功率半导体模块装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种功率半导体模块装置。其具有带有可控功率半导体构件(61，62)的半导体模块(3)、布置在半导体模块(3)外部的第一电路板(1)和布置在半导体模块(3)外部的、具有第二电路板(2)的控制单元(25)。控制单元(25)用于控制可控功率半导体构件。可控功率半导体构件具有第一负载端子(C)和第二负载端子(E)以及用于控制负载路线的控制端子(G)，功率半导体构件的负载路线(C-E)设计在第一和第二负载端子之间。第一电路板(1)具有导电轨(14，15，16)，其与负载路线(C-E)串联。第一和第二电路板相互间隔开。此外，第一电路板(1)和第二电路板(2)通过引脚(5)导电地相互连接。
【专利说明】
功率半导体模块装置
技术领域
[0001]本发明涉及一种功率半导体模块装置，其具有功率半导体模块以及一个或多个其它的组件。功率半导体模块包括一个或多个功率半导体。这样的功率半导体的最大允许的耗尽层温度通常超过125°c或150°C。新的进展方案能够预期达到175°C甚至200°C。因此有利的是，通过功率半导体保护功率电子电路的仅设计用于小的温度负荷(例如允许的最大温度为125°C或85°C)或者在高温下寿命严重缩短的电路部分不剧烈地加热。这样的热敏感的电路部分的实例是用于稳定功率电子系统的直流电压供应和/或用作为电荷存储器(例如中间电路电容器)的电容器或者驱控功率半导体的驱控电路。
【背景技术】
[0002]驱控电路通常也应当测量流过功率半导体的电流的脉冲坡度和/或经过功率半导体下降的电压的脉冲坡度，并且在需要时进行限制和/或调节。对此，驱控电路需要到功率半导体的电连接。在此必须保障的是，经由电连接测量的信号具有合适的信号水平，从而使其能够在没有大的花费的情况下由驱控电路评估。另一个要求在于，功率半导体的负载电流流过的导体是低感应的。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于一种功率半导体装置，其中，一个或多个功率半导体与一个或多个热敏感的部件热退耦，其中，以简单的方式由一个或多个功率半导体为驱控电路输送合适的信号水平，并且其中，低感应地建立负载电流电路。
[0004]该目的通过根据权利要求1所述的功率半导体装置实现。本发明的设计方案和改进方案是从属权利要求的内容。
[0005]本发明的一个方面涉及功率半导体装置。其具有带有可控功率半导体构件的半导体模块。功率半导体构件具有第一负载端子和第二负载端子以及用于控制负载路线的控制端子，功率半导体构件的负载路线设计在第一负载端子和第二负载端子之间。在半导体模块外部的是第一电路板，其具有与负载路线串联的导电轨。同样在半导体模块外部的是用于控制可控功率半导体构件的控制单元。控制单元具有第二电路板。第一电路板和第二电路板相互间隔开。除此之外，第一电路板和第二电路板(至少)通过引脚导电地相互连接。
【附图说明】
[0006]接下来根据实施例联系附图阐述本发明的这个以及其他的方面。在图中以相同的标号标记相同的或者相同功能的元件。在此示出:
[0007]图1是功率半导体装置的设计方案的电路图，
[0008]图2A是根据第一实施例的功率半导体装置的侧视图，
[0009]图2B是根据图2A的功率半导体装置的俯视图，
[0010]图3A是根据第二实施例的功率半导体装置的侧视图，
[0011]图3B是根据图3A的功率半导体装置的俯视图，
[0012]图4是功率半导体装置的第二设计方案的电路图，
[0013]图5是功率半导体装置的第三设计方案的电路图，
[0014]图6是根据第一实施例的第一电路板和第二电路板之间的引脚连接，
[0015]图7是根据第二实施例的第一电路板和第二电路板之间的引脚连接，
[0016]图8是根据第三实施例的第一电路板和第二电路板之间的引脚连接，
