专利名称：声表面波分支滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及用作分支滤波器的声表面波分支滤波器，所述分支滤波器比如连接到无线通信设备的天线部分。具体地说，涉及一种声表面波分支滤波器，它的结构中具有不同中心频率的第一和第二声表面波分支滤波器芯片，经过设在声表面波分支滤波器芯片上的凸块接合到设在组合部件上的布线图形上。
背景技术：
近年来，为了实现进一步的微型化，使用声表面波分支滤波器的各种不同分支滤波器正在开发当中，以使无线通信设备，如便携式电话机更加紧凑。
这类声表面波分支滤波器中，以组合部件的形式安装具有不同中心频率的第一和第二声表面波分支滤波器。这里特别要求第一和第二声表面波分支滤波器之间实现更为可靠的隔离。
日本未审专利公开JP 5-167389公开了用于改进隔离的结构的一个例子。于是，有如图19所示，日本未审专利公开JP 5-167389中描述的声表面波分支滤波器201中，第一和第二声表面波分支滤波器芯片203、204被安装在一个组合部件202上。组合部件202具有信号输入/输出端C1、C2、D1、D2。第一声表面波分支滤波器芯片203具有信号输入/输出端A1、A2，第二声表面波分支滤波器芯片204具有信号输入/输出端B1、B2。将信号输入/输出端A1、A2、B1、B2、C1、C2、D1、D2布置成，使得连接信号输入/输出端A1、A2和C2的信号线与连接信号输入/输出端B1、B2和D2的信号线排列成两条直线(X、Y)，这两条直线(X、Y)相互交叉基本上成直角。
同时，日本未审专利公开JP 8-18393公开了一种如图20所示的分支滤波器组件。在这种情况下，第一和第二声表面波分支滤波器芯片212、213容纳在具有多层结构的分支滤波器组件211中。在分支滤波器组件211中嵌入条形线214、215，以构成相位匹配电路。条形线214、215的特性阻抗相对于连接到分支滤波器组件的外部电路的特性阻抗有所增加，并且，在所述组件中，对一个声表面波分支滤波器芯片要提供至少两个接地端，以改进衰减。
日本未审专利公开JP 2003-51731公开的声表面波分支滤波器中，将构成第一和第二声表面波分支滤波器的声表面波分支滤波器芯片装在一个组件内。在这种情况下，第一和第二声表面波分支滤波器通过焊接线电连接到布置在组件内的终端电极上。在这种声表面波分支滤波器中，连接到信号终端的焊接线与连接到接地端的焊接线在第一声表面波分支滤波器中相互交叉，由此改善了隔离和衰减。
日本未审专利公开JP 5-167389中所述的结构中，按照以上所述的方式布置第一和第二声表面波分支滤波器芯片的信号线，以便可以抑制相互的感应耦合。然而，就这种安排而言，虽然可以将相互感应抑制到某种程度，但是这种抑制还是不够的。因此，对于声表面波分支滤波器201而言，所述第一和第二声表面波分支滤波器芯片之间的隔离，仍旧是不够充分的。
此外，当第一和第二声表面波分支滤波器芯片之间发生安装位移时，就会出现衰减和隔离特性在很大程度上变差的问题。
同时，对于日本未审专利公开JP 8-18393中描述的结构，当应用到具有低感应分量的倒装芯片焊接系统的组合结构上时，由于它的低感应分量，衰减特性不可能得到充分的改善。
日本未审专利公开JP 2003-51731中描述的声表面波分支滤波器，通过焊接线的交叉实现由互感产生的电流的相互抵消。但是，这种滤波器由于使用焊接线的结构，所以难以实现声表面波分支滤波器的微型化。
发明内容
鉴于上述相关领域的情况，本发明的目的在于提供一种声表面波分支滤波器，具有通过倒装芯片焊接系统并利用在组合部件内的凸块安装的第一和第二声表面波分支滤波器芯片，所述声表面波分支滤波器可以实现微型化，可以进一步改善两个声表面波分支滤波器芯片之间的隔离特性，实现有益的衰减特性，并使由于声表面波分支滤波器芯片安装错位所引起的特征改变很小。
按照这种应用的第一发明，一种声表面波分支滤波器，它包括具有相对较低中心频率的第一声表面波分支滤波器芯片，以及具有相对较高中心频率的第二声表面波分支滤波器芯片，它们利用设在第一和第二声表面波分支滤波器芯片上的多个凸块接合到设在组合部件的芯片安装表面上的布线图形上。所述声表面波分支滤波器包括第一和第二声表面波分支滤波器芯片以及一个组合部件，第一声表面波分支滤波器芯片包含多个SAW谐振器，并具有设在下表面上的多个凸块；第二声表面波分支滤波器芯片包含多个SAW谐振器，并具有设在下表面上的多个凸块；组合部件利用多个凸块与第一和第二声表面波分支滤波器芯片接合在一起。组合部件的芯片安装表面至少有一个信号布线图形和一个地线布线图形，所述信号布线图形连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端，地线布线图形连接到最靠近第二声表面波分支滤波器芯片的输出端的SAW谐振器的地电位。芯片安装表面具有分别连接到信号布线图形和地线布线图形并且穿透组合部件的至少一个部分的信号通孔电极和地线通孔电极。将所述信号布线图形构造成具有这样一个图形部分，这一图形部分比第二声表面波分支滤波器芯片的凸块更为靠近所述地线布线图形，并与信号布线图形接合在一起。
按照第一发明的一个特定方面，所述信号布线图形是弯曲的，因此，信号布线图形接近地线布线图形。借此，信号布线图形具有一个接近地线布线图形的图形部分。
按照第一发明的另一特定方面，所述信号布线图形具有第一、第二、和第三布线图形部分。第一布线图形部分在接近地线布线图形的一个部分内基本上平行于地线布线图形的边缘地延伸。第二和第三布线图形部分从第一布线图形部分的相对两端开始沿离开地线布线图形的方向是弯曲的。
