低噪声放大器及无线电通信系统的制作方法

专利名称：低噪声放大器及无线电通信系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种放大输入信号的低噪声放大器及使用该低噪声
放大器的无线电通信系统。
背景技术：
近年来，随着信息量的急剧增大，人们对交换或传输信息数据 时的大容量化及高速化的要求越来越强烈。为了应对这样的要求，人们正 在以很快的速度进行关于无线电通信的技术开发。特別是无线电通信，出 于不需要电缆等布线等理由而普及的范围逐渐扩大，该普及范围包括办公 室、家庭等等。尤其是能够期待实现低功耗通信的超宽带通信(以下，将 该超宽带通信称为UWB通信。在此，UWB是Ultra Wide Band (超宽 带)的筒称。)备受关注。 在UWB通信中使用的是利用1.5GHz以上或中心频率的25% 以上的频带的超宽带信号，有人提案过根据脉冲信号进行通信的脉冲无线 电方式(IR (Impulse Radio)方式)。利用IR方式时，不使用在通常的 通信时使用的连续信号，而用具有间歇性的脉冲信号进行通信。
作为UWB通信的用途，例如可以举出传感器网络等。这样的 应用程序被要求用电池等进行很长时间的动作，因而用于UWB通信的通 信系统需要低功耗化。
作为谋求低功耗化而构成的通信系统之一例，有下述通信系统， 即在移动通信的发送电路中使用的功率放大器(amplifier)中，对放大 器的晶体管连接电阻元件及开关元件的串联电路，来设为根据所发送的输 出通过该开关元件切换电路电流值的通信系统(例如，参照专利文献1)。 根据该通信系统，能够抑制发送电路在接收信号时的功耗。 专利文献l:日本专利第3606366号公报 然而，因为在所述通信系统中，根据所发送的输出控制发送电 路中的放大器的晶体管的导通和截止，所以在发送期间一直维持通常的功 耗量，不能期待在该期间内实现很低的功耗。就是说，在所述放大器中， 不能在输入信号的期间内控制功耗，因而不能期待在该期间内实现很低的 功耗。

发明内容
本发明，正是为解决所述问题而研究开发出来的。其目的在于 当对如IR方式的通信中的脉冲信号那样交替棑列有包含信息的数据期间 和不包含信息的数据空白期间的输入信号进行放大时，连在输入着信号的 期间内也控制功耗，来设为能够实现很低的功耗。 为了解决所述课题，本发明的一个形态提供一种低噪声放大器， 该低噪声放大器用来对交替排列有包含信息的数据期间和不包含信息的数 据空白期间的输入信号进行放大；该低噪声放大器包括能够切换功耗并 对所述输入信号进行放大的放大电路，和切换所述放大电路的功耗，来在 所述数据空白期间内设定所述放大电路的功耗小予所述放大电路在所述数 据期间内的功耗的期间的控制电路。 一发明的效果一 根据本发明，当对如IR方式的通信中的脉冲信号那样交替排 列有包含信息的数据期间和不包含信息的数据空白期间的输入信号进行放 大时，连在输入着信号的期间内也能够控制功耗，因此能够实现很低的功


图1是显示第一实施例所涉及的低噪声放大器10的结构的方框图。
图2是RF输入信号RFIN、控制信号及输出信号RFOUT的时序图。 图3是显示第二实施例所涉及的低噪声放大器20的结构的方框图。 图4是显示第二实施例的变形例所涉及的低噪声放大器的结构的方框图。
图5是显示第三实施例所涉及的低噪声放大器30的结构的方框图。 图6是显示第四实施例所涉及的低噪声放大器40的结构的方框图。 图7是显示通过模拟实验得到的时间常数设定的效杲的图。 图8是显示第五实施例所涉及的低噪声放大器50的结构的方框图。 图9是显示第六实施例所涉及的低噪声放大器60的结构的方框图。 图IO是显示第七实施例所涉及的低噪声放大器70的结构的方框图。 图11是显示第八实施例所涉及的低噪声放大器80的结构的方框图。 图12是显示第九实施例所涉及的低噪声放大器90的结构的方框图。 图13是显示第十实施例所涉及的低噪声放大器IOO的结构的方框图。 符号说明 IO —低噪声放大器；ll一放大电路；12 —控制电路；20 —低噪 声放大器；21 —源地栅地放大器；2la —栅极接地晶体管；21b —源极接地 晶体管；21c—源极接地晶体管；22—负载元件；23 —偏压电路；24 —输 入用电容器；30 —低噪声放大器；31—电容附加电路；31a—电容器；40 一低噪声放大器；41一电阻附加电路；41a—电阻器；50 —低噪声放大器； 51 —电容附加电路；51a —MOS (金属氧化物半导体)晶体管；51b —偏 压电路；60 —低噪声放大器；61—电容附加电路；70 —低噪声放大器；71 —电阻附加电路；71a — MOS晶体管；71b —偏压电路；80 —低噪声放大 器；81—电阻附加电路；90 —低噪声放大器；IOO —低噪声放大器。
