一种逆变电路的制作方法

文档序号:10957690阅读:390来源:国知局
一种逆变电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种逆变电路。本实用新型提出了一种改进的电压瞬时值控制方法,采用单极性调制,通过检测逆变输出电压峰值,与给定值比较,得到偏差值ΔE。控制程序根据ΔE实时调整调制比M,输出对应的SPWM驱动MOS管,经过LC滤波后,输出符合要求的正弦波。外围电路简洁,成本低廉。
【专利说明】
一种逆变电路
技术领域
[0001] 本实用新型涉及逆变器领域,尤其涉及一种逆变电路。
【背景技术】
[0002] 正弦波逆变器输出电压波形畸变率低,对负载有良好的适应性。逆变器输出波形 有两个方面要求:稳态精度高和动态响应快。开环控制不能调节输出电压,无法满足这两个 方面的要求。在逆变器的闭环控制方案中,输出电压有效值控制能够维持输出电压恒定,但 不能保证波形质量。输出瞬时值控制可以实时调控输出电压波形,使供电质量大为提高。目 前控制效果较好的瞬时值控制方案有:电压单环PI控制;电压外环和电流内环双闭环控制; 重复控制;无差拍控制。一些工业领域用到的逆变器,如大型UPS、储能逆变器等,对输出电 能质量要求高,在控制算法上主要采用电压外环电流内环结构,通过PI调节,输出稳定的正 弦波,该方案优点:负载特性好,响应速度快,波形畸变率低。缺点:电路中需要加入电流传 感器和信号调理电路,电路比较复杂,增加了成本。因此,在一些要求不高的民用领域,该方 案使用不多。 【实用新型内容】
[0003] 基于此,有必要提供一种逆变电路。
[0004] -种纯正弦波逆变器控制方法,所述方法包括:
[0005] MCU根据正弦表生成SP丽;
[0006] SP丽通过专用驱动芯片,并驱动逆变桥M0SFET;
[0007] 主电路SP丽开关斩波以及经过LC滤波后,输出正弦波电压;
[0008] 在其中一个实施例中,所述SPWM通过专用驱动芯片,并驱动逆变桥M0SFET,以及经 过LC滤波后,输出正弦波电压的步骤包括:
[0009] 反馈逆变电压峰值Vf(k)以及逆变电压给定值Vr(k);
[0010] 计算偏差e(k)=Vr(k)-Vf(k);
[0011] 将所述偏差值乘以一个比例系数,并将结果和调制比Μ相加;
[0012] 判断所述调制比Μ是否大于最大值或小于最小值,若大于最大值,则取最大值作为 Μ值,若小于最小值,则取最小值作为Μ值;
[0013] 将 Μ 应用于公式 D=M*sin(k/n);
[0014] 逆变输出电压根据占空比D而改变,稳定在给定值附近。
[0015] 在其中一个实施例中,,所述根据所述正弦波电压驱动M0S管,以输出稳定电压的 步骤包括:
[0016] 根据占空比D改变逆变输出电压,以将电压稳定在给定值附近,以输出稳定电压。
[0017] 在其中一个实施例中,所述方法包括:该逆变器控制方法所使用的逆变控制环路 仅采用了电压瞬时值控制。
[0018] -种纯正弦波逆变器控制装置,所述装置包括:
[0019] 生成模块,Μ⑶根据正弦表生成SP丽;
[0020] 驱动模块,用于根据SPWM驱动M0S管;
[0021 ]输出模块,逆变桥M0S管,以及与所述M0S管连接的LC滤波电路;
[0022]在其中一个实施例中,所述输出模块包括:
[0023]反馈单元,用于反馈逆变电压峰值Vf(k)以及逆变电压给定值VKk);
[0024] 计算单元,用于计算偏差e(k)=Vr(k)-Vf(k);
[0025] 相加单元,用于将所述偏差值乘以一个比例系数,并将结果和调制比Μ相加;
[0026] 判断单元,用于判断所述调制比Μ是否大于最大值或小于最小值,若大于最大值, 则取最大值作为Μ值,若小于最小值,则取最小值作为Μ值;
[0027] 应用单元,用于将Μ应用于公式D=M*sin(k/n);
[0028] 调整单元,用于逆变输出电压根据占空比D而改变,稳定在给定值附近。
