[0074]在图2的开关电路被用作图1的第2开关电路22的情况下，上升检测端子Vpl、电源输入端子Vp2以及控制信号输入端子Ct分别构成第2开关电路22的上升检测端子22pl、电源输入端子22p2以及控制信号输入端子22c，并将它们连接为分别接收图1的整流电压V44、蓄电电压V38以及控制信号D40，输入端子Si和输出端子So分别构成第2开关电路22的输入端子22i和输出端子220，并分别与图1的二极管28的阴极、以及开关电源控制电路24的驱动电压输入端子24b连接。
[0075]图2所示的开关电路的主要的开关元件(在输入端子S1、输出端子So之间进行开闭的开关元件)由PNP型晶体管Trl构成。晶体管Trl的发射极与输入端子Si连接，集电极与输出端子So连接。
[0076]电阻器Rl的一端与电源输入端子Vp2 (被连接为接收蓄电器件38的输出电压V38)连接，电阻器器Rl的另一端与光MOS继电器Pmr的发光二极管Ld的阳极连接。
[0077]发光二极管Ld的阴极与NPN晶体管Tr2的集电极连接，晶体管Tr2的发射极与电源电路二次侧接地⑶2连接。
[0078]电阻器R2的一端与控制信号输入端子Ct (从待机控制电路40被输入控制信号D40)连接，电阻器R2的另一端与晶体管Tr2的基极连接。
[0079]晶体管Trl的基极与电阻器R3的一端连接，电阻器R3的另一端与光MOS继电器Pmr的MOS开关元件Pt的第I端子Pta连接,MOS开关元件Pt的第2端子Ptb与电源电路一次侧接地⑶I连接。
[0080]作为光MOS继电器Pmr，使用具有在电流未流入发光二极管Ld时MOS开关元件Pt为断开状态的特性的元件。
[0081]电阻器R4的一端与输入端子Si连接，另一端与晶体管Trl的基极连接。
[0082]电阻器R5的一端与晶体管Trl的基极连接，因此，与电阻器R4的另一端连接，电阻器R5的另一端与NPN晶体管Tr3的集电极连接。
[0083]晶体管Tr3的发射极与电源电路一次侧接地⑶I连接。
[0084]电容器Cl的一端与上升检测端子Vpl (被连接为接收图1的整流电压V44)连接，电容器Cl的另一端与电阻器R6的一端连接，电阻器R6的另一端与晶体管Tr3的基极连接。
[0085]电阻器R7的一端与晶体管Tr3的基极连接，因此，与电阻器R6的另一端连接，电阻器R7的另一端与电源电路一次侧接地⑶I连接。
[0086]交流电源上升检测电路52由电容器Cl、电阻器R6和R7、以及晶体管Tr3构成。交流电源上升检测电路52检测交流电源4的上升(立6上〃 >9 )，使晶体管Trl的基极电位降低，使晶体管Trl成为导通状态。
[0087]上升检测电路52的电阻器R6、R7与起动电压用电阻器16协作对电压V44进行分压，并将电压提供给晶体管Tr3的基极。但是，由于在二极管电桥13的正极端子13a与晶体管Tr3的基极之间串联插入有电容器Cl，因此，只要电压V44不发生变化，晶体管Tr3的基极与发射极是等电位，晶体管Tr3的集电极-发射极间也为截止状态。
[0088]关于光MOS继电器Pmr,由于在控制信号D40是低电平时或者未输入控制信号D40时MOS开关元件Pt是断开状态，因此晶体管Trl的基极与发射极是等电位，晶体管Trl的发射极-集电极间为截止状态。
[0089]当根据来自电源开闭信号输入单元8的指示“从待机状态转移到通常动作状态”的命令D8n，从待机控制电路40输出的控制信号D40变为第I状态(高电平)时，构成开关电路21、22的控制输入端子2lc、22c的控制输入端子Ct变为高电平，晶体管Tr2变为导通状态。
[0090]当晶体管Tr2变为导通状态时，电流从蓄电器件38流向光MOS继电器Pmr的发光二极管Ld。
[0091]当电流流过发光二极管Ld时，光MOS继电器Pmr的MOS开关元件Pt变为接通状态。于是，晶体管Trl的基极电位变得比发射极电位还低，晶体管Trl变为导通状态。
[0092]通过该动作，由图2的开关电路构成的第I开关电路21和第2开关电路22变为接通状态，向开关电源控制电路24施加起动电压和驱动电压，开关电源开始动作，电气设备2变为通常动作状态。
