技术总结
本发明公布了一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器，布局方法包括：SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)经U型母排(11)连接至三相电感(8)；所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2)；所述SiC MOSFET模块(1)的直流端口垂直插着直流母排(3)，所述直流母排(3)两侧分别安装电容(4)；所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接，用于通过控制SiC MOSFET驱动模块(2)驱动SiC MOSFET模块(1)。本发明将SiC MOSFET驱动模块直插于SiC MOSFET模块栅源极上，保证SiC MOSFET驱动模块与SiC MOSFET模块栅源极之间的连接满足SiC MOSFET模块的开关速度。
技术研发人员：宋振浩;吴鸣;郑楠;吕志鹏;孙丽敬;季宇;李蕊;寇凌峰;赵婷
受保护的技术使用者：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司
技术研发日：2019.05.20
技术公布日：2019.09.20