按照第一发明的又一特定方面，将第一布线图形部分以及第二和第三布线图形部分布置成，用以形成大致直为角，使信号布线图形具有大体呈U形的形状。
按照第一发明的再一特定方面，在第二或第三布线图形部分上，信号布线图形经凸块电连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端上。
按照第二发明，一种声表面波分支滤波器，它包括具有相对较低中心频率的第一声表面波分支滤波器芯片和具有相对较高中心频率的第二声表面波分支滤波器芯片，它们利用设在第一和第二声表面波分支滤波器芯片上的多个凸块接合到设在组合部件的芯片安装表面上的布线图形上。所述声表面波分支滤波器包括第一和第二声表面波分支滤波器芯片和一个组合部件；第一声表面波分支滤波器芯片包含多个SAW谐振器，并具有设在下表面上的多个凸块，第二声表面波分支滤波器芯片包含多个SAW谐振器，并具有设在下表面上的多个凸块；组合部件利用多个凸块与第一和第二声表面波分支滤波器芯片接合在一起。组合部件的芯片安装表面至少有一个信号布线图形和一个地线布线图形，所述信号布线图形连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端，地线布线图形连接到最靠近第二声表面波分支滤波器芯片的输出端的SAW谐振器的地电位。芯片安装表面具有分别连接到信号布线图形和地线布线图形并穿透组合部件的至少一个部分的信号通孔电极和地线通孔电极。在组合部件中，对于通孔电极之间的距离进行安排，并将通孔电极连接到不同的电位，使得在信号通孔电极和地线通孔电极之间的距离为最小。
按照这种应用的第三发明，一种声表面波分支滤波器，它包括具有相对较低中心频率的第一声表面波分支滤波器芯片和具有相对较高中心频率的第二声表面波分支滤波器芯片，它们利用设在第一和第二声表面波分支滤波器芯片上的多个凸块接合到设在组合部件的芯片安装表面上的布线图形上。所述声表面波分支滤波器包括第一和第二声表面波分支滤波器芯片以及一个组合部件；第一声表面波分支滤波器芯片包含多个SAW谐振器，并具有设在下表面上的多个凸块，第二声表面波分支滤波器芯片包含多个SAW谐振器，并具有设在下表面上的多个凸块；组合部件利用多个凸块与第一和第二声表面波分支滤波器芯片接合在一起。组合部件的芯片安装表面至少有一个信号布线图形和一个地线布线图形，所述信号布线图形连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端，地线布线图形连接到最靠近第二声表面波分支滤波器芯片的输出端的SAW谐振器的地电位。给出一个结构，用以抵消磁通量。当由流过第一声表面波分支滤波器芯片的电信号产生的磁通量在提供信号布线图形和地线布线图形的区域内流动时，这个结构可以抵消所述的磁通量。
按照第三发明的一个方面，在用于抵消磁通量的结构中，安排第一和第二通孔电极，使它们至少可以穿过组合部件的一部分，并将它们连接到地线布线图形上。第一和第二通孔电极分布在一条假想线的相对两侧，所述假想线连接多个凸块中的第一凸块和第二凸块，多个凸块用于将第二声表面波分支滤波器芯片接合到组合部件的布线图形上。第一凸块连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出电路上，第二凸块连接到最靠近这个输出端的SAW谐振器的地电位上。
按照第三发明的另一特定方面，在抵消磁通量的结构中，对于第一和第二通孔电极进行安排，使它们至少可以穿透组合部件一部分的一层，并将它们连接到地线布线图形上。第一和第二通孔电极分布在一条直线的相对两侧，所述直线连接第一凸块和多个第二凸块的中心。第一凸块连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端，第二凸块连接到最靠近第二声表面波分支滤波器芯片的输出端的SAW谐振器的地端电位。
按照第三发明的又一特定方面，由连接第一通孔电极和第二凸块的一条直线和连接第二凸块和第二通孔电极的一条直线形成的角度约为90°或更大。
按照本发明的再一特定方面，由连接第一通孔电极和多个第二凸块的中心的一条直线和连接多个第二凸块的中心和第二通孔电极的一条直线形成的角度约为90°或更大。
按照第三发明的再一特定方面，将包括第一和第二通孔电极在内的多个通孔电极设置在组合部件内。将多个通孔电极中的至少一个安排在安装第二声表面波分支滤波器芯片区域的下面。另外的通孔电极安排在安装第二声表面波分支滤波器芯片区域外部的一个区域内。
在第一到第三发明的声表面波分支滤波器中，可以作为分开独立的芯片构成所述第一和第二声表面波分支滤波器芯片。然而，本发明中的第一和第二声表面波分支滤波器芯片可以作为一个芯片，被集成并配置在一起。
图1(a)和1(b)分别是说明本发明第一实施例声表面波分支滤波器的分解透视图和前视图，；图2是表示本发明第一实施例声表面波分支滤波器电路结构的示意图；图3是表示设置于本发明第一实施例中所用接收侧声表面波分支滤波器芯片的下表面上的电极结构的仰视图；图4是说明本发明第一实施例中所用组合部件的上表面上的多个布线图形的平面示意图，；图5是说明为比较而准备的公知声表面波分支滤波器中的组合部件上表面上所设置的布线图形的平面示意图；图6是表示第一实施例的接收侧声表面波分支滤波器芯片的频率特性和比较例的声表面波分支滤波器的接收侧声表面波分支滤波器芯片的频率特性曲线图；图7是表示第二实施例的声表面波分支滤波器隔离特性和比较例的声表面波分支滤波器隔离特性的曲线图，；图8是说明设在第二实施例声表面波分支滤波器的组合部件的上表面上的布线图形的平面示意图；图9是说明本发明第三实施例声表面波分支滤波器中所用组合部件的上表面上的布线图形的平面示意图；图10是表示第三实施例声表面波分支滤波器中的接收侧声表面波分支滤波器芯片的频率特性曲线图；图11是表示第三实施例声表面波分支滤波器中的接收侧声表面波分支滤波器芯片的隔离特性曲线图；图12是表示比较例声表面波分支滤波器中的接收侧声表面波分支滤波器芯片的频率特性曲线图；图13是表示比较例声表面波分支滤波器中的接收侧声表面波分支滤波器芯片的隔离特性曲线图；