[0093]当根据来自电源开闭信号输入单元8的指示“从通常动作状态转移到待机状态”的命令D8w，从待机控制电路40输出的控制信号D40变为第2状态(低电平z)时，构成开关电路21、22的控制输入端子21c、22c的控制输入端子Ct变为高电平，晶体管Tr2变为截止状态。
[0094]当晶体管Tr2变为截止状态时，电流将不流向光MOS继电器Pmr的发光二极管Ld，光MOS继电器Pmr的MOS开关元件Pt变为截止状态。
[0095]于是，晶体管Trl的基极电位与发射极电位变为等电位，晶体管Trl的发射极-集电极间变为截止状态。
[0096]通过该动作，第I开关电路21和第2开关电路22变为断开状态，不再向开关电源控制电路24施加起动电压和驱动电压，开关电源停止动作，电气设备2变为待机状态。
[0097]在该待机状态时，由于没有电流从蓄电器件38流入开关电路21、22，开关电路21、22被控制为断开状态，因此能够使蓄电器件38的电力保持时间变得更长，功耗变得更少。
[0098]通过设置交流电源上升检测电路52，能够使第I开关电路21、第2开关电路22的功耗变得更少。
[0099]例如，在电气设备2是还没有与交流电源4连接的新产品，或由于长时间的停电而使蓄电器件38已放电时，蓄电器件38处于未充电状态或充电不足状态。如果没有设置交流电源上升检测电路52，则即使电气设备2与交流电源4连接，蓄电器件38也不提供电力，待机控制电路40也不能输出控制信号D40 (使其为高电平)。其结果为电气设备2不能“从待机状态转移到通常动作状态”。
[0100]在设置有交流电源上升检测电路52的情况下，当电气设备2与交流电源4连接时，在通过使整流电压V44上升而使电容器Cl充电的期间，电流流过电阻器R6、R7，晶体管Tr3变为导通状态。于是，晶体管Trl的基极电位变得比发射极电位还低，晶体管Trl与光MOS继电器Pmr的状态无关地变为导通状态。
[0101]这样，由图2的开关电路构成的第I开关电路21和第2开关电路22都变为接通状态，开关电源控制电路24被施加起动电压和驱动电压。其结果为，开关电源开始动作，充电装置38被充电，待机控制电路40被提供电源电压，然后，待机控制电路40变为能够输出控制信号D40(使其为高电平)，其结果为能够稳定地对第I开关电路21和第2开关电路22进行控制。
[0102]上述交流电源上升检测电路52与被提供整流电压V44的节点(起动电压用电阻器16的第2端子16b)连接，但是交流电源上升检测电路52的连接位置只要是根据来自交流电源4的电压输入而使电位发生变化的节点即可，即使是被提供整流电压V44的节点以外的节点亦无妨。
[0103]并且，图2的晶体管Trl、Tr2、Tr3等可以不是双极晶体管，而是其他的开关元件，例如也可以是FET，能够通过选择开关元件而进一步削减控制电流，其结果为，能够得到削减电气设备2的通常动作状态下的功耗的效果。例如，只要使用P通道MOSFET来替代晶体管Trl，使用N通道MOSFET来替代晶体管Tr2、Tr3，就能够削减在双极晶体管的情况下流动的电流。
[0104]并且，在上述的实施方式中，使用光MOS继电器构成能够进行电分离、传送信号的兀件，但是，也可以取而代之，使用包含光电晶体管的光电稱合器。
[0105]另外，也可以使第I开关电路21和第2开关电路22中的一方或双方构成为通常接通状态(在未提供控制信号、或控制信号D40为低电平时为接通状态)。在该情况下，能够省略交流电源上升检测电路52。
[0106]另一方面，在电气设备2为待机状态时，需要使开关电路保持断开状态的控制电流，因此，与使第I开关电路21和第2开关电路22构成为通常断开的状态时相比较，电气设备2的待机状态下的蓄电器件38的电力的保持时间较短，但是即使是这样的结构，也能够得到通过停止待机状态的电气设备2的开关电源而能够抑制功耗的效果。
[0107]实施方式2
[0108]图3示出本发明的实施方式2的电源供给装置10。
[0109]图3的电源供给装置10与图1的电源供给装置10大致相同，但是设置了待机控制电路60来代替图1的待机控制电路40。
[0110]待机控制电路60在如下方面与待机控制电路40不同:待机控制电路60输出针对第I和第2开关电路21,22独立的第I和第2控制信号D60a、D60b。
[0111]图3的待机控制电路60具有动作决定电路61和定时决定电路6