1.一种改进型交流漏电保护电路，包括电流保护电路、整流电路、电压保护电路、可控硅电路、降压电路、滤波电路和漏电流检测电路，所述电流保护电路包括分别串联在三相电源中的电阻rm1、rm2、rm3，所述电阻rm1、rm2之间并联压敏电阻rv101，所述电阻rm1、rm3之间并联压敏电阻rv103，所述电阻rm2、rm3之间并联压敏电阻rv102，其特征在于，还包括三相漏电电流一致电路，所述三相漏电电流一致电路包括零序互感器、二极管d111和二极管d112，所述二极管d111、二极管d112和零序互感器负绕组串联；所述漏电流检测电路包括与零序互感器主绕组并联的电阻r114和漏电保护芯片，所述电阻r114上并联有钳位二极管d110，所述电阻r114两端与漏电保护芯片的2号输入信号管脚和3号管脚相连，所述电阻r114两端与2号输入信号管脚和3号管脚之间分别串联有电阻r113和电阻r115。
2.根据权利要求1所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述可控硅电路包括可控硅芯片cr101、cr102、电容c105、二极管d109，电阻r110和r112，所述可控硅芯片cr101上阳极端与电压保护电路输出端相连，所述可控硅芯片cr101下阴极端与可控硅芯片cr102上阳极端相连，所述可控硅芯片cr101控制端还与滤波电路输入端相连，所述电阻r110和二极管d109串联在cr101控制端与滤波电路输入端之间，所述电容c105和电阻r112并联在可控硅芯片cr102的控制极端和下阴极端，所述可控硅芯片cr101控制极端串联在电压保护电路输出端，所述可控硅芯片cr102控制端漏电保护芯片的7号管脚相连。
3.根据权利要求2所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述漏电流检测电还包括电容c104、c111、c110、c106和c109，所述电容c110两端与漏电保护芯片的2号输入信号管脚和3号管脚相连，所述电容c111两端分别与漏电保护芯片的2号输入信号管脚和1号管脚相连，所述电容c109连接在漏电保护芯片的1号管脚和3号管脚之间，所述电容c106和c104连接在漏电保护芯片的5号管脚和6号管脚之间。
4.根据权利要求2所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述滤波电路包括电容c103和电解电容c101，所述电解电容c101正极端与降压电路的输出端相连，所述电解电容c101负极端通过电解电容c101与可控硅芯片cr101控制端相连。
5.根据权利要求2所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述整流电路包括二极管d101、d102、d103、d104、d106、d107、d108，所述二极管d102、d103、d104输出端相连后与电压保护电路输入端相连，所述二极管d106、d107、d108输入端相连后与可控硅输出端相连，所述二极管d102输入端、二极管d106输出端相连后和串联有rm1的电源相相连，所述二极管d103输入端、二极管d107输出端相连后和串联有rm2的电源相相连，所述二极管d104输入端、二极管d108输出端相连后和串联有rm3的电源相相连；所述电压保护电路包括脱扣器l1，所述脱扣器l1输入端与d102、d103、d104输出端相连，所述脱扣器l1输出端与可控硅电路输入端相连，所述二极管d101输入端与脱扣器l1输出端相连后与可控硅电路输入端相连，所述二极管d101输出端与脱扣器l1输入端相连后与d102、d103、d104输出端相连，所述二极管d101输出端与脱扣器l1输入端相连后与降压电路输入端相连。
6.根据权利要求2所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述降压电路包括电阻r101、r105、r102、r106、r103、r107、r104、r108，所述电阻r101、r105并联后与电压保护电路输出端相连，所述r101和r105并联后、r102和r106并联后、r103和r107并联后、r104和r108并联后依次串联，所述电阻r104和r108并联后与滤波电路的输入端相连。