图14是说明本发明第四实施例声表面波分支滤波器，并且说明其中所用组合部件上表面上的布线图形的平面示意图；图15是说明第一实施例一种改进的声表面波分支滤波器内所用组合部件的上表面上的布线图形的平面示意图；图16是安装在图15所示组合部件上表面上的接收侧声表面波分支滤波器芯片的仰视图；图17是说明第三实施例声表面波分支滤波器改进形式的声表面波分支滤波器中所用的组合部件的上表面上的布线图形的平面示意图；图18是说明连接到接收侧地线布线图形的多个通孔电极的位置关系，从而在图17所示布线图形中加强了接地的平面示意图；图19是说明公知的声表面波分支滤波器的示意平面剖视图，；图20是说明公知的声表面波分支滤波器的另一举例的示意主视剖面图。
具体实施例方式
从下面结合附图对本发明特定实施例的描述，将使本发明将变得愈为清楚。
图1(a)和1(b)分别是说明本发明第一实施例声表面波分支滤波器的分解透视图和主视图。图2是表示该实施例声表面波分支滤波器电路结构的示意图。
如图2所示，声表面波分支滤波器1具有与天线ANT连接的天线连接终端2。确定第一声表面波分支滤波器芯片的发送侧声表面波分支滤波器芯片3和确定第二声表面波分支滤波器芯片的接收侧声表面波分支滤波器芯片4都连接到天线连接终端2。相位匹配元件5连接在天线连接终端2与接收侧声表面波分支滤波器芯片4之间。
如图所示，每个声表面波分支滤波器芯片3、4都有与多个SAW谐振器连接而构成梯形电路的结构。具体地说，声表面波分支滤波器芯片3具有确定串联臂谐振器的SAW谐振器S1-S6和确定并联臂谐振器的SAW谐振器P1和P2，声表面波分支滤波器芯片4具有确定串联臂谐振器的SAW谐振器S7-S10和确定并联臂谐振器的SAW谐振器P3-P5。
图2中定位于声表面波分支滤波器芯片3、4的天线终端2相对侧的信号终端是发送侧信号终端6和接收侧信号终端7。
SAW谐振器P5最靠近接收侧信号终端7，它的一端连接到地电位。这里，所述接收侧声表面波分支滤波器芯片4的多个SAW谐振器中，连接到SAW谐振器P5的地电位的组合部件的电极结构成为问题的所在。于是，本发明要说明的是，距第二声表面波分支滤波器芯片的输出端最近的SAW谐振器的地电位指的是图2所示SAW谐振器P5的地电位。
如图1(b)所示，在声表面波分支滤波器1中，组合部件8的上部内形成一个中空部分。本发明中，将发送侧声表面波分支滤波器芯片3和接收侧声表面波分支滤波器芯片4都安装在组合部件的芯片安装表面8b上。这里的组合部件的芯片安装表面8b指的是中空部分8a的下表面。本发明中，可以使用没有中空部分8a的平板组合部件。
在声表面波分支滤波器1中，固定一个盖件9，用以覆盖组合部件8的中空部分8a。
在声表面波分支滤波器1中，发送侧声表面波分支滤波器芯片3和接收侧声表面波分支滤波器芯片4都被电连接到各个布线图形，利用示意表示的多个凸块10、11，将布线图形设在组合部件8的芯片安装表面8b上，下面对此还有描述。此外，声表面波分支滤波器芯片3、4接合到组合部件8的芯片安装表面8b上。
如图2所示的相位匹配元件是由如图1(b)所示的条形线12、13确定的。条形线12、13嵌入组合部件8中，并通过对应的通孔电极14、15电连接到接收侧声表面波分支滤波器芯片4上。
在这种类型的声表面波分支滤波器1中，发送侧声表面波分支滤波器芯片3和接收侧声表面波分支滤波器芯片4彼此靠近。于是，由流过发送侧声表面波分支滤波器芯片3的电流产生的磁通量就会通过接收侧声表面波分支滤波器芯片4一侧。具体地说，所述磁通量要在垂直于接收侧声表面波分支滤波器芯片4的主平面和组合部件9的芯片安装表面8b的方向上通过。其结果是，由于这样的磁通量，存在使接收侧声表面波分支滤波器芯片4的频率特性变差，以及使声表面波分支滤波器芯片3和4之间的隔离特性变差的问题。
在第一实施例的声表面波分支滤波器1中，对于在组合部件8的芯片安装表面8b上形成的布线图形的形状应予改进，以防止由于这样的磁通量引起的特性变差。以下参照附图1(a)并与图3和图4一起描述这种情况。
图1(a)以分解透视图示意地表示组合部件8的芯片安装表面8b上安装接收侧声表面波分支滤波器芯片4的一部分。在声表面波分支滤波器芯片4的下表面上设置图3所示的各个电极。也即在声表面波分支滤波器芯片4的下表面4a上设置图2所示的SAW谐振器S7-S10及P3-P5。SAW谐振器S7-S10及P3-P5中的每一个都由单端口SAW谐振器确定，并且在它的结构中，在IDT(叉指式传感器)的声表面波传播方向的相对两侧设置反射器。在声表面波分支滤波器芯片4的下表面4a上还设置电极连接盘16a-16g。为电极连接盘16a-16g提供对应的金属凸块，图3中没有示出这些金属凸块。所述金属凸块比如对应于金属凸块10，如图1(b)所示意地表示的那样，并且，它们从声表面波分支滤波器芯片4的下表面4a开始向下突起。