具体实施例方式下面，参照

本发明的实施例。补充说明一下，在下迷 各个实施例和变形例的说明中对功能与已说明过的结构因素相同的结构因 素附上相同的符号，来省略这些结构因素的说明。
〈发明的第一实施例〉
图l，是显示本发明的第一实施例所涉及的低噪声放大器10的结构的 方框图。低噪声放大器10对在IR方式的UWB通信时使用的信号进行放 大。下面，将为了进行放大所输入的信号称为RF (radio frequency:无 线电频率)输入信号。
在IR方式的通信时所使用的信号，是具有间歇性的脉冲信号， 其中交替排列有包含信息(例如，0或1等数据)的期间(以下，将该期
间称为数据期间)和不包含信息的数据空白期间。在数据期间，根据是否 存在脉冲信号来识别信息。 此外，数据期间和数据空白期间分別具有一定的宽度。就是说， 数据期间以规定的周期反复到来。如图2所示，在本实施例中，数据期间 (在图2的筒化模式的信号波形中，指存在脉冲信号的期间)以50ns的 周期反复到来。就是说，在该例子中，只要以50ns的周期监测信号，检 测是否存在脉冲信号，就能够取得信息。
(低噪声放大器10的结构)
如图1所示，低噪声放大器10包^"放大电路11和控制电路12。
放大电路11设为被提供电源电压(VDD)，对放大被输入的 RF输入信号(RFIN)而得到的信号(RFOUT)进行输出。此外，放大 电路ll设为根据被输入的控制信号切换进行(ON) /不进行(OFF) 放大动作，就是说切换功耗。具体而言，放大电路ll，在被输入H (高) 电平的控制信号的期间处于接通状态，而在被输入L(低)电平的控制信 号的期间处于关断状态。补充说明一下，放大电路11的方式不受到特別 的限制。例如，放大电路11也可以是差动放大电路，也可以是后述的源 地栅地放大器(cascode amplifier)。
控制电路12设为与数据期间的开始时刻同步，作为放大电 路11用控制信号输出宽度在数据期间的宽度以上的脉冲信号。在本实施 例中，控制电路12作为控制信号输出宽度为5ns的脉冲信号。
(低噪声放大器10的动作)
如图2所示的RF输入信号一输入到低噪声放大器10中，控制电路 12就与数据期间的开始时刻同步，以50ns的周期向放大电路11输出控 制信号。放大电路ll，根据控制电路12所输出的控制信号在数据期间成 为接通状态并进行放大动作，而在数据空白期间成为关断状态。其结果是， 如图2所示，低噪声放大器10的输出信号呈放大数据期间的脉冲信号而 得到的信号波形(参照图2的输出波形(RFOUT))。
在此，将低噪声放大器10的在放大电路11处于接通状态时的 功耗假设为Il;将低噪声放大器10的在放大电路11处于关断状态时的功
耗假设为12。这时，如图2所示，低噪声放大器IO的功耗根据是否进行 放大电路11的放大动作而切换为II或12，平均功耗量小于Il。
就是说，根据本实施例，因为能在被输入KF输入信号的期间 内控制功耗，所以能够减低平均功耗量。
〈发明的第二实施例〉
图3，是显示本发明的第二实施例所涉及的低噪声放大器20的结构的 方框图。低噪声放大器20显示第一实施例的放大电路11部分的具体结构 例。
如图3所示，低噪声放大器20包括控制电路12、源地栅地放 大器21、负载元件22、偏压电路23及输入用电容器24。
源地栅地放大器21设为将被输入的RF输入信号(RFIN) 转换成电流1言号而賴r出该电流信号。具体而言，源地栅地》i:大器21包才舌 栅极接地晶体管21a和源极接地晶体管21b。 栅极接地晶体管21a的源极与源极接地晶体管21b的漏极连 接；该柵极接地晶体管21a的漏极通过负载元件22与电源(VDD)连接。
