本实用新型涉及断路器领域，具体涉及一种剩余电流动作断路器可控硅分压电路。
背景技术：
随着我国对电力需求的日渐增大，对电气设备的使用越来越多，在供电线路、用电设备和开关设备等处容易产生安全隐患，特别是由绝缘损坏发生剩余电流(漏电)而引起的电气火灾事故最为常见，剩余电流保护断路器是可以对剩余电流起保护作用的断路器，同时也是切断故障电路，预防火灾产生的最有效的措施之一。
但是现有的剩余电流动作断路器其多采用可控硅分压控制电路，但是市场上高耐压可控硅少，因此需要提高耐压值时，则需要较为复杂的分压电路，从而导致剩余电流动作断路器的造价成本变高。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服上述不足之处，提出了一种剩余电流动作断路器可控硅分压电路。
本实用新型的技术方案是：一种剩余电流动作断路器可控硅分压电路，其包括输入端A、输入端B，分别与输入端A输入端B连接的脱扣电路、与脱扣电路连接的可控硅控制电路以及剩余电流检测电路，所述可控硅控制电路设有至少一个可控硅分压电路。
所述可控硅分压电路包括可控硅Q1，所述可控硅Q1的阳极接脱扣电路的正输出端，所述可控硅Q1的阴极接可控硅控制电路的可控硅Q3的阳极，可控硅Q1的控制端串联电阻R1接脱扣电路的正输出端，可控硅Q1的控制端与阴极之间分别并联电阻R4和电容C1。
所述可控硅分压电路为2个，其电路连接如下：所述可控硅Q1的阳极接脱扣电路的正输出端，所述可控硅Q1的阴极接可控硅Q2的阳极，可控硅Q1的控制端串联电阻R1接脱扣电路的正输出端，可控硅Q1的控制端与阴极之间分别并联电阻R4和电容C1，所述可控硅Q2的阴极接可控硅控制电路的可控硅Q3的阳极，可控硅Q2的控制端串联电阻R2与可控硅Q1的控制端连，可控硅Q2的控制端与阴极之间分别并联电阻R5和电容C2。
所述脱扣电路包括脱扣线圈L以及整流电路。
所述整流电路为二极管D1、二极管D2、二极管D3以及二极管D4构成的整流桥。
输入端A与输入端B之间并联压敏电阻RV1。
所述剩余电流检测电路包括并联在可控硅控制电路的可控硅Q3的控制端和阴极之间的电容C3、与控制端串联的电阻R6以及依次并联在电阻R6的另一端的稳压管D5和电阻R7。
本实用新型的有益效果：该电路对浪涌电压与直流电压有同样的耐压能力，线路耐压反应速度与可控硅耐压反应速度一致，在工作电压的工作状态下可以抵御最高的浪涌电压，可以提高剩余电流动作断路器的抗浪涌耐压值。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面针对附图对本实用新型的实施例作进一步说明：
本实用新型提供了一种剩余电流动作断路器可控硅分压电路，其包括输入端A、输入端B，分别与输入端A输入端B连接的脱扣电路1、与脱扣电路1连接的可控硅控制电路2以及剩余电流检测电路3，所述可控硅控制电路设有至少一个可控硅分压电路，所述可控硅分压电路包括可控硅Q1，所述可控硅Q1的阳极接脱扣电路的正输出端，所述可控硅Q1的阴极接可控硅控制电路的可控硅Q3的阳极，可控硅Q1的控制端串联电阻R1接脱扣电路的正输出端，可控硅Q1的控制端与阴极之间分别并联电阻R4和电容C1。
所述可控硅分压电路为2个，其电路连接如下：所述可控硅Q1的阳极接脱扣电路的正输出端，所述可控硅Q1的阴极接可控硅Q2的阳极，可控硅Q1的控制端串联电阻R1接脱扣电路的正输出端，可控硅Q1的控制端与阴极之间分别并联电阻R4和电容C1，所述可控硅Q2的阴极接可控硅控制电路的可控硅Q3的阳极，可控硅Q2的控制端串联电阻R2与可控硅Q1的控制端连，可控硅Q2的控制端与阴极之间分别并联电阻R5和电容C2，可控硅Q3的阴极接地，电阻R2通过电阻R3接地。
通过有选择的选择一个可控硅分压电路或是两个，假设原来普通单硅电路耐压是600V，该双硅电路可以达到1200V，三硅可以达到1800V；有效的满足目前对剩余电流动作断路器的耐压值需求。
所述脱扣电路包括脱扣线圈L以及整流电路，所述整流电路为二极管D1、二极管D2、二极管D3以及二极管D4构成的整流桥，起到整流的作用，同时实现脱扣。
输入端A与输入端B之间并联压敏电阻RV1，起到防冲击保护的作用。
所述剩余电流检测电路包括并联在可控硅控制电路的可控硅Q3的控制端和阴极之间的电容C3、与控制端串联的电阻R6以及依次并联在电阻R6的另一端的稳压管D5和电阻R7。
实施例不应视为对实用新型的限制，但任何基于本实用新型的精神所作的改进，都应在本实用新型的保护范围之内。