环绕式svg功率单元结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高压静止性无功发生器补偿领域，尤其涉及一种SVG功率单元结构。
【背景技术】
[0002]现有技术中，高压无功补偿SVG的基本组成单元功率单元按照左右顺序依次排列，虽然排列简单，但造成相互之间连线长、交错复杂，不便于装配维修；触发线之间相互交叉连接，不利于干扰的降低；直流电压支撑母排采用普通铜板连接，直流侧杂散电感较高。功率单元壳体内空间利用不充分，造成成本及功率柜体体积增加，生产成本较高。
【发明内容】
[0003]为解决现有技术存在的上述问题，本实用新型提供了一种布局紧凑、内部各器件安装、检修方便的功率单元结构，本实用新型通过以下技术方案实现:
[0004]包括壳体、以及分别设于壳体内的IGBT、IGBT用散热器、薄膜电容器和驱动大板，IGBT用散热器位于壳体内的中间位置，IGBT和薄膜电容器分别位于IGBT用散热器的前后两侧，驱动大板位于IGBT用散热器的上部，IGBT和薄膜电容器之间通过复合母排连接。
[0005]该功率单元内部为环绕式紧凑结构，各器件围绕IGBT用散热器进行环绕式布置，每个器件之间的距离合理选择匹配，减小了功率单元的整体体积，便于功率单元的生产、储备、安装、扩展和维修等。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型的外部结构主视图；
[0007]图2为图1中的内部结构侧视立体图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
[0009]如图1和图2所示，IGBT用散热器4位于壳体I内的中间位置，IGBT3和薄膜电容器6分别位于IGBT用散热器4的前后两侧，驱动大板2位于IGBT用散热器4的上部，IGBT3和薄膜电容器6之间通过复合母排5连接。薄膜电容器6的数量根据设备容量进行调节，每一部分检修时，其余部分均不需要拆除。
【主权项】
1.一种环绕式SVG功率单元结构，包括壳体(I )、以及分别设于壳体(I)内的IGBT(3)、IGBT用散热器(4)、薄膜电容器(6)和驱动大板(2)，其特征在于:IGBT用散热器(4)位于壳体(I)内的中间位置，IGBT (3)和薄膜电容器(6)分别位于IGBT用散热器(4)的前后两侦牝驱动大板(2)位于IGBT用散热器(4)的上部，IGBT (3)和薄膜电容器(6)之间通过复合母排(5 )连接。
【专利摘要】本实用新型公开一种环绕式SVG功率单元结构，包括壳体、以及分别设于壳体内的IGBT、IGBT用散热器、薄膜电容器和驱动大板，IGBT用散热器位于壳体内的中间位置，IGBT和薄膜电容器分别位于IGBT用散热器的前后两侧，驱动大板位于IGBT用散热器的上部，IGBT和薄膜电容器之间通过复合母排连接。该功率单元内部为环绕式紧凑结构，各器件围绕散热器进行环绕式布置，每个器件之间的距离合理选择匹配，减小了功率单元的整体体积，便于功率单元的生产、储备、安装、扩展和维修等。
【IPC分类】H02J3-18, H02M7-00
【公开号】CN204425195
【申请号】CN201520155776
【发明人】樊得平, 刘继新, 王开青
【申请人】山东泰开电力电子有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月19日