本实用新型涉及一种无控制信号的电源延时启动电路。
背景技术：
随着嵌入式系统的外设设备越来越丰富，而各种模块上下电时先后序均有要求时，而许多系统在上电瞬间系统都处于初始化状态，并不能提供一个电源控制信号。本使用新型电路提供一个简单在无控制信号下，实现电源延时启动电路。
技术实现要素：
本实用新型的目的是提供一种无控制信号的电源延时启动电路。
为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种无控制信号的电源延时启动电路，其特征在于：包括第一至第五电阻R1-R5、电容C、第一至第三开关管Q1-Q3及电感L；第一电阻R1一端与第一电感L一端一起接至电源输入；第一电阻R1另一端分别与第二电阻R2一端、第一开关管Q1基极连接；第一开关管Q1发射极分别与电容C一端、第二开关管Q2基极连接；第一开关管集电极与第三电阻一端连接；电容C另一端分别与第二开关管Q2集电极、第四电阻R4一端、第五电阻R5一端连接；第二开关管Q2发射极与电感L一端连接；电感L另一端与第三开关管Q3漏极连接；第三开关管Q3源极为电源输出；第三开关管Q3栅极与第五电阻R5另一端连接；所述第二电阻R2另一端、第三电阻R3另一端、第四电阻R4另一端均接地。
进一步的，所述第一开关管Q1、第二开关管Q2均为PNP晶体管；第三开关管Q3为N沟道MOS管。
进一步的，所述第三开关管Q3与一二极管D并联；二极管D阴极与与第三开关管Q3漏极连接，阳极与第三开关管Q3源极连接。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：电路简单、成本低、灵敏度高，无需控制信号便于实现。
附图说明
图1为本实用新型的主要电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步解释说明。
参见图1，本实用新型提供一种无控制信号的电源延时启动电路，其包括第一至第五电阻R1-R5、电容C、第一至第三开关管Q1-Q3及电感L；第一电阻R1一端与第一电感L一端一起接至电源输入；第一电阻R1另一端分别与第二电阻R2一端、第一开关管Q1基极连接；第一开关管Q1发射极分别与电容C一端、第二开关管Q2基极连接；第一开关管集电极与第三电阻一端连接；电容C另一端分别与第二开关管Q2集电极、第四电阻R4一端、第五电阻R5一端连接；第二开关管Q2发射极与电感L一端连接；电感L另一端与第三开关管Q3漏极连接；第三开关管Q3源极为电源输出；第三开关管Q3栅极与第五电阻R5另一端连接；所述第二电阻R2另一端、第三电阻R3另一端、第四电阻R4另一端均接地。
进一步的，所述第一开关管Q1、第二开关管Q2均为PNP晶体管；第三开关管Q3为N沟道MOS管。
进一步的，所述第三开关管Q3与一二极管D并联；二极管D阴极与第三开关管Q3漏极连接，阳极与第三开关管Q3源极连接。
本实用新型对一个电源输入时实现电源延时启动电路，延时启动的时间可控制在数微妙到几十秒之间。实现方法如图1所示，①在电路电源信号；未输入过程中A点与B点均为低电平，Vin列电压则Q3管不导通，②当开启瞬间A为高电平，则Q1关闭，则B点由于电容的存在，电压起初为低电平，则Q2晶体管导通，则C为高电平，Q3管在上电路瞬间为关闭状态。③由于A为高电平则Q1晶体管关闭，C的电容由于Ibe的电流作用电压在上升，上升期间C的电压一直为高，Q3管一直处于关闭状态。④当B点上升到Q2晶体管关闭时，Q2不导通，则C点电压为0此时Q3管导通，电源启动。⑤具体电源延时时间可通过调节C与R4来控制。启动延时时间的估算公式为T=3*C*100*R4。
采用本实用新型的电路作为上电时给其他模块提供一个延时电平信号，以保护后续设备的安全供电。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。