在组合部件8的芯片安装表面8b上，在与上述金属凸块接合的部分设置多个布线图形。于是，如图1(a)和4所示，给出天线侧信号布线图形22、天线侧地线布线图形21、中间级地线布线图形23、接收侧信号布线图形24，以及接收侧地线布线图形25。
这个实施例的特征在于接收侧信号布线图形24和接收侧地线布线图形25。
接收侧信号布线图形24是与如图2所示的接收侧信号终端7接合的一部分，即设在图3所示电极连接盘16d上的金属凸块。另一方面，接收侧地线布线图形25是与图2所示SAW谐振器P5的地电位接合的一部分，即设在图3所示电极连接盘16e上的各个金属凸块。
在图4中用点划线B表示的部分设置各个布线图形，它们连接到图1(b)所示发送侧声表面波分支滤波器芯片3。
在声表面波分支滤波器1中，组合部件8上设有多个通孔电极V1-V9。每个通孔电极V1-V9的上端连接到布线图形21-25之一。本实施例中的通孔电极V1-V9延伸穿过组合部件8的至少一部分，即在垂直于芯片安装表面8b的方向上延伸。通孔电极V4连接到天线的信号布线图形22，并且电连接到上述的条形线12、13。设置另外的通孔电极，以便延伸到组合部件8的下表面，并且电连接到设置在组合部件8的下表面上的外部连接电极。
同时，多个通孔电极V7-V9电连接到接收侧地线布线图形25。于是，声表面波分支滤波器1还有一个优点，即通过通孔电极V7-V9可以加强接地。
如上所述，在声表面波分支滤波器1中，将发送侧声表面波分支滤波器芯片3和接收侧声表面波分支滤波器芯片4布置得彼此靠近。于是，在工作过程中，通过发送侧声表面波分支滤波器芯片3和电连接到发送侧声表面波分支滤波器芯片3的组合部件8上的电极部分的电信号将会产生磁通量。这个磁通量沿着垂直于芯片安装表面8b的方向通过接收侧声表面波分支滤波器芯片4和组合部件8的芯片安装表面8b的提供布线图形21-25的那些部分。
在声表面波分支滤波器1中，当磁通量通过用于提供接收侧信号布线图形24和接收侧地线布线图形25的那些部分时，会使隔离特性变差。因此，本实施例中的接收侧信号布线图形24是弯曲的，形成大体呈U形的结构，如图1(a)和4所示。这给出一种结构，其中，接收侧信号布线图形24具有一个布线图形部分，该部分靠近接收侧地线布线图形25。结果，有可能抑制沿垂直于芯片安装表面8b方向通过接收侧信号布线图形24和接收侧地线布线图形25之间那一部分的磁通量的影响。
按与图5所示对应于传统示例布线图形的平面形状比较的方式描述上述这种情况。图5是为比较所预备的组合部件220的示意平面图。在这种情况下，像在组合部件8的芯片安装表面8b中的情况那样，在组合部件220的芯片安装表面上提供天线侧信号布线图形222、天线侧地线布线图形221、中间级地线布线图形223、接收侧信号布线图形224，以及接收侧地线布线图形225。接收侧信号布线图形224与相邻的布线图形分隔开，这与布线图形222和223类似。有如从图5可以看出的，接收侧信号布线图形224具有大体呈直线的形状。
对比之下，按照本实施例的声表面波分支滤波器1，接收侧信号布线图形24是弯曲的，因而具有大体呈U形的结构，并使布线图形24靠近接收侧地线布线图形25。
具体地说，有如图4所示，本实施例中的接收侧信号布线图形24具有第一布线图形部分24a、第二布线图形部分24b和第三布线图形部分24c。第一布线图形部分24a位于与接收侧地线布线图形25相对的部分，因此，可以平行于接收侧地线布线图形25的一个边缘延伸。第二布线图形部分24b和第三布线图形部分24c从第一布线图形部分24a的相对两侧开始，沿大体上垂直于第一布线图形部分24a并且离开接收侧地线布线图形25的方向为弯曲的。第二布线图形部分24b和第三布线图形部分24c并非必须垂直第一布线图形部分24a，而可以是弯曲的，从而形成一个除90°之外的角度。
图6表示使用组合部件8的本实施例声表面波分支滤波器1的频率特性曲线和比较例的声表面波分支滤波器的接收侧声表面波分支滤波器芯片的频率特性曲线。比较例声表面波分支滤波器的配置方式与本实施例声表面波分支滤波器1的配置方式相同，只是使用了图5所示的组合部件220。图6中的实线表示第一实施例的结果，虚线表示比较例的结果。
图7是表示以上所述实施例和比较例声表面波分支滤波器的隔离特性曲线图。实线表示本实施例的结果，虚线表示比较例的结果。声表面波分支滤波器的发送通带是824-849MHz，接收通带是869-894MHz。
有如从图6和7所清晰可见的，与比较例的声表面波分支滤波器比，本实施例声表面波分支滤波器在接收侧声表面波分支滤波器的通带外的频带内显示出有益的隔离特性，并且，因此而在接收侧声表面波分支滤波器芯片中表现出足够大的带外衰减。这似乎是因为如上所述的接收侧信号布线图形24靠近接收侧地线布线图形25的缘故，借此，可以抑制上述穿过二者之间部分的磁通量的影响。
图8是表示本发明第二实施例声表面波分支滤波器的组合部件上表面上布线图形的平面结构示意图。图8与表示第一实施例的图4对应。由于第二实施例的声表面波分支滤波器的另外的结构类似于第一实施例的声表面波分支滤波器的结构，所以，这里要加进有关第一实施例的描述。
在第二实施例的声表面波分支滤波器中，有如第一实施例中那样，在组合部件8的芯片安装表面8b上布置天线侧信号布线图形22、天线侧地线布线图形21、中间级地线布线图形23和接收侧地线布线图形22。尽管在第一实施例中形成大体呈U形的接收侧信号布线图形24，但在第二实施例中的接收侧信号布线图形31并没有大体呈U形的结构，而是直线形状。