[0017]图9是根据第四实施例的第一电路板和第二电路板之间的引脚连接，
[0018]图10是根据第五实施例的第一电路板和第二电路板之间的引脚连接。
【具体实施方式】
[0019]图1示出了功率半导体装置的电路图。其具有半导体模块3以及装配有温度敏感的构件17，18的第一电路板I。温度敏感的构件17，18示例性地构造为电容器17，18。
[0020]半导体模块3具有带有两个可控半桥开关61 (HS= “High Side”，高端)和62(LS =“Low Side”，低端)的半电桥HB。第一半桥开关61具有第一负载端子(在此:集电极C)和第二负载端子(在此:发射极E)以及控制端子(在此:栅极G)，借助于控制端子能够通过第一半桥开关61的负载路线(在此:路线C-E)控制电流。相应地，第二半桥开关62具有第一负载端子(在此:集电极C)和第二负载端子(在此:发射极E)以及控制端子(在此:栅极G)，借助于控制端子能够通过第二半桥开关62的负载路线(在此:路线C-E)控制电流。第一半桥开关61的第二负载端子(在此:C)导电地与第二半桥开关62的第一负载端子(在此:E)连接。可选地，能够分别与半桥开关61，62中的每个的负载路线(C-E)(非)并联地连接续流二极管FWD。
[0021 ]当在当前实例中也将η通道IGBT作为半桥开关61，62的时候，作为替换，能够采用任意其它的双极或者非双极的半桥开关61，62，例如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、JFET(结型场效应管)、晶闸管等。构件的第一和第二负载端子根据构件也能够是集电极和发射极，或者是漏极和源极，或者是源极和漏极。
[0022]通过合适地驱控可控半桥开关61，62能够在两个半桥开关61和62的负载线路(C-E)之间的电路节点上调整所期望的电压过程曲线。半电桥HB的输出端电势以U标记。输出端电势U通常等同于在半电桥HB上供应的电压(例如中间电路电压)的两个电势(DC+，DC_)中的一个。正电势DC+与高端开关61的集电极C连接，并且负电势DC-与低端开关62的发射极E连接。当高端开关61的负载线路C-E导通并且低端开关62的负载线路C-E截止的时候，输出端电势U通常等同于正电势DC+。当反过来高端开关61的负载线路C-E截止并且低端开关62的负载线路C-E导通的时候，输出端电势U通常等同于负电势DC-。因此，能够通过借助于驱控单元25合适地驱控两个半桥开关61，62的栅极G实现将两个电势DC+或DC-作为半电桥HB的输出端电势U在半导体模块3的输出端提供。
[0023]驱控单元25包括用于驱控高端开关61的子单元CTRL/DRV HS以及用于驱控低端开关62的子单元CTRL/DRV LS0
[0024]子单元CTRL/DRV HS具有两个输入端ElI和E12，在其之间连接有无源的功率电感LS2，高端开关61的负载电流流过该无源的功率电感(即电流流过其负载路线C-E)。由此能够通过驱控单元25以已知的方式测定负载电流的脉冲坡度。除此之外，输送给输入端El I或E12的电势中的任意一个能够应用为用于驱控高端开关61的参考电势。
[0025]相应地，子单元CTRL/DRV LS具有两个输入端E21和E22，在其之间连接有无源的功率电感LSI，低端开关62的负载电流流过该无源的功率电感(即电流流过其负载路线C-E)。由此能够通过驱控单元25以已知的方式测定负载电流的脉冲坡度。除此之外，输送给输入端E21或E22的电势中的任意一个能够应用为用于驱控低端开关62的参考电势。
[0026]除此之外，子单元CTRL/DRVHS具有输入端Cl。为其输送高端开关61的集电极C上的电势。由此能够通过驱控单元25以已知的方式测定经过高端开关61的负载路线下降的电压的脉冲坡度。
[0027]相应地，子单元CTRL/DRVLS具有输入端C2。为其输送低端开关62的集电极C上的电势。由此能够通过驱控单元25以已知的方式测定经过低端开关62的负载路线下降的电压的脉冲坡度。