漆极接地晶体管21b的源极已接地，RF输入信号通过输入用 电容器24输入到该源极接地晶体管21b的栅极中。 负载元件22设为将源地栅地放大器21所输出的电流信号转 换成电压信号(RFOUT)。
偏压电路23设为将偏压电压提供给源极接地晶体管21b的 栅极，使得源极接地晶体管21b能够进行放大动作。
输入用电容器24设为从RF输入信号中去除直流成分。
(低噪声放大器20的动作)
在低噪声放大器20中，控制电路12还是与数据期间的开始时刻同步， 以50ns的周期向源地栅地放大器21输出控制信号。这样，栅极接地晶体 管21a就在数据期间处于导通状态，而栅极接地晶体管21a在数据空白期 间处于截止状态。就是说，源地栅地放大器21在数据期间成为动作状态 并进行放大动作，而在数据空白期间成为非动作状态。
因此，在低噪声放大器20中，还是能够在被输入要放大的RF 输入信号的期间内控制功耗，因而能够减低平均功耗量。
而且，在本实施例中，能够以很高的速度控制是否进行放大动 作。比如说，'若要对如所述源极接地晶体管21b那样被输入高频信号(RF 输入信号)的晶体管的柵极电位进行控制来控制该晶体管的导通和截止， 就有必要将开关元件(例如，MOS晶体管)通过电阻值很大的负载元件 连接在栅极上。这是因为有必要使高频信号不传給开关元件。若这样将电 阻值很大的负载元件连接在源极接地晶体管21b上，就难以用开关元件以 很高的速度进行开关。因此，难以将控制被输入高频信号的晶体管的导通 和截止这一方式用于对高频信号进行放大的低噪声放大器。
与此相对，在本实施例中，通过不是被输入高频信号的晶体管 (源极接地晶体管21b)的、别的晶体管(栅极接地晶体管21a)控制是 否进行放大动作。就是说，因为栅极接地晶体管21a不被输入高频信号， 所以不需要将电阻值很大的负载元件连接在柵极上，能够以很高的速度进 行开关。 如上所迷，在本实施例中，因为将被输入高频信号(RF输入 信号)的晶体管和控制是否进行放大动作的晶体管设为不是同一的晶体管 的晶体管，所以能够以很高的速度切换是否进行放大动作。因此，本实施 例例如对下述使用方法等很有用，即将本实施例用于IR方式通信用低 噪声放大器，例如以10nsec等很高的速度进行间歇性动作。
此外，本实施例还能够防止频率特性由于输入阻抗的偏差而恶 化。例如在通过控制电路12对被输入RF输入信号的源极接地晶体管21b 的导通和截止进行控制的情况下，因为控制电路12的阻抗影响到栅极接 地晶体管21b，所以有可能低噪声放大器的输入阻抗由予温度或电压的变 动而产生偏差，频率特性恶化。 与此相对，在本实施例中，源地栅地放大器21的输入阻抗由 于源极接地晶体管21b的寄生电容和跨导值而决定，因而不会受到控制电 路12控制导通和截止的影响。就是说，因为被输入高频信号的晶体管和 被控制是否进行放大动作的晶体管是不是同一的，所以能够抑制信号的上 升时间的增长和频率特性的由于寄生成分的增加而造成的恶化。
〈本发明的第二实施例的变形例〉
图4，是显示第二实施例的变形例所涉及的低噪声放大器的结构的方 框图。在该变形例中，还是包括控制电路12、源地栅地放大器22及偏压 电路23。不过，在本变形例中，向设置作为源极接地晶体管21b的代替 物的源极接地晶体管21c的源极输入RF输入信号。在这样向源极输入RF 输入信号(RFIN)的情况下，也能够进行放大动作。
〈发明的第三实施例〉
图5，是显示本发明的第三实施例所涉及的低噪声放大器30的结构的 方框图。如该图5所示，低噪声放大器30是对低噪声放大器20追加电容 附加电路31而构成的。
电容附加电路31具有电容器31a。电容器31a的一个端子连 接在栅极接地晶体管21a的栅极上；电容器31a的另一个端子已接地。
在本实施例中，因为如上所述设置有电容器31a，所以能够改 善源地栅地ii大器21的高频特性。
〈发明的第四实施例〉