通孔电极V6连接到接收侧信号布线图形31上，通孔电极V7连接到接收侧地线布线图形25上。在通孔电极V7-V9中，通孔电极V7最靠近通孔电极V6。在电连接到接收侧声表面波分支滤波器芯片4的通孔电极V1-V9中，设定通通孔电极V6和孔电极V7之间的距离R，使其成为连接到不同电位的通孔电极之间的距离中的最小者。在相邻的连接到不同电位的其它成对通孔电极中，至少有一对通孔电极之间的距离可以与通通孔电极V6和孔电极V7之间的距离相同。
由于本实施例中有如上述那样减小了通孔电极V6和通孔电极V7之间的距离，所以，可以抑制上述磁通量穿过接收侧信号布线图形31和接收侧地线布线图形25之间的部分。这是因为本实施例中所提供的通孔电极V6和通孔电极V7从组合部件8的芯片安装表面8b开始，穿过至少一部分组合部件8，延伸到组合部件8的下表面8c。于是，通孔电极V6和孔电极V7之间距离的减小，就抑制了它们之间的所述磁通量的影响。
以此方式，通过减小通孔电极V6和通孔电极V7之间的距离R，还可以克服由通过发送侧声表面波分支滤波器芯片3和连接到发送侧声表面波分支滤波器芯片3的组合部件8的电极的信号所产生的磁通量的影响。
如上所述，使通孔电极V6靠近通孔电极V7。换句话说，在设置通孔电极V6的部分，使接收侧信号布线图形31靠近接收侧地线布线图形25。即在第二实施例的声表面波分支滤波器中，接收侧声表面波分支滤波器31还有一个靠近接收侧地线布线图形25的布线图形部分。
在第二实施例中，由于使通孔电极V6靠近通孔电极V7已经足够，因此，并不需要信号布线图形31具有复杂的形状。但在实践中，就微型化而言，像在通孔电极V6和通孔电极V7中那样形成一对彼此靠近的通孔电极是很困难的。因此，就声表面波分支滤波器的微型化而言，要像第一实施例那样，使接收侧信号布线图形靠近接收侧地线布线图形，从而可以提供一种结构，即与第二实施例相比，增大了通孔电极V6和通孔电极V7之间的距离。这种结构有利于形成通孔电极V6和V7。于是，当考虑通孔的制造精度时，第一实施例的结构有利于制造，因而，与第二实施例相比是优越的。
图9是说明本发明第三实施例声表面波分支滤波器的视图。具体来说，图9是表示第三实施例中所用组合部件的芯片安装表面上的布线图形结构的平面示意图，并与结合第一实施例说明的图4相对应。
由于第三实施例中的其它结构类似于第一实施例的结构，所以这里将引入第一实施例的说明。
在第三实施例的声表面波分支滤波器中，在组合部件8的上表面上设置天线侧信号布线图形42、天线侧地线布线图形41、中间级地线布线图形43、接收侧信号布线图形44和接收侧地线布线图形45。所提供的通孔电极V1-V10要穿过组合部件8的至少一部分。
在第三实施例中，构成接收侧信号布线图形44的方式也与第一实施例相同。即接收侧布线图形44具有弯曲的大体呈U形的结构，因此，具有靠近接收侧地线布线图形45的布线图形部分。于是，有如第一实施例中那样，接收侧信号布线图形44的这种形状可以抑制上述来自发送侧声表面波分支滤波器芯片3一侧的磁通量的影响。
此外，在本实施例中，如图所示那样布置通孔电极V10和通孔电极V7，以便抵消磁通量，从而进一步改善衰减特性和隔离特性。下面描述通孔电极V7和通孔电极V10的这种布置和结构。
在图9中，将通孔电极V7和通孔电极V10设在假想线E(连接假想点C和D)的相对两侧。通孔电极V10连接到接收侧地线布线图形45，与通孔电极V7-V9的连接方式相同。假想点D表示与连接到图1所示声表面波分支滤波器芯片4的接收侧信号终端7的凸块接合的部分。假想点D表示与连接到图1所示声表面波分支滤波器芯片4的SAW谐振器P5的地电位的并在电极连接盘16f上的凸块接合的部分。也就是说，点D是连接到接收侧声表面波分支滤波器芯片4输出端的、用于确定第二声表面波分支滤波器芯片的、并且距信号布线图形最近的凸块的接点。点C接合到与SAW谐振器的地电位相连并距所述输出端最近的凸块。在连接点C和D的假想线E相对的两侧布置连接到地电位通孔电极V7和通孔电极V10。
使用声表面波分支滤波器的过程中，当从发送侧泄露的磁通量沿垂直组合部件8的上表面方向通过时，图9中以虚线F和G表示沿环绕磁通量的方向所产生的感应电流。然而，本实施例中，在假想线E的相对两侧布置所述通孔电极7和通孔电极V10。换句话说，流到地电位的电流分流到线H和I，从而使感应电流F、G相互抵消。于是，有可能抑制上述磁通量的影响，并进一步改善频带外的衰减特性和隔离特性。下面还要参照图10-13对此进行描述。图10和11分别表示第三实施例声表面波分支滤波器的接收侧的频率特性和隔离特性的曲线图。图12和13是表示上述比较例声表面波分支滤波器的接收侧的频率特性和隔离特性的曲线图。
每个声表面波分支滤波器芯片的安装位置在芯片安装表面沿水平和垂直方向移动约50微米，其中，发送侧声表面波分支滤波器芯片是固定的，并已得出特性曲线。在图10-13中，这些特性中的实线表示最佳衰减特性和最佳隔离特性，虚线表示最差衰减特性和最差隔离特性。图10和11中，即使当接收侧声表面波分支滤波器芯片发生安装位移时，特性曲线几乎不发生位移。这样，实线和虚线相互重叠，以致在它们之间难以区分开来。对比之下，在图12和13中，当接收侧声表面波分支滤波器芯片发生安装位移时，衰减特性曲线和隔离特性曲线偏移很大的程度，借此，加大了实线和虚线之间的差异。
有如从图10、11、12、13之间的比较所能看出的，在所述比较例中，接收侧声表面波分支滤波器芯片的衰减特性在发送侧通频带中的变化是4.0分贝，在发送侧通频带中的隔离特性变化是5.1分贝。对比之下，第三实施例表示出明显的改进。在发送侧声表面波分支滤波器芯片的通频带中，接收侧声表面波分支滤波器芯片的衰减特性是1.2分贝，它在发送侧通频带内的隔离特性是0.8分贝。