[0028]第一电路板I能够具有三个导电轨14，15，16，其在图1中分别根据粗线示出。在其上连接有正电势DC+的导电轨14与高端开关61的集电极电连接，并且在其上连接有负电势DC-的导电轨15与低端开关62的发射极电连接。为导电轨16输送输出端电势U。除此之外，导电轨16与相位输出端PH连接，在其上能够连接负载、例如感应负载(例如发动机M)。
[0029]驱控单元25同样能够具有一个或多个温度敏感的构件。因此，其在结构上与功率半导体模块3分离。
[0030]图2A和2B示意性地示出了功率半导体装置的第一实施例的侧视图或者俯视图。该装置包括第一电路板1、第二电路板2、功率半导体模块3和可选的冷却体4，其与功率半导体模块3热耦联并且在其上紧固。功率半导体模块3包括如前联系图1阐述的半电桥HB。
[0031]第一电路板I仅示例性地具有第一金属化层11和第二金属化层12以及布置在其之间的绝缘载体10。第一金属化层11和/或第二金属化层12能够结构化为导电轨。导电轨形成或包括宽的带状或板状的导体结构，其平行地引导并且因此设计为低感应的。第一电路板I能够可选地是制箔的汇流排(“Busbar”)，其中，第一和第二金属化层11和12与绝缘载体10连接在一起地制箔。然而原则上也能够应用为任意其它的电路板。
[0032]可选地，第一电路板I能够装配一个或多个温度敏感的构件17，18、在此为电容器。电容器17，18借助于第一电路板I并联。电容器17和18分别是可选的。假如既存在电容器17又存在18，那么一方面在电容器17、另一方面在电容器18位于第一电路板I的相对置的侧面，分别在侧面邻近半导体模块3。
[0033]第二电路板2是图1中阐述的驱控电路25的构件。第二电路板2的装配在图2A中为了简化没有示出。第二电路板2仅示例性地具有第一金属化层21和第二金属化层22以及布置在其之间的绝缘载体20。第一金属化层21和/或第二金属化层22能够结构化为导电轨。联系图1阐述的导电轨14，15和16能够设计在第一和/或第二金属化层21，22中。
[0034]第一电路板I和第二电路板2相互平行地延伸。其具有dl>0的间距。间距dl例如能够为至少Imm和/或最高50mm。间距dl造成了第一电路板I和第二电路板2之间的热退耦。除此之外，能够借助于间距dl或者位于电路板I和2之间的自由空间例如通过冷却空气流实现加速的冷却。
[0035]此外，第一电路板I布置在功率半导体3和第二电路板2之间。第一电路板1、第二电路板2和功率半导体3重叠的布置的事实能够造成的可行性方案是，组件I，2和3之间的电连接在其位置方面特别灵活地进行布置。
[0036]为了在第一电路板I和第二电路板2之间进行电连接采用一个或多个引脚5。引脚5中的一个、多个或每个能够要么不与半导体模块3导电地连接，要么其仅间接地经由第一电路板I和/或经由第二电路板2与半导体模块3导电地连接。
[0037]功率半导体模块装置还能够具有一个或多个第一类型的接口6，在其上半导体模块3导电地与第一电路板I连接。第一类型的接口 6中的一个、多个或每个能够要么不与第二电路板2导电地连接，要么仅间接地经由第一电路板I和/或经由半导体模块3导电地连接。
[0038]除此之外，功率半导体模块装置能够具有一个或多个第二类型的接口7，在其上半导体模块3导电地与第二电路板2连接。第二类型的接口 7中的一个、多个或每个能够要么不与第一电路板I导电地连接，要么仅间接地经由第二电路板2和/或经由半导体模块3导电地连接。
[0039]图3A和3B示意性地示出了功率半导体装置的第二实施例的侧视图或者俯视图。该装置包括第一电路板1、第二电路板2、功率半导体模块3和可选的冷却体4，其与功率半导体模块3热耦联并且在其上紧固。除此之外，功率半导体模块3包括如前联系图1阐述的半电桥HB0