[0029] 在其中一个实施例中,所述生成模块具体用于根据占空比D改变逆变输出电压,以 将电压稳定在给定值附近,以输出稳定电压。
[0030] 在其中一个实施例中,所述装置使用的逆变控制环路仅采用了电压瞬时值控制。
[0031] 一种逆变电路,所述逆变电路包括:
[0032] 主控 MCU;
[0033] 与所述Μ⑶连接的驱动芯片;
[0034] 逆变桥功率管 M0SFET(或 IGBT)Q1、Q2、Q3 和 Q4;
[0035] 与所述逆变桥功率管连接的LC滤波电路。
[0036] 在其中一个实施例中,所述逆变电路还包括:
[0037] 稳定电容C1,通过直流母线与所述驱动芯片连接,以稳定输入电压。
[0038] 有益效果:
[0039] 本实用新型提出了一种改进的电压瞬时值控制方法,采用单极性调制,通过检测 逆变输出电压峰值,与给定值比较,得到偏差值A E。控制程序根据△ E实时调整调制比M,输 出对应的SPWM驱动M0S管,经过LC滤波后,输出符合要求的正弦波。外围电路简洁,成本低 廉。
【附图说明】
[0040] 图1为一种纯正弦波逆变器控制方法的方法流程图。
[0041 ]图2为一种纯正弦波逆变器控制装置的模块框图。
[0042]图3为一种逆变电路的电路图。
[0043]图4为一优选实施例中的纯正弦波逆变器控制流程图。
【具体实施方式】
[0044] 为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施 例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施仅仅用以解释本 实用新型,并不用于限定本实用新型。
[0045] 如图1所示,一种纯正弦波逆变器控制方法,所述方法包括:
[0046] S101:MCU根据正弦表生成SPIM;
[0047] S102:SP丽经过专用驱动芯片,驱动逆变桥M0SFET(或IGBT);
[0048] S103:主功率电路SP丽斩波经过LC滤波后,输出正弦波电压;
[0049] 如图4所示,在其中一个实施例中,所述SPWM通过专用驱动芯片,并驱动逆变桥 M0SFET,以及经过LC滤波后,输出正弦波电压的步骤包括:
[0050] 反馈逆变电压峰值Vf (k)以及逆变电压给定值VKk);
[0051] 计算偏差e(k)=Vr(k)-Vf(k);
[0052] 将所述偏差值乘以一个比例系数,并将结果和调制比Μ相加;
[0053] 判断所述调制比Μ是否大于最大值或者小于最小值,若大于最大值,则取最大值作 为Μ值,若小于最小值,则取最小值作为Μ值;
[0054] 将 Μ 应用于公式 D=M*sin(k/n);
[0055] 逆变输出电压根据占空比D而改变,稳定在给定值附近。
[0056] 在其中一个实施例中,所述方法包括:该逆变器控制方法所使用的逆变控制环路 仅采用了电压瞬时值控制。
[0057]在一优选的实施例中,一种纯正弦波逆变器软件控制方法,基于以下原理实现,正 弦波是单极性SPWM经过储能元件后产生的,SPWM的生成原理及波形如图2所示,由正弦波调 制波(焉::減敦承較)与三角波载波(幅值为g,频率为鱗.)比较获得的。采用规则采样 法,进行离散化后,得到输出正弦电压的公式:
[0059] 其中,是输出正弦波的瞬时电压,Μ是调制比,:?.是母线电 '·ν··' ·:?:· ':· 压,k是采样点,η是采样点总数;由公式(1)可知,若_、n-定,则可通过调整Μ来控制正弦 波瞬时电压
[0060] 一种纯正弦波逆变器软件控制方法,SPWM成数字化,通过以下方法实现:在三角波 波谷时刻%对正弦波采样得到D点,过D点作水平直线与三角波分别相交于A点和B点,在A 点的时刻%和8点时刻匕间输出高电平,其他时刻输出低电平。根据三角关系,可以得出:
[0062] 其中:_是脉冲宽度,?是三角波周期。
[0063] 在逆变器控制设计中,调制波和载波频率一定,_:时刻为第k个三角波周期( 期内有η个矩形波,那么第k个矩形波的占空比D为:@ = X