有如从图10和11以及图12和13之间的比较所清晰可见的，第三实施例在接收侧通频带外的频带内甚至表示出更为有益的隔离特性，并且能够在低于频率特性曲线中通频带的频率下提供充分的衰减。
在第三实施例中，上述假想点C是这样的部分，该部分与声表面波分支滤波器芯片4的SAW谐振器P5的地电位连接的电极连接盘16f上的一个凸块相结合。不过，在连接到声表面波分支滤波器芯片4的SAW谐振器P5的地电位的电极连接盘上可以形成多个凸块。在这种情况下，多个凸块的中心对应于假想点C。也即连接到SAW谐振器P5的地电位并靠近信号布线图形的凸块可以由多个凸块组成。在这种情况下，可以将通孔电极V7和V10布置成使多个凸块的中心点就是假想点D。
图14是说明本发明第四实施例声表面波分支滤波器的平面示意图。图14是表示在组合部件8的芯片安装表面8b上的电极结构的平面示意图。
第四实施例的声表面波分支滤波器与上述第二实施例声表面波分支滤波器的一种改进形式相对应。于是，如图8所示，在第二实施例中，接收侧信号布线图形31具有大体上呈直线的形状，并在其输出端连接到通孔电极V6。虽然第二实施例中形成的信号布线图形31具有大体上呈直线的形状，但是也可以形成如图14所示的L形信号布线图形，以此作为接收侧信号布线图形32。在这种情况下，同样是将接收侧信号布线图形32在输出端连接到通孔电极V6。如在第二实施例中所示的那样，在与不同电位连接的成对通孔电极之间的距离当中，将与接收侧地线布线图形25连接的通孔电极V6和通孔电极V10之间的距离设定成使其成为最小值。于是，与第二实施例相似，这个实施例也可以提高接收侧声表面波分支滤波器芯片的衰减特性，以及改善隔离特性。
图15和16是说明本发明第一实施例的另一种改进形式的视图。图15是表示这种改进形式所用图形部件上表面上的布线图形形状的视图。图16是表示这种改进形式所用声表面波分支滤波器芯片4下表面上的电极形状的示意仰视图。
虽然第一实施例中的所述地线布线图形25包括一个电极，但是有如图15所示那样，接收侧地线布线图形25可以分开，形成地线布线图形25a和地线布线图形25b。于是，在第一、第二和第三实施例中每一个实施例中，接收侧地线布线图形同样都可以分成多个布线图形。
图17是表示上述第三实施例声表面波分支滤波器的一种改进形式的声表面波分支滤波器的视图。图17是与说明第三实施例的图9相对应的视图。
这种改进形式的声表面波分支滤波器的配置方式与第三实施例声表面波分支滤波器的配置方式相同，只是接收侧布线图形44没有大体上呈U形的结构。于是，在第三实施例的声表面波分支滤波器中，有如在第一实施例中所述的那样，使接收侧布线图形44靠近接收侧地线布线图形45，从而使接收侧布线图形具有大体上呈U形的结构。
与其相反，在这种改进形式的声表面波分支滤波器中，接收侧布线图形44A没有大体上呈U形的结构。在这个实施例中，就像第三实施例声表面波分支滤波器中那样，如附图中所示布置通孔电极V10和通孔电极V7。这种布置可以抵消来自发送侧声表面波分支滤波器芯片3一侧的磁通量的影响，借此，可以改进衰减特性和隔离特性。
于是，如图17所示，其中的接收侧信号布线图形的形状在第三实施例中发生了改变，如图所示布置的通孔电极V7和通孔电极V10可以改善衰减特性和隔离特性，但改进的并不像第三实施例那样多。
此外，如图18示意地表示的，图17所示的改进中，在与接收侧地线布线图形的凸块结合的表面上，由连接假想点D和连接到接收侧地线布线图形的通孔电极V7的直线与连接假想点D和连接到另一地线布线图形的通孔电极V10的直线所形成的角度最好是90°或更大。结果，加强了接收侧地线布线图形的接地。
在图18所示虚线J表示的区域中，在组合部件8的芯片安装表面8b上安装声表面波分支滤波器芯片4。有如从图18所清晰可见的，通孔电极V1-V10分布在安装接收侧声表面波分支滤波器芯片4区域的内部和外部。换句话说，通孔电极V10分布在安装接收侧声表面波分支滤波器芯片4的区域的内部，与地电位相连的其它通孔电极V7-V9布置在这个区域的外部。以此方式，至少一个通孔电极V10分布在安装接收侧声表面波分支滤波器芯片4区域的内部，其它通孔电极V1-V9布置在安装接收侧声表面波分支滤波器芯片4区域的外部。借助这种结构，虽然上述实施例和改进形式中第一和第二声表面波分支滤波器芯片3和4配置在分开的芯片中，但也可以作为单个芯片集成和配置第一和第二声表面波分支滤波器芯片3和4。
工业实用性在第一发明的声表面波分支滤波器中，把设置在组合部件的芯片安装表面上的信号布线图形配置成使其具有比连接到这个信号布线图形的第二声表面波分支滤波器芯片的一个凸块距地线布线图形更近的图形部分。这样，就能抑制由流过第一声表面波分支滤波器芯片的信号引起的磁通量通过连接到第二声表面波分支滤波器芯片的地线布线图形和信号布线图形的部分。于是，就能改善第二声表面波分支滤波器芯片的通频带外的频带中的隔离特性，并提供足够大的第二声表面波分支滤波器的频带外衰减。
信号布线图形是弯曲的，因此可以接近地线布线图形，借此，提供接近地线布线图形的上述的图形部分。在这种情况下，只有配置信号布线图形的平面形状，才能改善本发明声表面波分支滤波器芯片一侧的隔离特性。
信号布线图形可以具有第一信号布线图形部分，该部分在接近地线布线图形的部分处与地线布线图形的边缘平行，以及第二和第三布线图形部分，它们从第一信号布线图形的相对两侧开始，沿离开地线布线图形方向是弯曲。在这种情况下，形成具有这样一种大体上呈U形结构的信号布线图形，可以改善本发明的第二声表面波分支滤波器芯片一侧的带外隔离特性。