[0040]第一电路板I仅示例性地具有第一金属化层11和第二金属化层12以及布置在其之间的绝缘载体10。第一金属化层11和/或第二金属化层12能够结构化为导电轨。图1阐述的第一电路板I的导电轨14，15和16能够设计在第一和/或第二金属化层21，22中。
[0041]可选地，第一电路板I能够装配一个或多个温度敏感的构件17，18、在此为电容器。电容器17，18借助于第一电路板I并联。电容器17和18分别是可选的。假如既存在电容器17又存在18，那么一方面在电容器17、另一方面在电容器18位于第一电路板I的相对置的侧面，分别在侧面邻近半导体模块3。
[0042]第二电路板2是图1中阐述的驱控电路25的构件。第二电路板2的装配在图2A中为了简化没有示出。第二电路板2仅示例性地具有第一金属化层21和第二金属化层22以及布置在其之间的绝缘载体20。第一金属化层21和/或第二金属化层22能够结构化为导电轨。
[0043]第一电路板I和第二电路板2相互平行地延伸。其具有dl>0的间距。间距dl例如能够为至少Imm和/或最高50mm。间距dl造成了第一电路板I和第二电路板2之间的热退親。
[0044]此外，第二电路板2布置在功率半导体3和第一电路板I之间。第一电路板1、第二电路板2和功率半导体3重叠的布置的事实能够造成的可行性方案是，组件I，2和3之间的电连接在其位置方面特别灵活地进行布置。
[0045]另一方面为了在第一电路板I和第二电路板2之间进行电连接采用一个或多个引脚5。引脚5中的一个、多个或每个能够要么不与半导体模块3导电地连接，要么其仅间接地经由第一电路板I和/或经由第二电路板2与半导体模块3导电地连接。
[0046]功率半导体模块装置还能够具有一个或多个第一类型的接口6，在其上半导体模块3导电地与第一电路板I连接。第一类型的接口 6中的一个、多个或每个能够要么不与第二电路板2导电地连接，要么仅间接地经由第一电路板I和/或经由半导体模块3导电地连接。
[0047]除此之外，功率半导体模块装置能够具有一个或多个第二类型的接口7，在其上半导体模块3导电地与第二电路板2连接。第二类型的接口 7中的一个、多个或每个能够要么不与第一电路板I导电地连接，要么仅间接地经由第二电路板2和/或经由半导体模块3导电地连接。
[0048]当第一电路板1、第二电路板2和半导体模块3重叠地布置，以使得电路板I，2位于半导体模块3和其它的电路板2，I之间的时候，如所述那样在选择位于其间的连接5，6，7的时候存在较高的灵活性。该灵活性能够如图4示出的那样使用，提高为了测定负载电流的脉冲坡度应用的电感(在根据图1的电路中其是控制电感LS2 )，其中，作为控制电感LS2的替换在输入端E11和E12之间接入控制电感(LS2+LS4)。
[0049]从半导体开关61的第二负载端子(在此:E)到输出端39的负载电流既在根据图1的电路中、又在根据图4的电路中经由控制电感LS2和LS4、即经由总归现存的控制电感的串联电路引导。因此，电感提高不必由此获得，即为负载电路增加电感。
[0050]除此之外如图5所示，能够相对于根据图4的电路进一步提高输入端Ell和E12之间施加的控制电感，其中，用于输送给输入端E12的电势的探针位于第一电路板I的电路16上。由此，在输入端E11和E12之间附加地还有导电轨16的控制电感LS5、即具有控制电感LS2，LS4和LS5的串联电路。
[0051 ]如还从图4和图5中获知的那样，能够相对于根据图1的电路提高输入端E21和E22之间施加的控制电感(在图1中为LSI)，其中，用于输送给输入端E22的电势的探针位于第一电路板I的线路15上。由此，在输入端E21和E22之间附加地还有导电轨15的控制电感LS3、即具有控制电感LSl和LS3的串联电路。
[0052]在图1，4和5中示出了电连接V30，V31至V39。连接V30，V31，V32，V34和V35是第一电路板I和半导体模块3之间的连接，并且，连接V37，V38和V39是第二电路板2(后者是驱控电路25的构件)和半导体模块3之间的连接。
