一种电池保护电路的制作方法

文档序号:13940017阅读:252来源:国知局

本实用新型涉电池保护技术领域,特别是涉及一种电池保护电路。



背景技术:

传统电烙铁,使用家用220V交流电源作为电源,但对于很多户外运用来讲,例如,电信部门户外接驳设备维修,或是很多户外检修设备维修,因以上场地,均缺乏220V电源,使得传统电烙铁使用存在很大局限,在一些无法搬离现场,进行的维修工作,遇到很大困难,通常便携电源,多使用打火机燃气作为热源,热效率及预热时间,均不理想;燃气便携烙铁,加热效率极其低下,燃烧产生的热能,仅30%作为焊接使用,通常的焊接烙铁用锂电池,以传统锂电作为电能来源,由传统锂电工作电流限制,瞬时电流较小,烙铁预热时间,及回温时间较久;焊点质量并不能与传统使用220V烙铁相比,焊接质量及可靠性,均不能很好保障;此发明阐述的高频烙铁电池,可在启动瞬间提供>10C(40A)电流,可在极短时间提供100W以上加热功率,可使便携烙铁预热和回温时间大大缩短,可有效解决,传统便携烙铁存在的焊接质量差,焊接不可靠等问题;(预热慢,加热过程中能量损失较多,焊接过程中烙铁接触焊点之后,会对烙铁产生一个热量转移,如果此时回温慢,则焊点焊料,会因为温度回升不及时,导致焊料形成多层结构,容易造成虚焊)。



技术实现要素:

本实用新型实施例的目的在于提供一种电池保护电路,可在短时间内提供大电流40A以上电流;使用极低导通内阻MOS开关,导通内阻仅为5mΩ;能长时间以40A电流工作;为保证低导通内阻MOSFET可靠工作,推动MOS开关可靠工作,实现电池保护功能。具体技术方案如下:

为达到上述目的,本实用新型实施例提供了一种电池保护电路,包括:第一电阻R1、第一电容C1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一MOS管U2A、第二MOS管U2B、稳压芯片U1;

电池的正极通过所述第一电阻R1与所述第一电容C1的一端相连,所述第一电容C1的另一端接地;所述第一电容C1的一端与所述稳压芯片U1的电压输入引脚相连,所述稳压芯片U1的引脚1分别与所述第三三极管Q3、所述第四三极管Q4的基极相连,所述稳压芯片U1的引脚3与所述第一三极管Q1、所述第二三极管Q2的基极相连,所述第一三极管Q1的发射极与所述第二三极管Q2的发射极相连,并与所述第一MOS管U2A的栅极相连,所述第一MOS管U2A的漏极与所述稳压芯片U1的引脚2相连,所述第一MOS管U2A的源极与所述第二MOS管U2B的源极相连,所述第二MOS管U2B的栅极与所述第三三极管Q3、所述第四三极管Q4的发射极相连,所述第四三极管Q4的集电极与所述第二MOS管U2B的漏极相连,并接地。

应用本实用新型实施例提供的一种电池保护电路,电流的方向为电池电流为电池正极→负载→U2A S极→U2AD极→U2B D极→U2B S极→电池负极;图腾柱结构响应速度为μS级,可在极短时间内对MOS栅极建立足够导通能量,可满足整个电池快速响应要求。使用高倍率锂离子电池作为能量储存及供给装置,配以低阻抗保护板,可在短时间内提供大电流10C(40A)以上电流;此发明率先使用极低导通内阻MOS开关,导通内阻仅为5mΩ;能长时间以40A电流工作;为保证低导通内阻MOSFET可靠工作,使用图腾柱结构推动MOS开关可靠工作,并实现各项保护功能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种电池保护电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

为解决现有技术问题,本实用新型实施例提供了一种电池保护电路,包括:第一电阻R1、第一电容C1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一MOS管U2A、第二MOS管U2B、稳压芯片U1;

电池的正极通过所述第一电阻R1与所述第一电容C1的一端相连,所述第一电容C1的另一端接地;所述第一电容C1的一端与所述稳压芯片U1的电压输入引脚相连,所述稳压芯片U1的引脚1分别与所述第三三极管Q3、所述第四三极管Q4的基极相连,所述稳压芯片U1的引脚3与所述第一三极管Q1、所述第二三极管Q2的基极相连,所述第一三极管Q1的发射极与所述第二三极管Q2的发射极相连,并与所述第一MOS管U2A的栅极相连,所述第一MOS管U2A的漏极与所述稳压芯片U1的引脚2相连,所述第一MOS管U2A的源极与所述第二MOS管U2B的源极相连,所述第二MOS管U2B的栅极与所述第三三极管Q3、所述第四三极管Q4的发射极相连,所述第四三极管Q4的集电极与所述第二MOS管U2B的漏极相连,并接地。

应用本实用新型,可以使用高倍率锂离子电池作为能量储存及供给装置,配以低阻抗保护板,可在短时间内提供大电流10C(40A)以上电流;此发明率先使用极低导通内阻MOS开关,导通内阻仅为5mΩ;能长时间以40A电流工作;为保证低导通内阻MOSFET可靠工作,使用图腾柱结构推动MOS开关可靠工作,并实现各项保护功能;

1、U2为锂电池专用复合型MOSFET;内部包含两个低导通阻抗MOS;

2、Q1 Q2组成第一组图腾柱结构,为放电侧MOS提供导通高电平;

3、Q3 Q4组成第二组图腾柱结构;为充电侧MOS提供导通高电平;

4、U2A S极与电池输出端负极相连;

5、U2A D极与U2B D相连;

6、U2B S极与电芯负极相连;

电池电流为电池正极→负载→U2A S极→U2A D极→U2B D极→U2B S极→电池负极;图腾柱结构响应速度为μS级,可在极短时间内对MOS栅极建立足够导通能量,可满足整个电池快速响应要求;

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并非用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均包含在本实用新型的保护范围内。

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