1.双电源控制电路，其特征在于，包括太阳能板C、可充电电池A、干电池B、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、T33降压型电源芯片U1、三极管T1、三极管T3、MOS场效应晶体管Q1、灯LED、电感L1、开关SW、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻RL、单片机G，所述三极管T1的发射极连接地信号GND，所述三极管T1的基极通过电阻R2连接地信号GND，所述三极管T1的集电极连接单片机G,所述三极管T1的基极通过电阻R1连接二极管D1的正极，所述二极管D1的正极通过太阳能板C连接地信号GND，所述二极管D1的负极通过可充电电池A连接地信号GND，所述二极管D1的负极通过二极管D2连接开关SW的一端，所述开关SW的另一端通过电感L1连接T33降压型电源芯片U1的1管脚，所述二极管D2的正极通过电阻R3连接三极管T3的基极，所述电阻R4的一端连接地信号GND，所述电阻R4的另一端连接三极管T3的基极，所述三极管T3的发射极连接地信号GND，所述三极管T3的集电极通过电阻R5连接T33降压型电源芯片U1的3管脚，所述T33降压型电源芯片U1的2管脚连接地信号GND，所述T33降压型电源芯片U1的3管脚通过电阻RL连接灯LED的正极，所述灯LED的负极连接单片机G，所述三极管T3的集电极连接MOS场效应晶体管Q1的G极，所述MOS场效应晶体管Q1的S极通过连接二极管D3的负极，所述二极管D3的正极通过干电池B连接地信号GND，所述MOS场效应晶体管Q1的D极连接开关SW的一端，所述T33降压型电源芯片U1的3管脚连接单片机G。
2.根据权利要求1所述双电源控制电路，其特征在于，还包括电容C2，所述T33降压型电源芯片U1的3管脚通过电容C2连接地信号GND。
3.根据权利要求1所述双电源控制电路，其特征在于，所述三极管T1、三极管T3都为NPN三极管。
4.根据权利要求1所述双电源控制电路，其特征在于，所述MOS场效应晶体管Q1为N沟道MOS场效应晶体管。
5.根据权利要求2所述双电源控制电路，其特征在于，所述电容C2为极性电容。