[0053]根据图1和4的连接V33代表第二电路板2和半导体模块3之间的连接，并且，根据图5的连接V33代表第一电路板I和第二电路板2之间的连接。此外，根据图1的连接V36代表第二电路板2和半导体模块3之间的连接，并且，根据图4和5的连接V36代表第一电路板I和第二电路板2之间的连接。
[0054]为了建立连接V30至V39或者5，6和7，原则上任意的电连接都是合适的。作为实例已经已知了引脚连接和螺栓链接。根据图6至10，接下来(不是全部)再阐述集中用于第一电路板I和第二电路板2之间的可能的连接5的实例。在全部的图6至1中，连接5构造为引脚并且相应地具有直柄。每个引脚都在第一端部上导电地与第一电路板I连接，并且在与第一端部相对置的第二端部上导电地与第二电路板2连接。
[0055]在根据图6的装置中，在第一电路板I的金属化层11上焊接套筒，引脚的第一端部插入到其中，并且在第二电路板2的金属化层22上焊接第二套筒，引脚的第二端部插入到其中。
[0056]在根据图7的装置中，在第一电路板I的金属化层11上焊接套筒，引脚的第一端部插入到其中，并且第二电路板2具有连接通孔，引脚的构造为压入件的第二端部压入到其中。
[0057]在根据图8的装置中，在第二电路板2的金属化层22上焊接第二套筒，引脚的第二端部插入到其中，并且第一电路板I具有连接通孔，引脚的构造为压入件的第一端部压入到其中。
[0058]在根据图9的装置中，第一和第二电路板I，2分别具有连接通孔。引脚的第一端部压入到第一电路板的连接通孔中，并且引脚的第二端部压入到第二电路板的连接通孔中。除此之外，引脚在其第一端部上还有止挡部，其防止了第一段部过深地压入到第一电路板I的连接通孔中。
[0059]在最后的根据图10的装置中，引脚在其第一端部上焊接或结合到第一电路板I的金属化层11上，并且引脚在其第二端部上焊接或结合到第二电路板2的金属化层22上。
[0060]如图2A，2B，3A和3B那样还要获悉的是，第一电路板I的金属化层11，12构造为平面的并且相互平行的导体面，其以很小的间距相互间隔开。电路装置之中的主电流方向平行于半导体模块3的纵向方向X地延伸。
[0061]同样如图2A，2B，3A和3B那样还要获悉的是，半导体模块3与电路板I或2的端子6和7能够构造为半导体模块3的端子，其在上侧从半导体模块3的壳体中向外伸出。端子6，7的、在其上建立到第一或第二电路板I或2的电连接的自由端部布置在不同的平面中或者不同的平面的层中。在此，端子6的用于电连接第一电路板I的自由端部的平面或者平面的层与端子7的用于电连接第二电路板2的自由端部的平面或者平面的层相比，距离半导体模块3更近或者作为替换距离半导体模块3更远。
[0062]高端开关61和低端开关62能够随着需要的载流量可选地分别通过两个或更多的半导体芯片的并联形成。在此，用于高端开关61的并联电路的半导体芯片能够布置为串联在一起或者多个串联的形式，这些串联分别在平行于第一电路板I并且垂直于纵向方向X的方向上延伸。假如用于高端开关61的并联电路的半导体芯片布置为两个或更多个串联的形式，那么这些串联在纵向方向X上依次布置。相应地，用于低端开关62的并联电路的半导体芯片能够布置为串联在一起或者多个串联的形式，这些串联分别在平行于第一电路板I并且垂直于纵向方向X的方向上延伸。假如用于低端开关62的的并联电路的半导体芯片布置为两个或更多个串联的形式，那么这些串联在纵向方向X上依次布置。
[0063]多个电容器17和/或多个电容器18能够形成电容器组，其例如平行于纵向方向X地与半导体模块3间隔开。电容器17，18能够借助于金属化层11和12并联。除此之外，电容器17，18能够布置为串联在一起或者多个串联的形式，这些串联分别在平行于第一电路板I并且垂直于纵向方向X的方向上延伸。假如电容器布置为两个或更多个串联的形式，那么这些串联或其中的一些能够在纵向方向X上依次布置。
