1.一种减反射膜抗PID性能的测试方法，包括如下步骤：
(1)将硅片清洗、制绒、镀减反射膜、烧结退火；
(2)在步骤(1)所得硅片表面连续撒电荷，同时检测硅片表面的电压值；
(3)对比硅片表面电压与电荷量，若硅片表面电压随着电荷量呈线性增加，则说明减反射膜绝缘性能较好，则后续的电池或组件具备抗PID性能好；否则说明减反射膜绝缘性能较差，后续的电池或组件抗PID性能较差。
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(1)中所述硅片不进行磷扩散。
3.根据权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，步骤(1)中所述减反射膜为氧化铝、氧化硅或氮化硅。
4.根据权利要求1-3任一项所述的测试方法，其特征在于，步骤(2)中硅片表面的电压值使用开尔文探头进行检测。
5.根据权利要求1-4任一项所述的测试方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)将不进行磷扩散的硅片清洗、制绒、镀减反射膜、烧结退火；
(2)在步骤(1)所得硅片表面连续撒电荷，同时使用开尔文探头检测硅片表面的电压值；
(3)对比硅片表面电压与电荷量，若硅片表面电压随着电荷量呈线性增加，则说明减反射膜绝缘性能较好，则后续的电池或组件具备抗PID性能好；否则说明减反射膜绝缘性能较差，后续的电池或组件抗PID性能较差。