图6，是显示本发明的第四实施例所涉及的低噪声放大器40的结构的 方框图。如该图6所示，低噪声放大器40是对低噪声放大器30追加电阻 附加电路41而构成的。 电阻附加电路41介于栅极接地晶体管21a的栅极与控制电路 12之间。具体而言，电阻附加电路41具有电阻器41a。电阻器41a的一 个端子连接在栅极接地晶体管21a的栅极上；电阻器41a的另一个端子与 控制电路12的输出端连接。 在本实施例中，能够通过设置在源地栅地放大器21与控制电 路12之间的电容器31a及电阻器41a设定控制电路12与源地栅地放大 器21之间的时间常数。
具体而言，只要以符合下述关系式的方式设定电容器31a的电 容值《C)和电阻器41a的电阻值(R)就可以。
关系式Vo = ViX{l —exp[—t/ (CR)〗}
在此，Vo是所述栅极接地晶体管的栅极电位；Vi是所述控制电路所 输出的输出电位。此外，t是从所述控制电路输出控制所述栅极接地晶体 管的栅极电位的信号时开始到Vo超过所述栅极接地晶体管的阈值电压和 饱和漏极电压相加而得到的电位为止所经过的时间。只要利用该关系式求
出电阻值和电容值的乘积，再考虑着半导体村底上的平面布置等设定C和 R的具体值就可以。在此，关系式中的R包含附加的电阻和所述控制电路
的输出电阻。
图7显示通过模拟实验得到的时间常数设定的效果。例如，在 第二实施例的低噪声放大器20中，在控制信号上升后产生输出信号 (RFOUT)中的噪声。然而，在第四实施例的低噪声放大器40中，几乎 没观测到噪声。 这时的电阻器41a的电阻值为200Q，电容器31a的电容值为 9pF。补充说明一下，还在所述电阻器41a的电阻值的±20%的范围内进 行了关于电阻器41a的电阻值的模拟实验，并且在所述电容器31a的电容 值的±10%的范围内进行了关于电容器31a的电容值的模拟实验，得到的 结果与上述模拟实验的结果一样。
如上所述，根据本实施例，能够减低在切换使源地栅地放大器 21动作与否(动作和非动作)时产生的开关噪声。
〈发明的第五实施例〉
图8，是显示本发明的第五实施例所涉及的低噪声放大器50的结构的 方框图。如该图8所示，低噪声放大器50是用电容附加电路51置换低噪 声放大器30的电容附加电路31而构成的。 具体而言，电容附加电路51包括MOS晶体管51a和偏压电路 51b。
MOS晶体管51a的栅极连接在栅极接地晶体管21a的栅极上，
MOS晶体管51a的源极、漏极及背栅(back gate)互相连接起来。
偏压电路51b设为根据来自低噪声放大器50的外部的控制
对MOS晶体管51a的源极、漏极及背栅的电位进行控制。
由于所述结枸，电容附加电路51起到电容可变的电容器的作
用。因此，根据本实施例，因为能够调整对柵极接地晶体管2la附加的电
容，所以能将源地柵地放大器21的高频特性最佳化。
补充说明一下，也可以使用二极管来代替MOS晶体管51a。 〈发明的第六实施例〉
图9,是显示本发明的第六实施例所涉及的低噪声放大器60的结构的
方框图。如该图9所示，低噪声放大器60是用电容附加电路61置换低噪 声放大器30的电容附加电路31而构成的。 具体而言，电容附加电路61包括多个电容器31a(在图9的例 子中，包括两个电容器31a)。各个电容器31a构成为能够根据来自低 噪声放大器60的外部的控制切换让栅极接地晶体管21a的栅极接地与否。
因此，在本实施例中还是能够调整对栅极接地晶体管21a附加 的电容，因而能将源地栅地放大器21的高频特性最佳化。
而且，根据本实施例，若适当地设定电容器31a的电容，就能 够在与低噪声放大器50相比更大的范围内调整电容。因此，本实施例在 下述情况下很有用，即使用温度的变动范围较大等要在较大的范围内变 更源地栅地放大器21的高频特性的情况等等。
〈发明的第七实施例〉
图10，是显示本发明的第七实施例所涉及的低噪声放大器70的结构 的方框图。如该图10所示，低噪声放大器70是用电阻附加电路71置换 低噪声放大器40的电阻附加电路41而构成的。 具体而言，电阻附加电路71包括MOS晶体管71a和偏压电路 71b。
MOS晶体管71a的源极连接在控制电路12的输出端，MOS 晶体管71a的漏极连接在栅极接地晶体管21a的栅极上。
偏压电路71b设为根据来自低噪声放大器70的外部的控制 对MOS晶体管71a的栅极的电位进行控制。
于是，MOS晶体管71a起到电阻值根据偏压电路71b所施加 的电压而变化的负载元件的作用。因此，根据本实施例，能够调整控制电 路12与源地栅地放大器21之间的时间常数。因此，能够更高效地减低在 切换源地栅地放大器21的动作和非动作时产生的开关噪声。