[0064]功率半导体装置的特别简单的组装能够在应用构造为压入式触点的连接5，6，7的情况下实现。在此，两个电路板1，2中的在完成组装的功率半导体布局中之后位于半导体模块3上的那些首先装配在半导体模块3上。因此在根据图2A和2B的实例中，(预先装配的)第一电路板I首先组装在半导体模块3上，随后组装(预先装配的)第二电路板2。与之相反，在根据图3A和3B的实例中，(预先装配的)第二电路板2首先组装在半导体模块3上，随后组装(预先装配的)第一电路板I。
[0065]只要用于电连接第一和第二电路板1，2的半导体模块3具有压入式触点，那么首先将最先组装在半导体模块3上的电路板推到半导体模块3的所属的压入式触点上。随后将其它的电路板推到半导体模块3的所属的压入式触点上以及电路板(在其组装在半导体模块3上之前或之后)所装配的一个或多个另外的压入式触点上。另外的压入式触点(图2A，2B，3A，3B中的5)用于第一和第二电路板I，2之间的电连接。
[0066]根据可选的设计方案，半导体模块3具有控制端子/控制引脚，其经过第一电路板I向外伸出，并且在此延伸穿过第二电路板2的通孔或者在侧面引导经过第二电路板。最终，控制端子/引脚的背向半导体模块3的壳体的自由端部在第一电路板的背向半导体模块3的那侧上超过第一电路板I。
[0067]如根据图2B和3C的俯视图那样还要获悉的是，多个端子能够带状地或者随着多个平行的引脚从半导体模块3中导出，并且各端子利用多个螺栓、多个焊接触点、多个压入式触点或者多个焊接点与第一电路板I的金属化层11，12连接。
[0068]在当前的实例中阐述了半导体模块3，其包括半电桥HB。原则上，半导体模块也能够包括两个半电桥(例如H电桥)、三个半电桥(例如3相变频器)或者多于三个半电桥HB，其中的每个以相同的方式连接在相同的电势DC+和DC-之间，并且像根据图1，4和5阐述的半电桥HB那样。然而，半导体模块3例如也能够包括多级电路或者矩阵变频器，或者也包括由一个或多个并联的半桥芯片组成的(逻辑)单个开关。
[0069]可选地，半导体模块3能够具有多个平行的控制引脚(例如栅极引脚，辅助发射极引脚)，这些引脚的前端位于与半导体模块3的功率端子(即半导体模块3的负载电流流经的端子;在图1，4和5中其为端子37，38和39)不同的平面。
[0070]具有栅极引脚和所属的辅助发射极引脚的每一对的引脚(其代表了用于驱控有关栅极的参考电势)能够紧密邻近地引导。
【主权项】
1.一种功率半导体模块装置，具有: 带有可控功率半导体构件(61，62)的半导体模块(3)，所述功率半导体构件具有第一负载端子(C)和第二负载端子(E)以及用于控制负载路线的控制端子(G)，所述功率半导体构件(61，62)的所述负载路线(C-E)形成在所述第一负载端子和所述第二负载端子之间； 布置在所述半导体模块(3)外部的第一电路板(I)，所述第一电路板具有导电轨(14，15，16)，所述导电轨与所述负载路线(C-E)串联； 布置在所述半导体模块(3)外部的、用于控制可控所述功率半导体构件(61，62)的控制单元(25)，所述控制单元具有第二电路板(2);其中 所述第一电路板(I)和所述第二电路板(2)相互间隔开； 所述第一电路板(I)和所述第二电路板(2)通过引脚(5)导电地相互连接。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块装置，其中，所述引脚(5) 不与所述半导体模块(3)导电地连接;或者 仅间接地经由所述第一电路板(I)和/或经由所述第二电路板(2)与所述半导体模块(3)导电地连接。3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块装置，其中，所述半导体模块(3)具有第一类型的端子(6)，在所述第一类型的端子上所述半导体模块导电地与所述第一电路板(I)连接。4.根据权利要求3所述的功率半导体模块装置，其中，所述第一类型的端子(6) 不与所述第二电路板(2)导电地连接;或者 仅间接地经由所述第一电路板(I)和/或经由所述半导体模块(3)与所述第二电路板(2)导电地连接。