在第二和第三布线图形部分处，信号布线图形可以借助一个凸块与第二声表面波分支滤波器芯片的输出端电连接。在这种情况下，即使在为改善隔离特性而使第一布线图形部分接近地线布线图形时，也能布置信号布线图形与远离地线布线图形的一个凸块接合的部分。因此，有可能很容易地利用一个凸块将第二声表面波分支滤波器芯片接合到组合部件上。另外，在组合部件中并在第二和第三布线图形部分上，可以形成一个连接到第二和第三布线图形部分上的通孔电极。在这种情况下，这个通孔电极和连接到地线布线图形的通孔电极彼此可以间隔开。于是，为了微型化，可以使两个通孔电极之间距离足够大，借此可以促进通孔电极的形成。
在第二发明的声表面波分支滤波器中，组合部件的芯片安装表面具有连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端信号布线图形，以及具有与最靠近第二声表面波分支滤波器芯片之输出端的SAW谐振器相连的地电位的地线布线图形。芯片安装表面具有分别连接到信号布线图形和地线布线图形、并穿过至少一部分组合部件的信号通孔电极和地线通孔电极。布置在组合部件中并与不同电位相连的通孔电极之间的距离当中，在信号通孔电极和地线通孔电极之间的距离是最小的。就像在第一实施例中那样，这种布置可以抑制由流过第一声表面波分支滤波器芯片并通过提供信号布线图形和地线布线图形的区域的电流引起的磁通量影响。因此，能够改善第二声表面波分支滤波器芯片的频带外的隔离特性，并能明显改善第二声表面波分支滤波器芯片的频率特性。
在第三发明的声表面波分支滤波器中，组合部件的芯片安装表面至少具有连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端的一个信号布线图形，以及具有与最靠近第二声表面波分支滤波器芯片的输出端的SAW谐振器的地电位相连的一个地线布线图形。其中，给出一种抵消磁通量的结构。当由流过第一声表面波分支滤波器芯片的电信号产生的磁通量流入提供信号布线图形和地线布线图形的区域时，这个结构可以抵消这个磁通量。如在第一发明中所述的那样，能够改善第二声表面波分支滤波器芯片的带外隔离特性，并能改善第二声表面波分支滤波器芯片的频率特性。
在第三发明中，用于抵消磁通量的结构可以是如下的结构其中将第一和第二通孔电极布置成至少可以穿过部分组合部件，连接到地线布线图形，并将第一和第二通孔电极布置在连接用于把第二声表面波分支滤波器芯片结合到组合部件的多个凸块中的第一凸块和第二凸块的一条假想线的相对两侧。第一凸块连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端，第二凸块连接到最靠近所述输出端的SAW谐振器的地电位。在这种情况下，只有调节第一和第二通孔电极的形成位置，才能很容易地给出抵消磁通量的结构。
用于抵消磁通量的结构可以是如下的结构其中将第一和第二通孔电极布置成至少可以穿过部分组合部件的一层，并连接到地线布线图形。第一和第二通孔电极分布在一条直线的相对两侧，所述直线连接在第二声表面波分支滤波器芯片上所提供的多个凸块中的第一凸块和多个第二凸块的中心。第一凸块连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端，第二凸块连接到最靠近所述输出端的SAW谐振器的地电位。在这种情况下，同样是只有调节第一和第二通孔电极的位置，才有可能很容易地在组合部件中安排抵消磁通量的结构。
由连接第一通孔电极和第二凸块的直线与连接第二凸块和第二通孔电极的直线形成的角度可以是90°或更大。这样，就加强了关于组合部件中安装第二声表面波分支滤波器芯片的部分的接地。
由连接第一通孔电极和多个第二凸块中心的直线与连接多个第二凸块中心和第二通孔电极的直线形成的角度可以是约为90°或更大。这样，就以同样的方式加强化了提供地线布线图形的这部分的接地。
当在组合部件内提供包括第一和第二通孔电极在内的多个通孔电极时，在安装第二声表面波分支滤波器芯片的区域下面布置多个通孔电极中的至少一个，其它通孔电极布置在安装第二声表面波分支滤波器芯片的一个表面外部的区域，这样就能加强接地。
权利要求
1.一种声表面波分支滤波器，它借助设在第一和第二声表面波分支滤波器芯片上的多个凸块，把具有相对较低中心频率的第一声表面波分支滤波器芯片和具有相对较高中心频率的第二声表面波分支滤波器芯片结合到形成在组合部件的芯片安装表面上的布线图形上，所述声表面波分支滤波器包括第一声表面波分支滤波器芯片，它包括多个SAW谐振器以及设在下表面上的多个凸块；第二声表面波分支滤波器芯片，它包括多个SAW谐振器以及设在它的下表面上的多个凸块；以及组合部件，利用多个凸块与第一和第二声表面波分支滤波器芯片结合；其中，所述组合部件的芯片安装表面至少具有信号布线图形，该信号布线图形连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端；地线布线图形，它连接到最靠近第二声表面波分支滤波器芯片的输出端的SAW谐振器的地电位；以及信号通孔电极和地线通孔电极，它们分别连接到信号布线图形和地线布线图形，并至少穿透组合部件的一部分；信号布线图形具有如下的图形部分，这个图形部分比第二声表面波分支滤波器芯片的凸块更靠近地线布线图形，并且所述凸块与信号布线图形结合。
2.根据权利要求1所述的声表面波分支滤波器，其中，所述信号布线图形是弯曲的，从而信号布线图形接近地线布线图形，从而，信号布线图形具有接近地线布线图形的图形部分。