〈发明的第八实施例〉
图11，是显示本发明的第八实施例所涉及的低噪声放大器80的结构 的方框图。如该图ll所示，低噪声放大器80是用电阻附加电路81置换 低噪声放大器40的电阻附加电路41而构成的。
电阻附加电路81包括多个电阻器41a (在图11的例子中，有
两个电阻器41a)。各个电阻器41a构成为能够根据来自低噪声放大器 80的外部的控制切换是否让控制电路12及栅极接地晶体管21a的柵极连 接起来。 因此，在本实施例中，还是能够调整控制电路12与源地栅地 放大器21之间的时间常数。
而且，在本实施例中，若适当地设定电阻器41a的电阻值，就 能够在与低噪声放大器70相比更大的范围内调整电阻值。因此，本实施 例在下述情况下很有用，即使用温度的变动范围较大等要在较大的范围 内变更时间常数的精况等等。
〈发明的第九实施例〉
图12，是显示本发明的第九实施例所涉及的低噪声放大器90的结构 的方框图。如该图12所示，低噪声放大器90是用电容附加电路51及电 容附加电路61置换低噪声放大器70的电容附加电路31而构成的。因此， 根据本实施例，例如选出电容器31a的值而构成电容附加电路61，来将 电容附加电路61设为能在很大的范围内变更电容，就能够设为这样的， 即由电容附加电路61在很大的范围内调整电容，由电容附加电路51对 电容值进行精细的调整。就是说，本实施例能够以范围很大且精度很高的 方式调整时间常数。
〈发明的第十实施例〉
图13，是显示本发明的第十实施例所涉及的低噪声放大器100的结 构的方框图。如该图13所示，低噪声放大器100是用电阻附加电路81置 换低噪声放大器90的电阻附加电路71而构成的。因此，根据本实施例， 还是能够更为适当地调整控制电路12与源地栅地放大器21之间的时间常 数。 补充说明一下，在第三实施例到第十实施例的各个低噪声放大 器中，RF输入信号(RFIN)都输入给源极接地晶体管21b的栅极。不过， 在这些实施例的低噪声放大器中也可以设为使RF输入信号输入给源极 接地晶体管21c的源极，如第二实施例的变形例所示。
此外，也可以在逻辑上可接受的范围内以各种各样的方式組合 起来使用各个实施例所述的结构因素。比如说，若对第七实施例的低噪声
放大器70配合第八实施例的电阻附加电路81，就能够以范围很大且精度 很高的方式调整电阻值。就是说，能够以范围很大且精度很高的方式调整 时间常数。
此外，不一定需要在整个数据空白期间一直关断放大电路11 (或让源地柵地放大器21不动作)。就是说，即使在数据空白期间内的一 部分期间将放大电路11控制成关断状态(或将源地栅地放大器21控制成 非动作状态)，也能够减低平均功耗量。 此外，也可以对三个以上的晶体管进行源地栅地连接(cascode connection)来构成源地栅地放大器21。在这种情况下，只要被输入高频 信号的晶体管和被控制是否进行放大动作的晶体管不是同 一 的，就能够以 很高的速度控制是否进行放大动作，并能够防止频率特性由于输入阻抗的 1庙差而恶i'"b。
此外，IR方式的通信时的脉冲信号是能用于所述各个实施例的 信号的一例，本发明不被限于该例子。只要是交替排列有包含信息的数据 期间和不包含信息的数据空白期间的输入信号，就能够采用本发明。 —工业实用性一 在对如IR方式的通信中的脉冲信号那样交替排列有包含信息 的数据期间和不包含信息的数据空白期间的输入信号进行放大时，本发明 所涉及的低噪声放大器连在输入着信号的期间内也能够控制功耗，因而所 述低噪声放大器具有能够实现很低的功耗这一 效果，作为放大所述输入信 号的低噪声放大器或使用该低噪声放大器的无线电通信系统等很有用。
权利要求
1.一种低噪声放大器，用来对交替排列有包含信息的数据期间和不包含信息的数据空白期间的输入信号进行放大，其特征在于所述低噪声放大器包括放大电路，能够切换功耗，对所述输入信号进行放大，和控制电路，切换所述放大电路的功耗，来在所述数据空白期间内设定所述放大电路的功耗小于所述放大电路在所述数据期间内的功耗的期间。
