1.一种SiC MOSFET变流器的布局方法，其特征在于，包括：
所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2)，所述SiC MOSFET模块(1)和SiC MOSFET驱动模块(2)位于同一平面；
所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接，用于通过控制SiC MOSFET驱动模块(2)驱动SiC MOSFET模块(1)。
2.如权利要求1所述的布局方法，其特征在于，所述布局方法，包括：
SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)经U型母排(11)连接至三相电感(8)；
所述SiC MOSFET模块(1)的直流端口垂直插着直流母排(3)，所述直流母排(3)两侧分别安装电容(4)。
3.如权利要求2所述的布局方法，其特征在于，所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接，包括：
控制器(5)与SiC MOSFET驱动模块(2)在直流母排(3)的同一侧，且位于三相电感(8)的上方。
4.如权利要求2所述的布局方法，其特征在于，所述布局方法，还包括：
在SiC MOSFET模块(1)的下方设置散热器(6)；
在所述散热器(6)上开设散热器孔/槽口(12)，并将U型母排(11)的一端穿过所述散热器孔/槽口(12)与三相电感(8)连接；
所述U型母排(11)的另一端与SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)连接。
5.如权利要求4所述的布局方法，其特征在于，所述布局方法，还包括：
在散热器(6)的一侧安装风扇(9)，所述风扇(9)产生的风从散热器(6)流向三相电感(8)。
6.如权利要求4所述的布局方法，其特征在于，所述散热器孔/槽口(12)的数量根据U型母排(11)的数量开凿。
7.如权利要求2所述的布局方法，其特征在于，所述直流母排(3)垂直于所述SiC MOSFET模块(1)和SiC MOSFET驱动模块(2)的平面。
8.一种按权利要求1-7布局的SiC MOSFET变流器，其特征在于，包括：SiC MOSFET模块(1)、SiC MOSFET驱动模块(2)和控制器(5)；
所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2)；
所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接。
9.如权利要求8所述的SiC MOSFET变流器，其特征在于，所述SiC MOSFET变流器，还包括：
直流母排(3)、交流端口(7)、U型母排(11)、电容(4)和三相电感(8)；
所述SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)经U型母排(11)连接至三相电感(8)；
所述SiC MOSFET模块(1)的直流端口垂直插着直流母排(3)，所述直流母排(3)两侧分别安装电容(4)。
10.如权利要求9所述的SiC MOSFET变流器，其特征在于，所述SiC MOSFET变流器，还包括：散热器(6)和风扇(9)；
所述散热器(6)设置在SiC MOSFET模块(1)的下方，所述风扇(9)安装在散热器(6)的一侧。