1.一种过流保护外围电路，适用于功率芯片，所述功率芯片的内部设有过流保护模块，所述过流保护外围电路设有参考模块和比较模块，所述比较模块的第一输入端连接至负载采样端以获取采样信号，所述比较模块的第二输入端连接至所述参考模块的输出端以获取所述参考信号，在所述比较模块判定所述采样信号大于或等于所述参考信号时，所述比较模块向所述过流保护模块输出触发信号，以触发所述过流保护模块工作，其特征在于，所述过流保护外围电路还包括：
处理器；
所述参考模块还包括：
开关元件，所述开关元件的驱动端连接至所述处理器，所述处理器向所述驱动端输出导通信号时，所述开关元件导通，此时所述参考模块的输出端向所述第二输入端输出第一分压值作为所述参考信号，所述处理器向所述驱动端输出关断信号时，所述开关元件关断，此时所述参考模块的输出端向所述第二输入端输出第二分压值作为所述参考信号，
其中，所述第一分压值与所述第二分压值不相等。
2.根据权利要求1所述的过流保护外围电路，其特征在于，所述参考模块还包括：
多个电阻元件，串联连接于参考电源和地线之间，所述多个电阻元件中的一个特定电阻元件的一端作为所述参考模块的输出端，
其中，所述开关元件并联连接至所述特定电阻元件，所述开关元件导通时，所述特定电阻元件被短路，所述开关元件关断时，所述特定电阻元件导通。
3.根据权利要求1所述的过流保护外围电路，其特征在于，所述比较模块包括：
比较器，所述比较器的两个输入端分别连接至所述负载采样端和所述参考模块的输出端，所述比较器的输出端连接至三极管的基极；
所述三极管，所述三极管的集电极连接至参考电源，所述三极管的发射极极连接至第一电阻；
所述第一电阻，所述第一电阻的第一端连接至上所述三极管的发射极极，所述第一电阻的第二端接地，所述第一电阻的第一端还连接至所述过流保护模块，
其中，所述采样信号大于或等于所述参考信号时，所述比较器的输出端向所述三极管的基极输出基极驱动信号，以导通所述三极管，所述第一电阻的负载电压作为所述触发信号输出至所述过流保护模块。
4.根据权利要求3所述的过流保护外围电路，其特征在于，
所述三极管为PNP型三极管时，所述比较器的负极输入端作为所述第一输入端连接至所述负载采样端，所述比较器的正极输入端作为所述第二输入端连接至所述参考模块的输出端，
其中，所述采样信号大于或等于所述参考信号时，所述比较器输出低电平信号，所述比较器输出的低电平作为所述基极驱动信号输出至所述PNP型三极管的基极以导通所述三极管，所述第一电阻的负载电压为高电平信号，并且作为所述触发信号输出至所述过流保护模块。
5.根据权利要求3所述的过流保护外围电路，其特征在于，
所述三极管为NPN型三极管时，所述比较器的正极输入端作为所述第一输入端连接至所述负载采样端，所述比较器的负极输入端作为所述第二输入端连接至所述参考模块的输出端，
其中，所述采样信号大于或等于所述参考信号时，所述比较器输出高电平信号，所述比较器输出的高电平作为所述基极驱动信号输出至所述NPN型三极管的基极以导通所述三极管，所述第一电阻的负载电压为高电平信号，并且作为所述触发信号输出至所述过流保护模块。
6.根据权利要求1所述的过流保护外围电路，其特征在于，还包括：
比较器，所述比较器的两个输入端分别连接至所述负载采样端和所述参考模块的输出端，所述比较器的输出端连接至MOS管的栅极；
所述MOS管，所述MOS管的源极连接至参考电源，所述MOS管的漏极连接至第一电阻；
所述第一电阻，所述第一电阻的第一端连接至所述MOS管的漏极，所述第一电阻的第二端接地，所述第一电阻的第一端还连接至所述过流保护模块，
其中，所述采样信号大于或等于所述参考信号时，所述比较器的输出端向所述MOS管的栅极输出栅极驱动信号，以导通所述MOS管，所述第一电阻的负载电压作为所述触发信号输出至所述过流保护模块。
7.根据权利要求6所述的过流保护外围电路，其特征在于，
所述MOS管为N沟道MOS管时，所述比较器的负极输入端作为所述第一输入端连接至所述负载采样端，所述比较器的正极输入端作为所述第二输入端连接至所述参考模块的输出端，
其中，所述采样信号大于或等于所述参考信号时，所述比较器输出低电平信号，所述比较器输出的低电平作为所述栅极驱动信号输出至所述N沟道MOS管的栅极以导通所述MOS管，所述第一电阻的负载电压为高电平信号，并且作为所述触发信号输出至所述过流保护模块。
8.根据权利要求6所述的过流保护外围电路，其特征在于，
所述MOS管为P沟道MOS管时，所述比较器的正极输入端作为所述第一输入端连接至所述负载采样端，所述比较器的负极输入端作为所述第二输入端连接至所述参考模块的输出端，
其中，所述采样信号大于或等于所述参考信号时，所述比较器输出高电平信号，所述比较器输出的高电平作为所述栅极驱动信号输出至所述P沟道MOS管的栅极以导通所述MOS管，所述第一电阻的负载电压为高电平信号，并且作为所述触发信号输出至所述过流保护模块。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的过流保护外围电路，其特征在于，还包括：
滤波模块，连接至所述负载采样端和所述比较模块的第一输入端之间，用于滤除所述负载采样端的采样信号中的交流信号。
10.根据权利要求1至8所述的过流保护外围电路，其特征在于，
所述开关元件为NPN型三极管或PNP型三极管时，所述开关元件的驱动端为基极。
11.根据权利要求1至8所述的过流保护外围电路，其特征在于，
所述开关元件为P沟道MOS管或N沟道MOS管时，所述开关元件的驱动端为栅极。
12.一种用电设备，其特征在于，包括：
如权利要求1至11中任一项所述的过流保护外围电路。