一种过流、短路保护电路及开关电源的制作方法

本实用新型涉及开关电源的技术领域，尤其是一种过流、短路保护电路及包括所述过流、短路保护电路的开关电源。

背景技术：

目前，过流、短路保护电路一般是通过在MOS管的源极串联一个电阻，把信号传送到控制芯片来实现保护，由于元器件的差异，总有一些电源不能很好的保护，这时就需要调节串联在MOS管源极的电阻，给生产带来了麻烦。

技术实现要素：

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的之一是提供一种过流、短路保护电路，另一目的是提供一种具有所述过流、短路保护电路的开关电源，解决现有过流、短路保护电路不适用的技术问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种过流、短路保护电路，包括控制芯片U1、及分别与控制芯片U1连接的MOS管Q1和光耦U2，还包括三极管Q2和三极管Q3，所述三极管Q3的基极与光耦U2的反馈信号端连接，所述三极管Q3的集电极与控制芯片U1连接，所述三极管Q3的发射极与三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极与控制芯片U1连接。

进一步，还包括电容C3，所述电容C3采用电解电容，所述电容C3的正极与三极管Q3的集电极连接，所述电容C3的负极与三极管Q3的发射极连接。

进一步，还包括电容C14，所述电容C14的一端与三极管Q2的集电极连接，所述电容C14的另一端与三极管Q2的发射极连接。

进一步，还包括电阻R13，所述电阻R13的一端与三极管Q3的集电极连接，所述电阻R13的另一端与控制芯片U1连接。

进一步，还包括电阻R17，所述电阻R17的一端与三极管Q3的基极连接，所述电阻R17的另一端与光耦U2的反馈信号端连接。

进一步，还包括电阻R16和电阻R18，所述电阻R16的一端接地，所述电阻R16的另一端与电阻R18的一端连接，所述电阻R16的另一端还与光耦U2的反馈信号端连接，所述电阻R18的另一端与控制芯片U1连接。

进一步，还包括二极管D3，所述二极管D3的阳极与光耦U2的反馈信号端连接，所述二极管D3的阴极与电阻R16的另一端连接。

进一步，还包括电阻R4、电阻R2和电阻R3，所述电阻R2和电阻R3串联，所述MOS管Q1的源极经电阻R2和电阻R3与控制芯片U1连接，所述MOS管Q1的源极经电阻R4接地。

进一步，还包括电容C12，所述电容C12的一端分别与电阻R3和控制芯片U1连接，所述电容C12的另一端接地。

一种开关电源，包括所述过流、短路保护电路。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过增加的两三极管辅助电路进行过流、短路保护，在一些元器件有差异的情况下，也不会存在保护不周的情况，且方便生产。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步描述：

图1是过流、短路保护电路的电路图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合附图对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

参照图1，一种过流、短路保护电路，包括控制芯片U1、及分别与控制芯片U1连接的MOS管Q1和光耦U2，所述控制芯片U1采用型号为UC3843的固定频率电流模式控制器，还包括三极管Q2和三极管Q3，所述三极管Q3的基极与光耦U2的反馈信号端连接，所述三极管Q3的集电极与控制芯片U1连接，所述三极管Q3的发射极与三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极与控制芯片U1连接。

所述过流、短路保护电路还包括电容C3，所述电容C3采用电解电容，所述电容C3的正极与三极管Q3的集电极连接，所述电容C3的负极与三极管Q3的发射极连接，所述电容C3用于延时。

所述过流、短路保护电路还包括电容C14，所述电容C14的一端与三极管Q2的集电极连接，所述电容C14的另一端与三极管Q2的发射极连接，所述电容C14用于滤波。

所述过流、短路保护电路还包括电阻R13，所述电阻R13的一端与三极管Q3的集电极连接，所述电阻R13的另一端与控制芯片U1连接，所述电容C14用于给三极管Q3的集电极分压。

所述过流、短路保护电路还包括电阻R17，所述电阻R17的一端与三极管Q3的基极连接，所述电阻R17的另一端与光耦U2的反馈信号端连接，所述电容C14用于给三极管Q3的基极分压。

所述过流、短路保护电路还包括电阻R16和电阻R18，所述电阻R16的一端接地，所述电阻R16的另一端与电阻R18的一端连接，所述电阻R16的另一端还与光耦U2的反馈信号端连接，所述电阻R18的另一端与控制芯片U1连接，所述电阻R16和电阻R18用于给控制芯片U1分压。

所述过流、短路保护电路还包括二极管D3，所述二极管D3的阳极与光耦U2的反馈信号端连接，所述二极管D3的阴极与电阻R16的另一端连接，所述二极管D3用于反馈信号。

所述过流、短路保护电路还包括电阻R4、电阻R2和电阻R3，所述电阻R2和电阻R3串联，所述MOS管Q1的源极经电阻R2和电阻R3与控制芯片U1连接，所述MOS管Q1的源极经电阻R4接地，所述电阻R2和电阻R3用于给MOS管Q1分压，所述电阻R4用于保护MOS管Q1。

所述过流、短路保护电路还包括电容C12，所述电容C12的一端分别与电阻R3和控制芯片U1连接，所述电容C12的另一端接地，所述电容C12用于滤波。

一种开关电源，包括所述过流、短路保护电路。

通过光耦U2反馈回来的信号，经电阻R16和电阻R18分压后输入至控制芯片U1中，同时，MOS管Q1的源极串联有电阻R4，MOS管Q1的漏极连接开关电源变压器，MOS管Q1的栅极连接电源，MOS管Q1把开关电源的信号传送到控制芯片U1，由于元器件的差异，总有一些电源不能很好的保护，通常情况下，是需要调节串联在MOS管Q1的源极的电阻R4来对开关电源进行保护。在本实用新型中，出现过流或者是短路时，经过光耦U2把信号反馈回来，信号经电阻R17传至三极管Q3的基极，三极管Q3导通，三极管Q2导通，三极管Q2导通后把控制芯片U1对应引脚的电压拉低，从而对开关电源进行彻底保护。

综上所述，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解；其依然能够对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中不乏技术特征进行等同替换，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型实施例技术方案的精神和范围。