的电压变动，在电容器C1蓄积的电荷急剧地流向APD，APD可能会发生故障。

另一方面，在本实施方式中，通过将电容器C1与电源端子T_V1直接连接，从而不受自偏置电阻R1处的电压降的值的变动的影响。因此，即使光射入至APD，也不会产生朝向APD的瞬态电流，因此能够防止APD的故障。

实施方式3.

图3是表示本发明的实施方式3涉及的光模块的图。在本实施方式中，取代齐纳二极管D1而使用相互串联连接的多个齐纳二极管D_1～D_n(n为大于或等于2的任意整数)。其他的结构与实施方式1相同。将多个齐纳二极管D_1～D_n的击穿电压合计后的值V_{z_1}+V_{z_2}…+V_{z_n}比电源电压V_apd大，但通过尽可能地趋近于电源电压V_apd，从而得到稳定的浪涌耐受性。

实施方式4.

图4是表示本发明的实施方式4涉及的光模块的图。在本实施方式中，取代齐纳二极管D1而使用相互串联连接的多个齐纳二极管D_1～D_n(n为大于或等于2的任意整数)。其他的结构与实施方式2相同。将多个齐纳二极管D_1～D_n的击穿电压合计后的值V_{z_1}+V_{z_2}…+V_{z_n}比电源电压V_apd大，但通过尽可能地趋近于电源电压V_apd，从而得到稳定的浪涌耐受性。