用于逆变器的保护电路以及逆变器系统的制作方法_4

文档序号:9930649阅读:来源:国知局
[0061]关于根据本发明的保护电路和/或逆变器系统的进一步有益的实施例,为了避免与描述中的一般部分以及所附的权利要求重复而做出引述。
[0062]最终,应当明确指出,以上所描述的根据本发明的保护电路的示例性实施例仅用作解释权利要求的教导,然而其并不限于这些示例性的实施例。
[0063]附图标记列表
[0064]I保护电路
[0065]2 控制电路
[0066]3 安全元件
[0067]4开关布置
[0068]5 电荷栗
[0069]6励磁线圈
[0070]7开关触点[0071 ] 8 控制输入
[0072]Kl 中继
[0073]WD 控制脉冲I
[0074]I
[0075]WD 控制脉冲2
[0076]2
[0077]Cl 电容(高通)
[0078]C2 存储电容
[0079]C3 电容(低通)
[0080]C4 电容(高通)
[0081 ] C5 存储电容
[0082]C6 电容(低通)
[0083]Rl 电阻
[0084]R2 电阻(限流)
[0085]R3放电电阻
[0086]R4熔丝电阻器
[0087]R5电阻
[0088]R6电阻(限流)
[0089]R7放电电阻
[0090]VlM0SFET(n-沟道、增强型)[0091 ]V2二极管 V2o 和 V2U
[0092]V3MOSFET (η-沟道、增强型)
[0093]V4二极管 V4。和 V4U
[0094]ASl控制连接器I
[0095]AS2控制连接器2
[0096]SKl开关触点连接器I
[0097]SK2开关触点连接器2
[0098]LKl负载电路连接器I
[0099]LK2负载电路连接器2
【主权项】
1.一种针对逆变器、特别是针对用于电动机的逆变器的保护电路,其中所述逆变器包括控制系统以及受所述控制系统控制的功率元件,并且其中所述控制系统被实施用于周期性发布控制脉冲(WDl、WD2), 其特征在于,包括安全元件(3)、开关布置(4)以及控制电路(2),其中所述安全元件(3)被安排在去往所述功率元件的馈线中,其中所述开关布置(4)被连接到所述安全元件(3),从而当所述开关布置(4)处于导电状态中时,所述开关布置(4)桥接所述安全元件(3), 其中所述控制电路(2)包括控制输入(8,8 ’),所述控制脉冲(WDl、WD2)在所述控制输入(8,8’)处被施加,以及 其中,所述控制电路(2)被实施成使得所述控制电路(2)在一旦接收到控制脉冲(WDl、WD2)或者数个相继控制脉冲(WD1、WD2),就向所述开关布置(4)发射开关信号长达预定的时间段,使得所述开关布置⑷在周期性地接收到所述控制脉冲(WD1、WD2)时被切换导通,以及在没有所述控制脉冲(WD1、WD2)时,所述开关布置(4)在预定时间段后断开,并且对所述逆变器的保护由所述安全元件(3)触发。2.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述安全元件(3)由电阻形成。3.如权利要求2所述的保护电路,其特征在于,所述电阻被实施为PTC(正温度系数),其中具有增大的温度的所述PTC呈现更大的阻抗水平。4.如权利要求2所述的保护电路,其特征在于,所述电阻被实施为熔丝电阻器(R4),所述熔丝电阻器在初始状态中包括第一电阻值,其中所述熔丝电阻器(R4)在一旦超过限制负载时就呈现第二电阻值,所述第二电阻值显著高于所述第一电阻值。5.如权利要求1到4之一所述的保护电路,其特征在于,周期性发射的控制脉冲(WDl、WD2)序列形成了方波信号,其优选为单极方波信号。6.如权利要求1到5之一所述的保护电路,其特征在于,所述控制电路(2)包括电荷栗(5、5 ’),其中优选地,经由高通滤波器,所述控制脉冲(WD1、WD2)被施加在所述电荷栗(5、5’)的输入处。7.如权利要求6所述的保护电路,其特征在于,所述电荷栗(5,5’)包括两个二极管(V2U、V20、V4U、V4。)以及存储电容(C2、C5),其中所述两个二极管(V2U、V2。