3.根据权利要求2所述的声表面波分支滤波器，其中，所述信号布线图形具有第一、第二和第三布线图形部分，第一布线图形部分接近地线布线图形，并平行于地线布线图形的边缘的延伸，第二和第三布线图形部分从第一布线图形部分的相对两端开始沿离开地线布线图形的方向是弯曲的。
4.根据权利要求3所述的声表面波分支滤波器，其中，在第二或第三布线图形部分处，信号布线图形借助凸块电连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端。
5.一种声表面波分支滤波器，它利用设在第一和第二声表面波分支滤波器芯片上的多个凸块，把具有相对较低中心频率的第一声表面波分支滤波器芯片和具有相对较高中心频率的第二声表面波分支滤波器芯片结合到设在组合部件的芯片安装表面上的布线图形上，所述声表面波分支滤波器包括第一声表面波分支滤波器芯片，它包括多个SAW谐振器并具有设在下表面上的多个凸块；第二声表面波分支滤波器芯片，它包括多个SAW谐振器并具有设在下表面上的多个凸块；以及组合部件，它利用多个凸块与第一和第二声表面波分支滤波器芯片结合；其中，所述组合部件的芯片安装表面至少具有信号布线图形，它连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端；地线布线图形，它连接到最靠近第二声表面波分支滤波器芯片的输出端的SAW谐振器的地电位；以及信号通孔电极和地线通孔电极，它们分别连接到信号布线图形和地线布线图形并至少穿透组合部件的一部分；并且所述信号通孔电极和地线通孔电极之间的距离是布置在组合部件中并与不同电位相连的各通孔电极之间距离的最小者。
6.一种声表面波分支滤波器，它利用设在第一和第二声表面波分支滤波器芯片上的多个凸块，把具有相对较低中心频率的第一声表面波分支滤波器芯片和具有相对较高中心频率的第二声表面波分支滤波器芯片结合到组合部件的芯片安装表面上的布线图形上，所述声表面波分支滤波器包括第一声表面波分支滤波器芯片，它包括多个SAW谐振器以及设在下表面上的多个凸块；第二声表面波分支滤波器芯片，它包括多个SAW谐振器以及设在它的下表面上的多个凸块；以及组合部件，它利用多个凸块与第一和第二声表面波分支滤波器芯片结合；其中，所述组合部件的芯片安装表面至少具有信号布线图形，该信号布线图形连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端；地线布线图形，它连接到最靠近第二声表面波分支滤波器芯片的输出端的SAW谐振器的地电位；以及用于抵消磁通量的结构；所述磁通量是由流过第一声表面波分支滤波器芯片的电信号在提供信号布线图形和地线布线图形的区域内流动而产生的。
7.根据权利要求6所述的声表面波分支滤波器，其中，所述抵消磁通量的结构中，将第一和第二通孔电极布置成使它们至少能穿透组合部件的一部分，并将它们连接到地线布线图形上，并使第一和第二通孔电极分布在一条假想线的相对两侧，所述假想线连接用于接合第二声表面波分支滤波器芯片到组合部件的芯片安装表面的多个凸块中的第一凸块和第二凸块，第一凸块连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端，第二凸块连接到最靠近所述输出端的SAW谐振器的地电位。
8.根据权利要求7所述的声表面波分支滤波器，其中，由连接第一通孔电极和第二凸块的直线与连接第二凸块和第二通孔电极的直线确定的角度是90°或更大。
9.根据权利要求6所述的声表面波分支滤波器，其中，所述抵消磁通量的结构中，将第一和第二通孔电极布置成使它们可以穿透组合部件的至少一部分的一层，并将它们连接到地线布线图形上，并使第一和第二通孔电极分布在一条假想线的相对两侧，所述假想线连接在第二声表面波分支滤波器芯片上提供的多个凸块中的第一凸块和多个第二凸块的中心，第一凸块连接到第二声表面波分支滤波器芯片的输出端，第二凸块连接到最靠近第二声表面波分支滤波器芯片的所述输出端的SAW谐振器的地端电位。
10.根据权利要求9所述的声表面波分支滤波器，其中，由连接第一通孔电极和多个第二凸块的中心的直线与连接多个第二凸块的中心和第二通孔电极的直线确定的角度是90°或更大。
11.根据权利要求1-9中任一项所述的声表面波分支滤波器，其中，包括第一和第二通孔电极在内的多个通孔电极设在组合部件上；多个通孔电极中的至少一个通孔电极设在安装第二声表面波分支滤波器芯片表面的下方，其它通孔电极设在安装第二声表面波分支滤波器芯片区域外部的一个区域内。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的声表面波分支滤波器，其中，所述第一和第二声表面波分支滤波器芯片被是集成和配置成一个芯片。
全文摘要
一种声表面波分支滤波器，其中在组合部件中通过倒装芯片焊接方法安装第一和第二声表面波分支滤波器芯片，使第一和第二声表面波分支滤波器芯片之间的隔离特性得到改善，并实现有益的衰减特性。第一声表面波分支滤波器芯片具有较低的中心频率，第二声表面波分支滤波器芯片(4)具有较大的中心频率，它们结合到组合部件(8)的芯片安装表面上。芯片安装表面上形成信号布线图形(24)。第二声表面波分支滤波器芯片(4)上的凸块结合到信号布线图形(24)。部分信号布线图形(24)比起靠近凸块来更为接近地线布线图形(25)。
文档编号H03H9/25GK1781247SQ20048001134
公开日2006年5月31日 申请日期2004年4月19日 优先权日2003年5月14日
发明者谷口典生, 岸本恭德 申请人:株式会社村田制作所