2. 根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于 所述放大电路是源地柵地放大器，该源地栅地放大器具有已进行源地栅地连接的栅极接地晶体管和被输入所述输入信号的晶体管，将所述输入 信号转换成电流信号；所述控制电路构成为控制所述栅极接地晶体管的栅极电位，来切换 所述放大电路的功耗。
3. 根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于所述低噪声放大器还包括附加用来使所述栅极接地晶体管的栅极接地 的电容的电容附加电路。
4. 根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于所述低噪声放大器还包括电阻附加电路，该电阻附加电路介于所述栅 极接地晶体管的栅极与所述控制电路之间，附加用来设定所述控制电路与 所述放大电路之间的时间常数的电阻。
5. 根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于 所述电容附加电路是电容可变的电容元件。
6. 根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于 所述电容附加电路包括多个能够切换让所述栅极接地晶体管的栅极接地与否的电容器。
7. 根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于 所述电阻附加电路是电阻值可变的负载元件。
8. 根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于 所迷电阻附加电路包括多个能够切换是否让所述控制电路及所述栅极 接地晶体管的栅极连接起来的负载元件。
9. 根据权利要求2所迷的低噪声放大器，其特征在于 所迷低噪声放大器还包括第 一 电容附加电路及第二电容附加电路，附加用来让所述栅极接地晶 体管的栅极接地的电容，以及电阻附加电路，介于所述栅极接地晶体管的栅极与所述控制电路之间，附加用来设定所述控制电路与所述放大电路之间的时间常数的电阻；所迷第一电容附加电路是电容可变的电容元件； 所迷第二电容附加电路包括多个能够切换让所述栅极接地晶体管的栅极接地与否的电容器。
10. 根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于 所迷低噪声放大器还包括第一电阻附加电路及第二电阻附加电路，该第 一 电阻附加电路及该第二电阻附加电路介于所述栅极接地晶体管的栅极与所述控制电路之间，附加用来设定所述控制电路与所述放大电路之间的时间常数的电阻；所述第一 电阻附加电路是电阻值可变的负载元件；所述第二电阻附加电路包括多个能够切换是否让所述控制电路及所述栅极接地晶体管的柵极连接起来的负载元件。
11. 根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于所述电阻附加电路所附加的电阻的值R和所述电容附加电路所附加的 电容的值C是符合关系式Vo=Vix{l — exp[—t/ (CR) ]}的值，Vo是 所述栅极接地晶体管的栅极电位，Vi是所述控制电路所输出的输出电位， t是从所述控制电路输出控制所述栅极接地晶体管的柵极电位的信号时开 始到Vo超过所述栅极接地晶体管的阈值电压和饱和漏极电压相加而得到 的电位为止所经过的时间，关系式中的R包含附加的电阻和所述控制电路 的输出电阻。
12. —种无线电通信系统，是根据脉冲信号进行通信的脉冲无线电方 式的无线电通信系统，其特征在于所述无线电通信系统包括权利要求1所述的低噪声放大器。
全文摘要
本发明公开了一种低噪声放大器及无线电通信系统。将放大被输入的信号的放大电路(11)构成为能够切换功耗。用控制电路(12)切换放大电路(11)的功耗，来在数据空白期间内设定放大电路(11)的功耗小于放大电路(11)在数据期间内的功耗的期间。
文档编号H03F1/02GK101356724SQ200780001309
公开日2009年1月28日 申请日期2007年4月18日 优先权日2006年9月20日
发明者中塚淳二, 木村博, 渡边学 申请人:松下电器产业株式会社