[0064] 本实用新型提出了一种改进的电压瞬时值控制方法,采用单极性调制,通过检测 逆变输出电压峰值,与给定值比较,得到偏差值A E。控制程序根据△ E实时调整调制比M,输 出对应的SPWM驱动MOS管,经过LC滤波后,输出符合要求的正弦波。外围电路简洁,成本低 廉。
[0065] 如图2所示,一种纯正弦波逆变器控制装置,所述装置包括:
[0066] 生成模块201,用于使Μ⑶根据正弦表生成SP丽;
[0067] 驱动模块202,用于使SP丽通过专用驱动芯片,并驱动逆变桥M0SFET;
[0068] 输出模块203,主功率电路SP丽斩波经过LC滤波后,输出正弦波电压;
[0069] 在其中一个实施例中,所述输出模块包括:
[0070] 反馈单元,用于反馈逆变电压峰值Vf(k)以及逆变电压给定值VKk);
[0071 ] 计算单元,用于计算偏差e(k)=Vr(k)-Vf(k);
[0072] 相加单元,用于将所述偏差值乘以一个比例系数,并将结果和调制比Μ相加;
[0073] 判断单元,用于判断所述调制比Μ是否大于最大值或者小于最小值,若大于最大 值,则取最大值作为Μ值,若小于最小值,则取最小值作为Μ值;
[0074] 应用单元,用于将Μ应用于公式D=M*sin(k/n);
[0075] 调整单元,用于逆变输出电压根据占空比D而改变,稳定在给定值附近。
[0076] 在其中一个实施例中,所述驱动模块具体用于根据占空比D改变逆变输出电压,以 将电压稳定在给定值附近,以输出稳定电压。
[0077]在其中一个实施例中,所述装置使用的逆变控制环路仅采用了电压瞬时值控制。
[0078] 如图3所示,一种逆变电路,所述逆变电路包括:
[0079] MCU 1;
[0080] 与所述驱动Μ⑶1连接的驱动芯片2,该驱动芯片连接逆变桥M0SFET管Q1、Q2、Q3 和Q4;
[0081 ] 与所述M0SFET连接的LC滤波电路3。
[0082]在其中一个实施例中,所述逆变电路还包括:
[0083] 稳定电容C1,通过直流母线与所述驱动芯片连接,以稳定输入电压。
[0084] 以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实 施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存 在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0085] 以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细, 但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技 术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于 本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种逆变电路,其特征在于,所述逆变电路包括: 主控MCU; 与所述MCU连接的驱动芯片; 逆变桥功率管MOSFET(或IGBT)Q1、Q2、Q3和Q4; 与所述逆变桥功率管连接的LC滤波电路。2. 根据权利要求1所述的逆变电路,其特征在于,所述逆变电路还包括: 稳定电容C1,通过直流母线与所述驱动芯片连接,以稳定输入电压。3. 根据权利要求1所述的逆变电路,其特征在于,所述逆变电路还包括逆变输出电压采 样电阻,串接在逆变输出L线与GND之间。
【文档编号】H02M7/5395GK205647290SQ201620205418
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月17日
【发明人】汤能文, 朱昌亚, 洪光岱
【申请人】天宝电子(惠州)有限公司
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