高温型电容式接近开关的制作方法

文档序号:7511792阅读:278来源:国知局
专利名称:高温型电容式接近开关的制作方法
技术领域
本实用新型属于一种电容式接近开关,具体为一种高温型电容式紧接开关。
背景技术
电容式接近开关的感应电容串接在RC振荡回路内,电源接通时,RC振荡器不振荡, 当一目标朝着电容器的电极靠近时,电容器的电容值增加,振荡器开始振荡。通过后级 电路的处理,将振和振荡两种信号转换成开关信号,从而起到检测有无物体存在的目的。 但一般电容式接近开关都只能工作在工业温度-25'C—7(TC,当温度升高超过70'C时, RC振荡的幅度产生会变化,感应距离会相应地减小。发明内容本实用新型要解决的问题是现有电容式接近开关工作温度范围较小,不适宜在高 温环境下工作。本实用新型的技术方案是高温型电容式接近开关,采用精度±0.5%,温漂20PPM/ 'C的感应电容,感应电容串接在RC振荡电路中,振荡信号输入一集成电路芯片进行F/V 变换和信号处理,得到开关信号输出,集成电路芯片是带有温度补偿的芯片,所述元件 均安装在一壳体内。本实用新型还设有多圈电位器,与集成电路芯片相连,用于调节接近开关的灵敏度, 可以检测介电常数较低的物体;感应电容外设有屏蔽罐;本实用新型还设有一LED灯, 用于显示开关信号。本实用新型通过提高感应元件的精度,在使用温度范围超过70'C时,通过相应的温 度补偿对RC振荡的幅度变化进行调整,使振幅保持在基准位置上,保持感应距离不变; 多圈电位器使接近开关可以对多种介电常数的被检测物进行检测。


图l是本实用新型的原理图。 图2是本实用新型的外观图。 其中壳体l, LED灯2。
具体实施方式
本实用新型感应电容选用精度±0.5%,温漂20PPM/。C的高精度、低温漂电容,提高 感应元件的稳定性,感应电容串接在RC振荡电路中,被检测物体的距离或大小变化会 改变电容值,引起RC振荡电路振荡,振荡信号输入集成电路芯片进行F/V变换和信号 处理,将感应电容振荡和不振荡两种信号转换为开关信号输出,由于集成电路芯片是带 有温度补偿的芯片,如ICU2136,当环境温度使电容出现温漂时,集成电路芯片可进行 温度补偿,保持正常的开关信号输出。根据平板电容器的公式C= e A/d= e o e rA /d其中,e (, =8. 854*10'° , e^相对介电常数,A^及板面积,cN极板间距,感应电容值通 过距离、面积或相对介电常数的变化而变化。如果电容极板的面积发生变化,通过差分 电容的测量方法,就可以辨别不同的物体或不同的形状;如果极板间距发生变化,通过 该方法可以测量距离。电容式接近开关就是这样来检测距离的。在检测较低介电常数e的物体时,可以调节多圈电位器来增加感应灵敏度, 一般调 节电位器使电容式接近开关在0. 7-0. 8Sn的位置动作。本实用新型电容式传感器用一个RC振荡器工作,感应电容外设有屏蔽罐,防止非 检测物的干扰,检测物体时,可将小至0.02pF电容变化精确地转换成可用的开关信号。
权利要求1. 高温型电容式接近开关,其特征是采用精度±0.5%,温漂20PPM/℃的感应电容,感应电容串接在RC振荡电路中,振荡信号输入一集成电路芯片进行F/V变换和信号处理,得到开关信号输出,所述集成电路芯片是带有温度补偿的芯片,所述元件均安装在一壳体内。
2、 根据权利要求1所述的高温型电容式接近开关,其特征是设有多圈电位器,与 集成电路芯片相连,用于调节接近开关的灵敏度。
3、 根据权利要求1或2所述的高温型电容式接近开关,其特征是感应电容外设有 屏蔽罐。
4、 根据权利要求1或2所述的高温型电容式接近开关,其特征是设有一 LED灯, 用于显示开关信号。
5、 根据权利要求1所述的高温型电容式接近开关,其特征是所述壳体为圆柱形。
专利摘要高温型电容式接近开关,采用精度±0.5%,温漂20PPM/℃的感应电容,感应电容串接在RC振荡电路中,振荡信号输入一集成电路芯片进行F/V变换和信号处理,得到开关信号输出,集成电路芯片是带有温度补偿的芯片,所述元件均安装在一壳体内。还设有多圈电位器,感应电容外设有屏蔽罐。本实用新型通过提高感应元件的精度,在使用温度范围超过70℃时,通过相应的温度补偿对RC振荡的幅度变化进行调整,使振幅保持在基准位置上,保持感应距离不变;多圈电位器使接近开关可以对多种介电常数的被检测物进行检测。
文档编号H03K17/955GK201113964SQ20072004120
公开日2008年9月10日 申请日期2007年7月31日 优先权日2007年7月31日
发明者陈柏志 申请人:伊玛精密电子(苏州)有限公司
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