5.根据权利要求3或4所述的功率半导体模块装置，其中，所述第一类型的端子(6)被构造为压入式触点。6.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述半导体模块(3)具有第二类型的端子(7)，在所述第二类型的端子上所述半导体模块导电地与所述第二电路板(2)连接。7.根据权利要求6所述的功率半导体模块装置，其中，所述第二类型的端子(7) 不与所述第一电路板(I)导电地连接;或者 仅间接地经由所述第二电路板(2)和/或经由所述半导体模块(3)与所述第一电路板(1)导电地连接。8.根据权利要求6或7所述的功率半导体模块装置，其中，所述第二类型的端子(7)被构造为压入式触点。9.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述第一电路板(I)布置在所述半导体模块(3)和所述第二电路板(2)之间。10.根据权利要求1至8中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述第二电路板(2)布置在所述半导体模块(3)和所述第一电路板(I)之间。11.根据权利要求10所述的功率半导体模块装置，其中，所述半导体模块(3)具有带有凹进部(90)的壳体(9)，其中 所述第一电路板(I)在所述凹进部(90)上延伸； 所述第二电路板(2)布置在所述凹进部(90)中。12.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述第一电路板(I)装配有一个电容器(17，18)，或者装配有多个通过所述第一电路板(1)的导电轨(14，15)并联连接的电容器(17，18)。13.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述第一电路板(1)和所述第二电路板(2)相互平行地布置。14.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述控制单元(25)具有第一输入端(E11，E21)以及第二输入端(E12，E22)，其中，所述第一电路板(I)的导电轨(15，16)的一个部段(LS3，LS5)被电连接在所述第一输入端(Ell，E21)和所述第二输入端(E12，E22)之间。15.根据权利要求14所述的功率半导体模块装置，其中，所述导电轨(15，16)的所述部段(1^3，1^5)与所述第一电路板(1)和所述第二电路板(2)之间的电连接(￥32，￥33，￥35，V36)串联连接的串联电路被电连接在所述第一输入端(Ell，E21)和所述第二输入端(E12，E22)之间。16.根据权利要求15所述的功率半导体模块装置，其中，所述电连接(￥32，￥33，￥35，V36)是插接连接和/或压入连接。17.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述半导体模块(3) 具有多个第一端子引脚，所述多个第一端子引脚在上侧从模块壳体(9)向外伸出并且所述多个第一端子引脚分别具有第一接触端，所述第一接触端与所述第一电路板(I)电接触；具有多个第二端子引脚，所述多个第二端子引脚在所述上侧从所述模块壳体(9)向外伸出并且所述多个第二端子引脚分别具有第二接触端，所述第二接触端与所述第二电路板(2)电接触;其中 所述第一接触端和所述第二接触端在所述上侧和所述模块壳体(9)的方向上延伸离开，以使得所述第二接触端超过所述第一接触端。
【文档编号】H02M7/537GK105827132SQ201511001499
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年12月28日
【发明人】R·拜雷尔
【申请人】英飞凌科技股份有限公司