、V4U、V40)被串联连接,并且所述两个二极管(V2u、V2o、V4u、V4。)的导电方向都指向远离接地的方向,其中所述电荷栗的输入由所述两个二极管(V2u、V2c>、V4u、V4。)之间的连接点形成,并且其中所述存储电容(C2、C5)被并联连接到所述两个二极管(V2U、V20、V4U、V4。)。8.如权利要求7所述的保护电路,其特征在于,放电电阻(R3、R7)被并联连接到存储电容(C2、C5),其中,所述存储电容(C2、C5)被所述放电电阻(R3、R7)以定义的方式放电。9.如权利要求7或8所述的保护电路,其特征在于,所述存储电容(C2、C5)处的电压优选地在经由滤波器电路滤波之后形成所述开关信号。10.如权利要求1到9之一所述的保护电路,其特征在于,所述开关布置(4)由晶体管形成,优选地由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)形成,其中所述开关信号被输入到所述晶体管的控制输入。11.如权利要求1到9之一所述的保护电路,其特征在于,所述开关布置由具有至少一个开关触点(7)以及励磁线圈(6)的中继(Kl)形成,其中所述至少一个开关触点(7)之一被安排成与所述安全元件(3)并联。12.如权利要求11所述的保护电路,其特征在于,所述开关信号被输入到晶体管的控制输入,优选地输入到M0SFET(V1、V3)的输入,并且所述晶体管控制所述励磁线圈(6)的电流。13.如权利要求1到12之一所述的保护电路,其特征在于,所述控制电路(2)和/或所述开关布置(4)被冗余地实施,其中所述控制电路(2)包括至少两个优选相同实施的路径。14.如权利要求10和13或者如权利要求12和13所述的保护电路,其特征在于,为所述控制电路(2)的每个冗余路径提供晶体管,其中所述晶体管被串联连接。15.—种具有控制系统、功率元件、以及如权利要求1到14之一所述的保护电路(I)的逆变器系统,其中所述控制系统被实施成用于向所述功率元件发布控制信号以生成并输出交变电压,其中所述控制系统被附加地实施成周期性地发布输入到所述保护电路(I)的控制脉冲(胃01、胃02)。16.如权利要求15所述的逆变器系统,其特征在于,包括用于检测所述逆变器系统和/或连接到所述逆变器系统的负载的操作状态的装置,其中所述用于检测所述操作状态的装置被实施成在临界操作状态的情形中抑制控制脉冲(WDl、WD2)的生成。
【专利摘要】公开了针对逆变器、特别是针对用于电动机的逆变器的保护电路,其中,该逆变器包括控制系统以及受该控制系统控制的功率元件,并且其中该控制系统被实施为用于进行控制脉冲(WD1、WD2)的周期性发射。该保护电路包括安全元件(3)、开关布置(4)、以及控制电路(2),其中安全元件(3)被安排在去往该功率元件的馈线中,并且其中开关器件(4)被连接到安全元件(3),从而当开关布置(4)处于导电状态中时,开关布置(4)桥接安全元件(3)。控制电路(2)包括控制输入(8,8ˊ),控制脉冲(WD1、WD2)被施加在控制输入处。控制电路(2)于此被实施成使得控制电路(2)在一旦接收到一个控制脉冲(WD1、WD2)或者数个相继控制脉冲(WD1、WD2)之际,就向开关布置(4)发射开关信号长达预定的时间段,其中开关布置(4)在控制脉冲(WD1、WD2)被周期性接收到的情形中被切换导通,以及在没有控制脉冲(WD1、WD2)的情况下,在预定时间段后断开开关布置(4),以及由安全元件(3)触发对该逆变器的保护。进一步,公开了逆变器系统,其示出了控制系统、功率元件、和恰适的保护电路。
【IPC分类】H02H7/122
【公开号】CN105720561
【申请号】CN201510960253
【发明人】M·施奈尔, S·温纳, D·诺沃萨德
【申请人】施乐百有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月18日
【公告号】DE102014226690A1, EP3035474A1, US20160181789
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